Продукція > IPB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB65R099CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R099CFD7AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB65R099CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 127W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm | на замовлення 611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R099CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 260000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R099CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R099CFD7AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB65R099CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 127W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm | на замовлення 611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R099CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R099CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | на замовлення 795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R099CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R110CFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 31.2A D2PAK-2 CoolMOS CFD2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R110CFD | Infineon | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPB65R110CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V | на замовлення 1244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R110CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R110CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R110CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R110CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R110CFD7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB65R110CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.088 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 114W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R110CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R110CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R110CFD7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB65R110CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.088 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R110CFDA | Infineon | на замовлення 72000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPB65R110CFDA | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 474000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R110CFDAATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB65R110CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 277.8mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFDA productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm | на замовлення 1266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2 | на замовлення 514 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R110CFDAATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB65R110CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 277.8mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFDA productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm | на замовлення 1266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R110CFDAATMA1 Код товару: 220258
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R110CFDAATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 31.2A Power dissipation: 277.8W Case: D2PAK; TO263 On-state resistance: 99mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 118nC Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R110CFDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 282920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R110CFDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R110CFDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R110CFDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 31.2A Power dissipation: 277.8W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R110CFDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 291000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R110CFDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R110CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 31.2A D2PAK-2 CoolMOS CFD2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R110CFDATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R110CFDATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R110CFDATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R110CFDATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3 Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | на замовлення 1213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | на замовлення 826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | 650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R115CFD7AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | 650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | 650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | 650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | 650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A | на замовлення 100796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | 650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A | на замовлення 979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R115CFD7AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 114W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.103ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | 650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | 650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A | на замовлення 979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R125C7 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 75A D2PAK-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R125C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 75A D2PAK-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R125C7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R125C7ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R125C7ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R125C7ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R125C7ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R125C7ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R125C7ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R125CFD7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB65R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R125CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R125CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R125CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 462 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R125CFD7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB65R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 98W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R125CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA Power Dissipation (Max): 98W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R145CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R150CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 72A D2PAK-2 | на замовлення 842 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R150CFDA | Infineon | на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPB65R150CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R150CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 72A D2PAK-2 | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R150CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R150CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R150CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R150CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 1192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R150CFDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R150CFDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.4A; 195.3W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22.4A Power dissipation: 195.3W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R150CFDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R150CFDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R150CFDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R150CFDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R150CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 72A D2PAK-2 | на замовлення 999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R150CFDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 381000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R150CFDATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R150CFDATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB65R150CFDATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 195.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 195.3W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R150CFDATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R150CFDATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R150CFDATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB65R150CFDATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 195.3W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R150CFDATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R155CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R155CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R155CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 1618 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB65R190C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB65R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |