Продукція > IXT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTP44N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 44A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 25 V
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.40 грн
50+84.99 грн
100+76.50 грн
500+57.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44N10TIXYSMOSFETs 44 Amps 100V 25.0 Rds
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.35 грн
10+82.56 грн
100+60.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO220AB; 60ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+148.55 грн
10+107.19 грн
50+81.43 грн
100+73.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+119.07 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+88.56 грн
100+85.98 грн
500+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.25 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 44A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 44A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44N25TIXYSMOSFET 44 Amps 250V 72 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44N30TIXYSMOSFET 44 Amps 300V 85 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 44A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44P15TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 150V 44A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+484.62 грн
50+280.38 грн
100+257.13 грн
500+208.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44P15TMOSFET N-CH 150V 44A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 3628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+416.69 грн
36+398.79 грн
50+383.59 грн
100+357.35 грн
250+320.84 грн
500+299.63 грн
1000+292.30 грн
2500+285.85 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44P15TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP44P15T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 44 A, 0.065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+442.97 грн
10+354.38 грн
100+316.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44P15TIXYSMOSFETs -44 Amps -150V 0.065 Rds
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+455.05 грн
10+421.56 грн
50+311.34 грн
100+278.90 грн
250+268.54 грн
500+247.14 грн
1000+243.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP450P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.19 грн
50+201.98 грн
100+184.35 грн
500+144.03 грн
1000+134.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP450P2Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 16А, 300Вт, TO220-3, 400нс Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP450P2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+535.87 грн
50+287.95 грн
100+265.72 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP450P2IXYSMOSFETs PolarP2 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP450P2
Код товару: 164249
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP460P2IXYSMOSFET PolarP2 Power MOSFET
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+400.28 грн
10+331.85 грн
50+271.30 грн
100+232.64 грн
250+219.53 грн
500+206.41 грн
1000+177.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP460P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP460P2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 48A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.72 грн
50+171.41 грн
100+156.13 грн
500+121.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48N20TIXYSMOSFETs 48 Amps 200V 50 Rds
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.61 грн
10+181.80 грн
100+142.90 грн
500+133.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48N20TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO220AB; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 130ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+329.32 грн
3+268.40 грн
10+214.39 грн
50+165.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48N20TMLittelfuseDiscrete MOSFET N Ch Trench Gate-Gen1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48N20TMIXYSMOSFET Modules TO220 200V 48A N-CH TRENCH
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.56 грн
10+241.34 грн
50+178.80 грн
100+153.26 грн
250+147.73 грн
500+142.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48P05TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -48A
Gate-source voltage: ±15V
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 150W
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+298.89 грн
10+213.56 грн
50+181.15 грн
100+175.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+288.56 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48P05TIXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 48A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.74 грн
50+172.95 грн
100+157.59 грн
500+126.40 грн
1000+115.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48P05TIXYSMOSFETs TenchP Power MOSFET
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+358.40 грн
10+184.18 грн
100+158.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2
Код товару: 154844
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2IXYSMOSFETs TO220 650V 4A N-CH X2CLASS
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.41 грн
10+168.31 грн
100+115.98 грн
500+98.72 грн
1000+95.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP4N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 80W
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+361.62 грн
10+267.39 грн
100+173.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Gate charge: 8.3nC
Technology: X2-Class
Power dissipation: 80W
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+191.51 грн
10+101.38 грн
50+93.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.81 грн
50+136.26 грн
100+123.50 грн
500+94.93 грн
1000+88.19 грн
2000+82.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N70X2LittelfuseMOSFETs DiscMSFT NChUltraJnctX2Class TO-220AB/FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N70X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 30W; TO220FP; 186ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 186ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N70X2MIXYSDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N70X2MIXYSMOSFETs TO220 700V 4A N-CH X4CLASS
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.19 грн
10+150.05 грн
100+116.67 грн
500+109.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N80PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP4N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.38 грн
10+170.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Technology: PolarHV™
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.65 грн
50+113.01 грн
250+105.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.36 грн
50+137.29 грн
100+124.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N80PIXYSMOSFETs 3.5 Amps 800V 3 Rds
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.55 грн
10+146.87 грн
100+111.84 грн
500+95.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+173.62 грн
85+167.00 грн
100+161.33 грн
250+150.86 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N085TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 85V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+395.57 грн
100+324.11 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+232.54 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+400.74 грн
50+203.91 грн
100+186.32 грн
500+145.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+409.95 грн
10+304.44 грн
100+198.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.58 грн
50+214.83 грн
100+199.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PIXYSMOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+393.03 грн
10+193.71 грн
100+167.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PMIXYSMOSFETs 20 Amps 200V 0.060 Ohm Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PMLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PMIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 20A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PMIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 20A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N25TIXYSMOSFETs 50 Amps 250V 50 Rds
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.30 грн
10+227.05 грн
100+180.18 грн
500+179.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO220AB; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+357.95 грн
10+279.20 грн
50+226.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.12 грн
50+228.73 грн
100+209.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N25TMOSFET N-CH 250V 50A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP52P10PIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 52A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.15 грн
50+258.34 грн
100+239.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP52P10PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP52P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 52 A, 0.05 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+519.48 грн
5+431.69 грн
10+343.90 грн
50+237.82 грн
100+203.65 грн
250+199.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP52P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP52P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+352.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP52P10PIXYSMOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+650.76 грн
10+438.23 грн
100+273.38 грн
1000+260.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP52P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+559.14 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP52P10P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP52P10P. - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+617.74 грн
25+463.10 грн
100+307.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP54N30TIXYSMOSFET 54 Amps 300V 72 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP54N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 54A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP55N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 55A TO220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP56N15TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP56N15TIXYSMOSFET 56 Amps 150V 36 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP56N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 56A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP5N50PIXYSMOSFET 4.8 Amps 500V 1.4 Ohms Rds
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP5N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 4.8A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP5N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP5N60PIXYSMOSFET 5.0 Amps 600 V 1.6 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N020TIXYSDescription: MOSFET N-CH TO220AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.47 грн
25+141.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP60N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 60A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 176
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 176
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Trench Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+195.27 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10TIXYSMOSFETs MOSFET Id60 BVdass100
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.50 грн
10+138.14 грн
100+99.41 грн
500+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Gate charge: 49nC
Reverse recovery time: 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 176W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+234.46 грн
10+192.78 грн
25+160.38 грн
50+123.81 грн
100+94.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20TIXYSMOSFETs Trench POWER MOSFETs 200v, 60A
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+565.39 грн
10+305.65 грн
100+235.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]