Продукція > DMT

Обрати Сторінку: [ << Попередня Сторінка ] 1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 [ Наступна Сторінка >> ]

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

DMTH6016LFDFWQ-7R

Description: DIODES INC. - DMTH6016LFDFWQ-7R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.0138 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2286 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	61.37 грн
17+	48.77 грн
100+	33.73 грн
500+	29.59 грн
1000+	25.71 грн

Мінімальне замовлення: 14 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LFDFWQ-7R

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.06W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.52 грн
10+	49.51 грн
100+	32.63 грн
500+	23.81 грн
1000+	21.61 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LFVW-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.49 грн
6000+	16.42 грн
9000+	15.72 грн
15000+	14.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LFVW-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LFVW-7

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LFVW-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 86000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	19.46 грн
4000+	17.20 грн
6000+	16.42 грн
10000+	14.59 грн
14000+	14.18 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LFVWQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.17W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1121 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.25 грн
10+	45.59 грн
100+	29.72 грн
500+	21.58 грн
1000+	19.53 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LFVWQ-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LFVWQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.17W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LFVWQ-13-A

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.17W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LFVWQ-7

Trans MOSFET N-CH 60V 41A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 76000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	24.03 грн
4000+	21.38 грн
6000+	21.16 грн
10000+	19.79 грн
14000+	17.86 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LFVWQ-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.17W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LFVWQ-7

Trans MOSFET N-CH 60V 41A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LFVWQ-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

на замовлення 1827 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LFVWQ-7

Trans MOSFET N-CH 60V 41A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 76000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	24.03 грн
4000+	21.38 грн
6000+	21.16 грн
10000+	19.79 грн
14000+	17.86 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LFVWQ-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.17W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1065 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.65 грн
10+	33.29 грн
100+	21.53 грн
500+	15.46 грн
1000+	13.93 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LFVWQ-7-A

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.17W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	24.64 грн
4000+	21.87 грн
6000+	20.93 грн
10000+	18.84 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LK3-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 10.8 TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 46.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.79 грн
5000+	10.35 грн
7500+	10.19 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LK3-13

Trans MOSFET N-CH 60V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.37 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LK3-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

на замовлення 9406 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LK3-13

Trans MOSFET N-CH 60V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LK3-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 10.8 TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 46.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 61863 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.43 грн
10+	33.81 грн
100+	21.81 грн
500+	15.61 грн
1000+	14.05 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LK3-13

Trans MOSFET N-CH 60V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LK3-13

Trans MOSFET N-CH 60V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.29 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LK3Q-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 10.8 TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 46.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 372500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.72 грн
5000+	17.52 грн
7500+	16.78 грн
12500+	15.26 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LK3Q-13

Trans MOSFET N-CH 60V 10.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 185000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.95 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LK3Q-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 10.8 TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 46.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 374980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.38 грн
10+	47.55 грн
100+	31.27 грн
500+	22.78 грн
1000+	20.66 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LK3Q-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LK3Q-13

Trans MOSFET N-CH 60V 10.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPD

Diodes Incorporated

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPD-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 119625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.03 грн
10+	64.08 грн
100+	42.72 грн
500+	31.51 грн
1000+	28.75 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPD-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

на замовлення 1791 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPD-13

Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	35.77 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPD-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 117500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.65 грн
5000+	24.72 грн
7500+	24.29 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPD-13

Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPDQ

Diodes Incorporated

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPDQ-13

Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2397500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	44.93 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPDQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 707 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.22 грн
10+	52.38 грн
100+	34.61 грн
500+	25.31 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPDQ-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

на замовлення 2458 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPDQ-13

Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 945000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	44.93 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPDQ-13

Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 160000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.92 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPDQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPDQ-13

Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 160000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	44.20 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPDQ-13

Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPDQ-13

Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 97500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	45.74 грн
5000+	43.71 грн
12500+	42.38 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPDQ-13-52

Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPDWQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPDWQ-13

MOSFET BVDSS: 41V60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPDWQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.08 грн
5000+	12.44 грн
7500+	11.87 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPS-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPS-13

