Продукція > BSC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC160N10NS3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 60W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.89 грн
201+70.59 грн
500+56.77 грн
1000+50.04 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+91.56 грн
100+61.91 грн
500+46.17 грн
1000+42.33 грн
2000+40.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5Infineon technologies
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+284.50 грн
52+273.66 грн
100+264.38 грн
250+247.20 грн
500+222.67 грн
1000+208.53 грн
2500+203.93 грн
5000+199.87 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
на замовлення 8078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.87 грн
10+143.11 грн
100+99.29 грн
500+75.60 грн
1000+73.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.03 грн
10+138.38 грн
25+137.00 грн
100+126.07 грн
250+115.56 грн
500+96.41 грн
1000+91.10 грн
3000+73.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1
Код товару: 198064
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 12463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 24847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+100.09 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+207.03 грн
103+138.38 грн
104+137.00 грн
109+126.07 грн
250+115.56 грн
500+96.41 грн
1000+91.10 грн
3000+73.72 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+66.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 16064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+173.95 грн
250+128.43 грн
1000+93.59 грн
3000+81.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+101.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+101.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 16064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+267.43 грн
50+173.95 грн
250+128.43 грн
1000+93.59 грн
3000+81.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+710.19 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+138.18 грн
500+110.20 грн
1000+101.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.15 грн
500+137.90 грн
1000+130.83 грн
10000+118.20 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 56A PG-WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.50 грн
10+167.86 грн
100+117.50 грн
500+90.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.40 грн
10+76.17 грн
11+75.03 грн
25+71.26 грн
50+64.96 грн
100+61.38 грн
250+60.40 грн
500+59.43 грн
1000+58.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 56A PG-WSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.94 грн
10+196.71 грн
100+138.18 грн
500+110.20 грн
1000+101.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+76.17 грн
189+75.03 грн
192+73.90 грн
195+70.16 грн
198+63.94 грн
250+60.40 грн
500+59.43 грн
1000+58.45 грн
3000+57.47 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 7301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+100.43 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.165Ω
Drain current: 10.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 62.5W
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.165 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.15 грн
50+122.74 грн
250+84.54 грн
1000+60.53 грн
3000+54.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+96.73 грн
163+87.22 грн
164+86.73 грн
185+73.79 грн
250+67.64 грн
500+63.51 грн
1000+62.08 грн
3000+60.65 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.79 грн
10+107.93 грн
100+73.74 грн
500+55.46 грн
1000+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+71.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+70.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.165 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.74 грн
250+84.54 грн
1000+60.53 грн
3000+54.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.73 грн
10+87.22 грн
25+86.73 грн
100+73.79 грн
250+67.64 грн
500+63.51 грн
1000+62.08 грн
3000+60.65 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 44A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC190N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 44 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.48 грн
250+65.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 8.6A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC190N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 44 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.44 грн
50+93.48 грн
250+65.76 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 42µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 60 V
на замовлення 5582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.28 грн
10+93.14 грн
100+63.02 грн
500+47.04 грн
1000+43.14 грн
2000+41.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 44A; 69W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 44A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 69W
Drain-source voltage: 120V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 8.6A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+61.96 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 42µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 60 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3 GInfineon
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3 G транзистор
Код товару: 60632
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GInfineon technologies
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1InfineonN-MOSFET 150V 50A 125W 19mΩ BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3G Infineon TBSC190n15ns3g
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 75 V
на замовлення 14240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+152.00 грн
250+108.92 грн
1000+75.48 грн
3000+68.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+132.19 грн
10+111.08 грн
25+109.98 грн
100+88.78 грн
250+64.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+126.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1InfineonMOSFET N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+233.29 грн
50+144.69 грн
250+107.30 грн
1000+79.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+132.19 грн
128+111.08 грн
129+109.98 грн
154+88.78 грн
250+64.02 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1InfineonN-MOSFET 150V 50A 125W 19mΩ BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3G Infineon TBSC190n15ns3g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+71.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 75 V
на замовлення 14695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.76 грн
10+115.56 грн
100+79.58 грн
500+61.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 19398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+114.24 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 22739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NS GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+60.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 45A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 44616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
474+74.62 грн
527+67.16 грн
1000+61.94 грн
10000+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 474 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 42µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1
Код товару: 211072
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC196N10NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0196 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0196ohm
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.80 грн
11+75.51 грн
100+51.53 грн
500+36.76 грн
1000+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 42µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.28 грн
10+74.95 грн
100+50.41 грн
500+37.43 грн
1000+34.25 грн
2000+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19.6mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 78W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC200P03LSGInfineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 12.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 13641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
751+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 751 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC200P03LSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC205N10LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 7.4A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC205N10LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 7.4A/45A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 43µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC205N10LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 7.4A/45A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 43µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC205N10LSGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 5751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
662+33.53 грн
Мінімальне замовлення: 662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC205N10LSGATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC205N10LSGATMA1 - BSC205N10 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
513+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 513 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC21-2647S(SHARP)Строчный трансформатор для TV
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC220N20NSFDInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC220N20NSFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 137µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 100 V
на замовлення 10686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.18 грн
10+237.46 грн
100+170.51 грн
500+133.22 грн
1000+131.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC220N20NSFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 52A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 4804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+477.61 грн
60+239.38 грн
500+224.67 грн
1000+214.50 грн
2500+196.63 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC220N20NSFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 13043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC220N20NSFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 137µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 52A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+145.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC220N20NSFDATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 214W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 52A
Power dissipation: 214W
Case: TSON8
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC220N20NSFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC220N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.0177 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0177ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0177ohm
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+220.28 грн
500+181.90 грн
1000+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC220N20NSFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC220N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.0177 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0177ohm
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.58 грн
10+272.30 грн
100+220.28 грн
500+181.90 грн
1000+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC22DN20NS3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON
на замовлення 11863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC22DN20NS3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC22DN20NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 7A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC22DN20NS3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON
на замовлення 11863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC22DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.63 грн
10+59.78 грн
100+42.34 грн
500+31.15 грн
1000+27.58 грн
2000+26.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]