Продукція > IXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTP2N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2N80PIXYSMOSFET 2 Amps 800V 6 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+615.06 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120PIXYSMOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Reverse recovery time: 920ns
Mounting: THT
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 37nC
Polarisation: unipolar
Technology: Polar™
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 2.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 7.5Ω
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+454.60 грн
10+394.71 грн
50+325.74 грн
100+288.35 грн
250+280.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+368.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N50PIXYSMOSFET 2.4 Amps 500 V 3.5 Ohm Rds
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP300N04T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 480W; TO220AB; 53ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 53ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP300N04T2IXYSMOSFETs 300 Amps 40V
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP300N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 300A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+594.90 грн
10+390.76 грн
50+312.61 грн
100+269.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP30N25L2IXYSMOSFETs TO220 250V 30A N-CH LINEAR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP30N25L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 30A TO220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32N20TIXYSMOSFETs 32 Amps 200V 78 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32N20TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32N65XIXYSMOSFET 650V/9A Power MOSFET
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32N65XIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 32A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2205 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32N65XMIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2206 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32N65XMIXYSMOSFET 650V/9A Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+149.55 грн
99+143.85 грн
102+138.97 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P05TIXYSMOSFETs 32 Amps 50V 0.036 Rds
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P05TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO220AB
On-state resistance: 39mΩ
Reverse recovery time: 26ns
Mounting: THT
Power dissipation: 83W
Gate charge: 46nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -50V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+261.31 грн
10+203.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P05TIXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.81 грн
10+176.42 грн
50+136.55 грн
100+116.09 грн
500+94.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P05T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP32P05T. - MOSFET, P-CH, 50V, 32A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P20TIXYSMOSFETs TenchP Power MOSFET
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P20TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns
On-state resistance: 0.13Ω
Reverse recovery time: 190ns
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+706.96 грн
5+538.47 грн
10+484.45 грн
50+408.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P20TIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+774.30 грн
10+515.13 грн
50+416.91 грн
100+361.61 грн
500+309.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P20TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP32P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P20TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP340N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 340A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP340N04T4IXYSMOSFETs 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP34N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.096 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 540W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X2-Class
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2IXYSMOSFETs TO220 650V 34A N-CH X2CLASS
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+632.18 грн
10+416.26 грн
50+333.85 грн
100+288.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Gate charge: 54nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N20TIXYSMOSFETs 36 Amps 200V 60 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30PMOSFET N-CH 300V 36A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30PIXYSMOSFETs 36 Amps 300V 0.11 Rds
на замовлення 4046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+230.90 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+357.06 грн
5+282.53 грн
10+265.08 грн
15+255.11 грн
25+241.81 грн
30+237.66 грн
50+235.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP36N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 36 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30P
Код товару: 208172
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+458.21 грн
10+296.53 грн
50+234.52 грн
100+201.37 грн
500+168.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30P-PDPIXYSDescription: MOSFET N-CH TO220AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP36N30P. - DISC MOSFET N-CH STD-POLAR TO-220ABFP TUBE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30TIXYSMOSFET 36 Amps 300V 110 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36P15PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO220AB
Reverse recovery time: 228ns
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Gate charge: 55nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -36A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -150V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.11Ω
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+575.41 грн
5+422.96 грн
10+373.93 грн
50+294.99 грн
100+280.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36P15PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36P15PIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36P15PIXYSMOSFETs -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36P15PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP38N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 38A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2
Код товару: 163724
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
1+88.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+341.85 грн
10+234.33 грн
25+216.88 грн
50+204.42 грн
100+192.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.24 грн
10+282.32 грн
50+222.91 грн
100+191.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+361.32 грн
44+326.86 грн
50+304.62 грн
100+278.73 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP3N100D2. - MOSFET, N-CH, 1KV, 3A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 820ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100PIXYSMOSFETs 3 Amps 1000V 4.8 Rds
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N110IXYSMOSFET 3 Amps 1100V 4 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N110IXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120
Код товару: 129937
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120Trans MOSFET N-CH 1.1KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120IXYSMOSFETs MOSFET Id3 BVdass1200
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+900.96 грн
17+859.95 грн
50+769.99 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+552.64 грн
50+503.68 грн
100+493.10 грн
500+455.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+804.59 грн
10+536.30 грн
50+434.33 грн
100+376.86 грн
500+323.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+552.64 грн
50+503.68 грн
100+493.10 грн
500+455.62 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Reverse recovery time: 700ns
Mounting: THT
Power dissipation: 200W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.5Ω
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+585.26 грн
5+494.42 грн
10+471.99 грн
50+422.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.24 грн
10+282.32 грн
50+222.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N50D2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+474.72 грн
37+390.23 грн
50+323.52 грн
100+288.38 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N50D2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO220AB; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.07µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 24ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+342.74 грн
10+208.57 грн
50+191.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N50D2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP3N50D2. - MOSFET, N-CH, 500V, 3A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N50PIXYSMOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N50PMOSFET N-CH 500V 3.6A 2Ohm 40W TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 411 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N60PIXYSMOSFET 3 Amps 600V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP42N15TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.78 грн
300+158.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP42N15TIXYSMOSFETs 42 Amps 150V 0.045 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.