Продукція > RN1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RN152-6-02-3M9SchaffnerCommon Mode Chokes Dual 3900uH 10kHz 6A 0.042Ohm DCR Thru-Hole
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+320.96 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN152-8-02Schaffner EMC Inc.Description: CMC 2.7MH 8A 2LN TH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN152-8-02SchaffnerCommon Mode Chokes / Filters RN152-8/02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN152-8-02-2M7SchaffnerRN152-8-02-2M7 RN152-8-02 2.7mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 8A DCR 22 mOhm (Typ) Протизавадні фільтри
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN152-8-02-2M7TE Connectivity / SchaffnerCommon Mode Chokes / Filters 8A 2.7mH 22mOhm Horizontal Choke
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN152-8-02-2M7SchaffnerCommon Mode Chokes Dual 2700uH 10kHz 8A 0.022Ohm DCR Thru-Hole
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN152-8-02-2M7SchaffnerCommon Mode Chokes / Filters 8A 2.7mH 22mOhm Horizontal Choke
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN152-8-02-2M7SchaffnerCommon Mode Chokes Dual 2700uH 10kHz 8A 0.022Ohm DCR Thru-Hole
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+463.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN152-8-02-2M7Schaffner EMC Inc.Description: CMC 2.7MH 8A 2LN TH
Packaging: Tube
Inductance @ Frequency: 2.7 mH @ 10 kHz
Part Status: Active
DC Resistance (DCR) (Max): 22mOhm (Typ)
Current Rating (Max): 8A
Voltage Rating - AC: 300V
Height (Max): 0.996" (25.30mm)
Approval Agency: ENEC, UR, VDE
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Number of Lines: 2
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 1.693" L x 1.646" W (43.00mm x 41.80mm)
Filter Type: Power Line
Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+547.10 грн
10+473.85 грн
25+421.17 грн
50+335.96 грн
100+316.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RN152GT2RRohm SemiconductorDescription: DIODE PIN SWITCH 30V VMD2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN152GT2RROHM SemiconductorPIN Diodes DIODE PIN SWITCH 30V 2PIN VMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1544-A
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1544ATOSHIBAN/A
на замовлення 3097 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN15MNEC04+ SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1601TOSHIBASOT163
на замовлення 5211 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1601(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1601(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 300mW F 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1601(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 6-Pin SM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1240+11.41 грн
1451+9.75 грн
1531+9.24 грн
2000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 1240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1601(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
12+25.59 грн
100+14.48 грн
500+9.00 грн
1000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1602(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SM6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
на замовлення 9440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
22+14.11 грн
100+8.83 грн
500+6.13 грн
1000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1602(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SM6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.88 грн
6000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1602(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1602(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 6-Pin SM T/R
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1122+12.62 грн
1375+10.29 грн
1550+9.13 грн
2000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 1122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1602-TE12LTOS20 6P
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1602/XBTOSHIBA
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1602TE85L
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1602\XETOSHIBASOT-163
на замовлення 21100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1603TOSHIBASOT26/SOT363
на замовлення 9219 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1603(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1603(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1603(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors Gen Trans NPN x 2 SM6, 50V, 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1603(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1603/XCTOSHIBA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1604(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 300mW F 250MHz
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1604(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 6-Pin SM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1604(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1604(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 6-Pin SM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1604(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1604TE85L(XD)
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1605TOSHIBASOT163
на замовлення 54051 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1605(TE85L,F)Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1605(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 6-Pin SM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1062+13.32 грн
1236+11.45 грн
1304+10.85 грн
2000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 1062 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1605(TE85LF)Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1605TE85L
на замовлення 172800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1605TE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1605TE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1605TE85LFToshibaDigital Transistors BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1606(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
12+25.51 грн
100+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1606(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors Gen Trans NPN x 2 SM6, 50V, 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1606(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1607TOSSOT-153
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1607(TE85L)TOSHIBASOT163-XH
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1607(TE85L) SOT163-XHTOSHIBA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1607(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors Gen Trans NPN x 2 SM6, 50V, 100A
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1607(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
20+15.62 грн
100+9.82 грн
500+6.85 грн
1000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1607(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.66 грн
6000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1607-XHTOSHIBASOT23-6
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1608(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1608(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 6-Pin SM T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4688+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 4688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1608(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
19+15.93 грн
100+10.03 грн
500+7.01 грн
1000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1608(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 300mW F 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1609(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1609(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 300mW F 250MHz
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 109-118 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1609(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
19+15.93 грн
100+10.03 грн
500+7.01 грн
1000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1609(TE85L,F)ToshibaRN1609(TE85L,F)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4688+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 4688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1610 SOT163-XKTOSHIBA
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1610(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1610(TE85L,F)ToshibaRN1610(TE85L,F)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4688+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 4688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1610(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 300mW F 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1610(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
19+15.93 грн
100+10.03 грн
500+7.01 грн
1000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1610SOT163-XK
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1610XK
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1611(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SM T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4688+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 4688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1611(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
11+28.00 грн
100+15.87 грн
500+9.86 грн
1000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1611(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 300mW F 250MHz
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 123-132 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1611(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1611TE85L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN162PJ220AS
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1632A-10K/10K-B-VB
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1673(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1673(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 6-Pin SM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1654+8.55 грн
1711+8.27 грн
2500+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 1654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1673(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1673(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1701,LFToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1701,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: USV
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
на замовлення 6209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.66 грн
100+6.00 грн
500+4.13 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1701,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV
Supplier Device Package: USV
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1701JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ESV
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.25 грн
100+9.60 грн
500+6.70 грн
1000+5.95 грн
2000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1701JE(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1701JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ESV
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1701TE85L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702TOSHIBA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702(TE85L)TOSHIBASOT23-5
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702,LFToshibaDigital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 5810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: USV
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.66 грн
100+6.00 грн
500+4.13 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV
Supplier Device Package: USV
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1702,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1702,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702JETOSHIBASOT23
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702JE(TE85L
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]