Description: DIODES INC. - DMTH6016LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37.1 A, 0.0124 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 1639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	55.35 грн
20+	42.19 грн
100+	28.45 грн
500+	20.83 грн
1000+	16.58 грн

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPS-13

Description: DIODES INC. - DMTH6016LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37.1 A, 0.0124 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 1609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.72 грн
500+	19.78 грн
1000+	16.44 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.89 грн
10+	35.29 грн
100+	22.90 грн
500+	16.48 грн
1000+	14.87 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPSQ-13

Trans MOSFET N-CH 60V 9.8A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPSQ-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

на замовлення 6971 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPSQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 16973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.49 грн
10+	37.81 грн
100+	24.52 грн
500+	17.63 грн
1000+	15.90 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPSQ-13

Trans MOSFET N-CH 60V 9.8A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPSQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.52 грн
5000+	13.71 грн
7500+	13.08 грн
12500+	11.61 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LPSWQ-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LSD-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

на замовлення 51267 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LSD-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 7.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.06 грн
10+	57.51 грн
100+	38.15 грн
500+	28.01 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LSD-13

Trans MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LSD-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 7.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LSDQ-13

Trans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LSDQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W, 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.44 грн
10+	69.89 грн
100+	46.84 грн
500+	34.68 грн
1000+	31.70 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LSDQ-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

на замовлення 4969 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LSDQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W, 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.55 грн
5000+	27.36 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6030LFDFW-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6/SWP T&R 10K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6030LFDFW-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6/SWP T&R 3K

на замовлення 955 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6030LFDFWQ-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6/SWP T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMTH6030LFDFWQ-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6/SWP T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMTH61M5SPSW-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	62.39 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH61M5SPSW-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V

на замовлення 34876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.57 грн
10+	116.46 грн
100+	80.14 грн
500+	61.57 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH61M5SPSW-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

на замовлення 2260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH61M5SPSWQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH61M5SPSWQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH61M8LPS-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

на замовлення 1633 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH61M8LPS-13

Description: DIODES INC. - DMTH61M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 1200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	226.78 грн
10+	159.32 грн
100+	111.36 грн
500+	87.56 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH61M8LPS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 225A PWRDI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 187.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 30 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	230.44 грн
10+	144.01 грн
100+	99.81 грн
500+	75.95 грн
1000+	70.25 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH61M8LPS-13

Description: DIODES INC. - DMTH61M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 1200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	111.36 грн
500+	87.56 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH61M8LPS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 225A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 187.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH61M8LPSQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 187.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH61M8LPSQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH61M8LPSQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 187.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMTH61M8SPS-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH61M8SPS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH61M8SPS-13

Description: DIODES INC. - DMTH61M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 1100 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 215A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1038 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	65.27 грн
100+	63.48 грн
500+	57.29 грн
1000+	51.84 грн

Мінімальне замовлення: 13 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH61M8SPS-13

Description: DIODES INC. - DMTH61M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 1100 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 215A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1058 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.48 грн
500+	57.29 грн
1000+	51.84 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH61M8SPSQ-13

Description: DIODES INC. - DMTH61M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 0.0011 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 215A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	90.23 грн
500+	77.74 грн
1000+	66.26 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH61M8SPSQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	157.55 грн
10+	126.12 грн
100+	100.42 грн
500+	79.74 грн
1000+	67.65 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH61M8SPSQ-13

Description: DIODES INC. - DMTH61M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 1100 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 215A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	160.13 грн
10+	117.86 грн
100+	81.28 грн
500+	72.76 грн
1000+	64.59 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH61M8SPSQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH61M8SPSQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	71.12 грн
5000+	65.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH62M7SPSW-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH62M8LPS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	46.18 грн
5000+	45.86 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH62M8LPS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 47500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

181+	53.85 грн
2500+	46.64 грн
5000+	45.85 грн

Мінімальне замовлення: 181 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH62M8LPS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH62M8LPS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	48.17 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH62M8LPS-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Обрати Сторінку: [ << Попередня Сторінка ] 1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 [ Наступна Сторінка >> ]