Продукція > RN1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RN1602(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 6-Pin SM T/R
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1122+12.62 грн
1375+10.29 грн
1550+9.13 грн
2000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 1122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1602(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SM6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
на замовлення 9440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
22+14.11 грн
100+8.83 грн
500+6.13 грн
1000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1602-TE12LTOS20 6P
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1602/XBTOSHIBA
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1602TE85L
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1602\XETOSHIBASOT-163
на замовлення 21100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1603TOSHIBASOT26/SOT363
на замовлення 9219 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1603(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1603(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors Gen Trans NPN x 2 SM6, 50V, 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1603(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1603(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1603/XCTOSHIBA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1604(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 6-Pin SM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1604(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 6-Pin SM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1604(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1604(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 300mW F 250MHz
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1604(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1604TE85L(XD)
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1605TOSHIBASOT163
на замовлення 54051 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1605(TE85L,F)Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1605(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 6-Pin SM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1062+13.32 грн
1236+11.45 грн
1304+10.85 грн
2000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 1062 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1605(TE85LF)Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1605TE85L
на замовлення 172800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1605TE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1605TE85LFToshibaDigital Transistors BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1605TE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1606(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors Gen Trans NPN x 2 SM6, 50V, 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1606(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1606(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
12+25.51 грн
100+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1607TOSSOT-153
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1607(TE85L)TOSHIBASOT163-XH
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1607(TE85L) SOT163-XHTOSHIBA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1607(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
20+15.62 грн
100+9.82 грн
500+6.85 грн
1000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1607(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.66 грн
6000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1607(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors Gen Trans NPN x 2 SM6, 50V, 100A
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1607-XHTOSHIBASOT23-6
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1608(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
19+15.93 грн
100+10.03 грн
500+7.01 грн
1000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1608(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 6-Pin SM T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4688+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 4688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1608(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 300mW F 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1608(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1609(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
19+15.93 грн
100+10.03 грн
500+7.01 грн
1000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1609(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1609(TE85L,F)ToshibaRN1609(TE85L,F)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4688+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 4688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1609(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 300mW F 250MHz
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 109-118 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1610 SOT163-XKTOSHIBA
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1610(TE85L,F)ToshibaRN1610(TE85L,F)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4688+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 4688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1610(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 300mW F 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1610(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
19+15.93 грн
100+10.03 грн
500+7.01 грн
1000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1610(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1610SOT163-XK
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1610XK
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1611(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 300mW F 250MHz
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 123-132 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1611(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1611(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
11+28.00 грн
100+15.87 грн
500+9.86 грн
1000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1611(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SM T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4688+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 4688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1611TE85L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN162PJ220AS
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1632A-10K/10K-B-VB
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1673(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1673(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1673(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 6-Pin SM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1654+8.55 грн
1711+8.27 грн
2500+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 1654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1673(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1701,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV
Supplier Device Package: USV
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1701,LFToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1701,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: USV
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
на замовлення 6209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.66 грн
100+6.00 грн
500+4.13 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1701JE(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1701JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ESV
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1701JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ESV
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.25 грн
100+9.60 грн
500+6.70 грн
1000+5.95 грн
2000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1701TE85L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702TOSHIBA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702(TE85L)TOSHIBASOT23-5
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: USV
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.66 грн
100+6.00 грн
500+4.13 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV
Supplier Device Package: USV
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702,LFToshibaDigital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 4308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1702,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.75 грн
1000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1702,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.61 грн
73+11.14 грн
117+6.97 грн
500+4.75 грн
1000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702JETOSHIBASOT23
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702JE(TE85L
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
13+24.53 грн
100+13.92 грн
500+8.65 грн
1000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702JE(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors Gen Trans NPN x 2 ESV, 50V, 100A
на замовлення 3281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1703
на замовлення 4911 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1703,LFToshibaDigital Transistors TRANSISTOR NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 8309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1703,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: USV
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
23+13.51 грн
100+6.61 грн
500+5.17 грн
1000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1703,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
Supplier Device Package: USV
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1703JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ESV
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1703JE(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1703JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ESV
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.25 грн
100+9.60 грн
500+6.70 грн
1000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1704,LFToshibaDigital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1704,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1704,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
30+10.19 грн
100+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1704JETOSHIBA01+ TO23
на замовлення 4102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1704JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1704JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1704JE(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1705
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1705,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV
Supplier Device Package: USV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.66 грн
100+6.00 грн
500+4.13 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1705,LFToshibaDigital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 38567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1705,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV
Supplier Device Package: USV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.24 грн
6000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1705/XETOSHIBA09+
на замовлення 18018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]