Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB60R040CFD7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+758.85 грн
27+527.36 грн
29+494.46 грн
100+453.61 грн
250+398.54 грн
500+361.91 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+763.28 грн
27+526.33 грн
100+425.61 грн
500+407.50 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R040CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+763.28 грн
10+526.33 грн
100+425.61 грн
500+407.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4351 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+673.30 грн
10+444.12 грн
50+356.73 грн
100+311.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+758.85 грн
10+527.36 грн
25+494.46 грн
100+453.61 грн
250+398.54 грн
500+361.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1
Код товару: 162243
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+671.61 грн
34+428.52 грн
100+383.15 грн
500+347.53 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R045P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 201W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+318.61 грн
10+318.51 грн
25+318.42 грн
250+306.95 грн
500+284.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 61A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+318.42 грн
250+306.95 грн
500+284.13 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+671.61 грн
10+428.52 грн
100+383.15 грн
500+347.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R045P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 201W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 201W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 61A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 38A TO263-3
на замовлення 5304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+593.35 грн
10+388.94 грн
50+310.68 грн
100+267.96 грн
500+263.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+664.26 грн
32+444.93 грн
100+317.34 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R055CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 178W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 178W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 38A TO263-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+238.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+664.26 грн
10+444.93 грн
100+317.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R055CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 178W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+712.46 грн
10+549.06 грн
50+479.33 грн
100+398.28 грн
500+361.41 грн
1000+313.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R060C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 162W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+712.46 грн
26+549.06 грн
50+479.33 грн
100+398.28 грн
500+361.41 грн
1000+313.06 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.43 грн
10+405.92 грн
50+324.80 грн
100+280.37 грн
500+278.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+368.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R060C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 162W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+445.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+251.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+368.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+527.02 грн
10+365.94 грн
50+356.38 грн
100+282.43 грн
500+240.94 грн
1000+216.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 164W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+527.02 грн
39+365.94 грн
50+356.38 грн
100+282.43 грн
500+240.94 грн
1000+216.90 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
на замовлення 12425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+481.26 грн
10+310.90 грн
50+245.50 грн
100+210.65 грн
500+184.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+282.62 грн
10+256.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1
Код товару: 208315
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 164W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+182.57 грн
3000+170.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R070CFD7Infineon TechnologiesInfineon HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R070CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 15.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+197.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R070CFD7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R070CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+334.73 грн
500+317.05 грн
1000+299.37 грн
10000+271.63 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R070CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R070CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+584.48 грн
10+375.40 грн
100+311.10 грн
500+255.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R070CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R070CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.057 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R070CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R070CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 15.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+509.48 грн
10+330.97 грн
50+262.65 грн
100+225.87 грн
500+215.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R070CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+584.48 грн
38+375.40 грн
100+311.10 грн
500+255.56 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R070CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R070CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.057 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+207.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R080P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 129W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+239.26 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 37A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+288.32 грн
14000+264.73 грн
21000+247.61 грн
28000+226.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+486.48 грн
10+333.74 грн
100+249.23 грн
500+213.74 грн
1000+191.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+207.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R080P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 129W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+486.48 грн
43+333.74 грн
100+249.23 грн
500+213.74 грн
1000+191.08 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 37A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+395.04 грн
10+253.38 грн
50+198.89 грн
100+170.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R090CFD7Infineon TechnologiesInfineon HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R090CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+395.04 грн
10+253.23 грн
100+181.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R090CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R090CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+246.33 грн
500+233.37 грн
1000+220.40 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R090CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R090CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 124W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R090CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R090CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R090CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 124W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 38A D2PAK-2 CoolMOS C6
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+259.13 грн
3000+257.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+484.40 грн
10+314.29 грн
50+248.90 грн
100+213.84 грн
500+201.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+259.45 грн
3000+257.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+186.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+287.87 грн
10+283.15 грн
25+278.53 грн
100+264.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+283.15 грн
51+278.53 грн
100+264.13 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R099C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+497.14 грн
40+358.70 грн
100+264.12 грн
500+232.27 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+497.14 грн
10+358.70 грн
100+264.12 грн
500+232.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]