Продукція > BSC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC155N06NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 3807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+65.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 7252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.71 грн
10+74.64 грн
50+56.02 грн
100+46.93 грн
500+37.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.38 грн
56+13.54 грн
57+13.33 грн
58+12.66 грн
100+11.53 грн
250+10.89 грн
500+10.72 грн
1000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC159N10LSF GINFINEONDescription: INFINEON - BSC159N10LSF G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0122 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC159N10LSF GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC159N10LSFGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC159N10LSFGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.56 грн
500+138.21 грн
1000+127.58 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC159N10LSFGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC159N10LSFGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.56 грн
500+138.21 грн
1000+127.58 грн
10000+109.58 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 42A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 42A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 60W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 56A; Idm: 224A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 224A
Gate charge: 19nC
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 16mΩ
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+209.40 грн
30+162.04 грн
50+155.39 грн
100+151.24 грн
300+132.95 грн
500+132.12 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+285.13 грн
52+274.27 грн
100+264.97 грн
250+247.75 грн
500+223.16 грн
1000+209.00 грн
2500+204.38 грн
5000+200.31 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+101.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+101.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.23 грн
10+136.49 грн
50+104.69 грн
100+88.63 грн
500+71.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 9999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 7709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+711.77 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.49 грн
10+138.69 грн
25+137.31 грн
100+126.35 грн
250+115.82 грн
500+96.62 грн
1000+91.30 грн
3000+73.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 9999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 24847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+100.31 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1
Код товару: 198064
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+207.49 грн
103+138.69 грн
104+137.31 грн
109+126.35 грн
250+115.82 грн
500+96.62 грн
1000+91.30 грн
3000+73.89 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.68 грн
10+76.34 грн
11+75.19 грн
25+71.41 грн
50+65.10 грн
100+61.52 грн
250+60.54 грн
500+59.56 грн
1000+58.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+76.34 грн
189+75.19 грн
192+74.06 грн
195+70.31 грн
198+64.08 грн
250+60.54 грн
500+59.56 грн
1000+58.58 грн
3000+57.60 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 56A PG-WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.91 грн
10+182.70 грн
50+141.63 грн
100+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.48 грн
500+138.21 грн
1000+131.12 грн
10000+118.46 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5SCATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 56A PG-WSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 7301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+71.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.165 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+71.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.95 грн
10+87.41 грн
25+86.92 грн
100+73.96 грн
250+67.80 грн
500+63.65 грн
1000+62.22 грн
3000+60.78 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+100.65 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.17 грн
10+116.29 грн
50+88.59 грн
100+74.76 грн
500+60.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.165 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+96.95 грн
163+87.41 грн
164+86.92 грн
185+73.96 грн
250+67.80 грн
500+63.65 грн
1000+62.22 грн
3000+60.78 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 44A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 30240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 42µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 60 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.90 грн
15000+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC190N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 44 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 8.6A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+62.10 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 8.6A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 42µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 60 V
на замовлення 27722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.01 грн
10+90.12 грн
50+68.12 грн
100+57.24 грн
500+45.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC190N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 44 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3 G транзистор
Код товару: 60632
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GInfineon technologies
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1InfineonMOSFET N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 22739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 75 V
на замовлення 11555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.32 грн
10+147.26 грн
50+112.94 грн
100+95.62 грн
500+77.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1InfineonN-MOSFET 150V 50A 125W 19mΩ BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3G Infineon TBSC190n15ns3g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+132.49 грн
128+111.33 грн
129+110.22 грн
154+88.97 грн
250+64.16 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 19398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+114.50 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 75 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1InfineonN-MOSFET 150V 50A 125W 19mΩ BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3G Infineon TBSC190n15ns3g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+132.49 грн
10+111.33 грн
25+110.22 грн
100+88.97 грн
250+64.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NS GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+60.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 45A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1
Код товару: 211072
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 42µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.15 грн
10+74.26 грн
100+49.95 грн
500+37.08 грн
1000+33.94 грн
2000+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 44616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
474+74.79 грн
527+67.31 грн
1000+62.08 грн
10000+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 474 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 42µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC196N10NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0196 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0196ohm
на замовлення 1686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC200P03LSGInfineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 15 V
на замовлення 13641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
751+31.07 грн
Мінімальне замовлення: 751 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC200P03LSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC205N10LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 7.4A/45A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 43µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC205N10LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 7.4A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC205N10LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 7.4A/45A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 43µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.