Продукція > IPD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R180P7SAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 72W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm | на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 9846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R180P7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 72W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 72W Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R180P7SAUMA1 Код товару: 201989
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R180P7SE8228AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R180P7SE8228AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R180P7SE8228AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CE | Infineon technologies | на замовлення 62 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO252-3 | на замовлення 47500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1443 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 4.3A DPAK-2 | на замовлення 2287 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V | на замовлення 7430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 61W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm | на замовлення 10764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.8A; 61W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Power dissipation: 61W Gate charge: 13nC Polarisation: unipolar Drain current: 6.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Case: DPAK; TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 61W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm | на замовлення 10764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER PG-TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 26W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm | на замовлення 1102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Verlustleistung Pd: 26W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 26W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm | на замовлення 1102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER PG-TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 3A; Idm: 8.8A Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.978Ω Mounting: SMD Pulsed drain current: 8.8A Power dissipation: 26W Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ PFD7 Drain current: 3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K4C6 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K4C6 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K4C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 3.2A DPAK-2 CoolMOS C6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_LEGACY | на замовлення 10057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K4C6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K4C6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R1K4C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.2 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 28.4W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm | на замовлення 5152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K4C6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R1K4C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.2 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 28.4W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm | на замовлення 5152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K4C6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 3.2A DPAK-2 CoolMOS C6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 3.1A DPAK-2 | на замовлення 760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V TO-252-3 | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5CEATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 600V TO-252-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V TO-252-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5CEAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 49W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Power dissipation: 49W Gate charge: 9.4nC Polarisation: unipolar Drain current: 5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Case: DPAK; TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5CEAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R1K5CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 49W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm | на замовлення 1497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 49W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V | на замовлення 75965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5CEAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R1K5CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 49W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm | на замовлення 1497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 5352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 49W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 93513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V Power Dissipation (Max): 22W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 31353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 1026 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 25790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5PFD7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 2.2A; Idm: 6A Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 2.892Ω Mounting: SMD Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 22W Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ PFD7 Drain current: 2.2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V Power Dissipation (Max): 22W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 18235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R210CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | IPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R210CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | IPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R210CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD60R210CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | IPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com | на замовлення 891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD60R210CFD7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R210CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 64W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm | на замовлення 748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |