Продукція > DMT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMTH6012LPSW-13Diodes Zetex60V +175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6012LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 50.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6012LPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6012LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 50.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.46 грн
10+45.06 грн
100+29.56 грн
500+21.49 грн
1000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6015LDVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6015LDVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 3821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6015LPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9.4A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 39.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 36.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6015LPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9.4A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 39.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 36.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.36 грн
10+55.42 грн
100+36.71 грн
500+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFDFW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFDFW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.06W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.46 грн
10+44.91 грн
100+29.44 грн
500+21.39 грн
1000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFDFW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.06W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.07 грн
6000+16.07 грн
9000+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFDFW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 6496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFDFWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 9.4A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFDFWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFDFWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 9.4A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFDFWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFDFWQ-7RDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.06W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFDFWQ-7RDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6016LFDFWQ-7R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.0138 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFDFWQ-7RDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 66997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFDFWQ-7RDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.06W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFVW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.49 грн
6000+16.42 грн
9000+15.72 грн
15000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.46 грн
4000+17.20 грн
6000+16.42 грн
10000+14.59 грн
14000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.17W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFVWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.17W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+45.59 грн
100+29.72 грн
500+21.58 грн
1000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFVWQ-13-ADiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.17W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFVWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 41A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.03 грн
4000+21.38 грн
6000+21.16 грн
10000+19.79 грн
14000+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.17W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
10+33.29 грн
100+21.53 грн
500+15.46 грн
1000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFVWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 41A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.03 грн
4000+21.38 грн
6000+21.16 грн
10000+19.79 грн
14000+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.17W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFVWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 41A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFVWQ-7-ADiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.17W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.64 грн
4000+21.87 грн
6000+20.93 грн
10000+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10.8 TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 46.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 61863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.81 грн
100+21.81 грн
500+15.61 грн
1000+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 9406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10.8 TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 46.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.79 грн
5000+10.35 грн
7500+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10.8 TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 46.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 374980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.38 грн
10+47.55 грн
100+31.27 грн
500+22.78 грн
1000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10.8 TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 46.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 372500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.72 грн
5000+17.52 грн
7500+16.78 грн
12500+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 185000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 104610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.63 грн
10+75.93 грн
25+64.16 грн
50+53.34 грн
100+47.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 102500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.80 грн
7500+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDQDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 9.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.74 грн
5000+43.71 грн
12500+42.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2397500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.22 грн
10+52.38 грн
100+34.61 грн
500+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 9.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 945000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDQ-13-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 9.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDWQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 41V60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.89 грн
10+35.29 грн
100+22.90 грн
500+16.48 грн
1000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6016LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37.1 A, 0.0124 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.08 грн
5000+12.44 грн
7500+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6016LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37.1 A, 0.0124 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 9.8A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.57 грн
7500+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6016LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.8 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 2.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 6971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 9.8A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+49.21 грн
25+41.24 грн
50+34.07 грн
100+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 7.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 51267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 7.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.06 грн
10+57.51 грн
100+38.15 грн
500+28.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W, 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.44 грн
10+69.89 грн
100+46.84 грн
500+34.68 грн
1000+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W, 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.55 грн
5000+27.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6030LFDFW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6/SWP T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6030LFDFW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V U-DFN2020-6/SWP T&R 3K
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6030LFDFWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6/SWP T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6030LFDFWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH61M5SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH61M5SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V
на замовлення 34876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.57 грн
10+116.46 грн
100+80.14 грн
500+61.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH61M5SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH61M5SPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH61M5SPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH61M8LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 225A PWRDI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 187.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 30 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.44 грн
10+144.01 грн
100+99.81 грн
500+75.95 грн
1000+70.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH61M8LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH61M8LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 225A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 187.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH61M8LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH61M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 1200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.