Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+25.04 грн
569+24.93 грн
1000+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.07 грн
13+25.09 грн
100+16.78 грн
500+16.64 грн
1000+15.19 грн
2500+14.43 грн
5000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.93 грн
31+24.84 грн
100+21.96 грн
250+20.13 грн
500+18.89 грн
1000+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.50 грн
10+34.25 грн
100+24.83 грн
500+20.54 грн
1000+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
571+24.84 грн
623+22.77 грн
629+22.55 грн
644+21.25 грн
1000+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 571 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEInfineon technologies
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.96 грн
5000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.05 грн
5000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.79 грн
30000+18.99 грн
45000+17.68 грн
60000+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.54 грн
50+33.18 грн
100+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.18 грн
5000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 9946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.38 грн
11+29.02 грн
100+21.31 грн
500+15.30 грн
1000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.58 грн
10+34.22 грн
100+19.74 грн
500+15.05 грн
1000+13.60 грн
2500+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 213800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1757+20.18 грн
10000+17.99 грн
100000+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 1757 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 2.3A DPAK-2
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.25 грн
10+99.24 грн
100+61.72 грн
500+52.67 грн
1000+43.97 грн
2500+38.59 грн
5000+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3-313
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 400 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.88 грн
10+97.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
358+99.04 грн
500+89.14 грн
1000+82.21 грн
Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R360CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.295 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.25 грн
10+100.67 грн
100+93.43 грн
500+80.02 грн
1000+64.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3-313
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
358+99.04 грн
Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R360CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.295 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.295ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.43 грн
500+80.02 грн
1000+64.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.72 грн
10+87.79 грн
100+58.55 грн
500+42.93 грн
1000+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+148.39 грн
144+98.95 грн
206+68.99 грн
500+56.85 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 4125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.28 грн
10+82.56 грн
100+48.12 грн
500+37.97 грн
1000+34.72 грн
2500+31.20 грн
5000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
236+60.29 грн
Мінімальне замовлення: 236 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 6751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.66 грн
10+96.85 грн
100+65.25 грн
500+48.52 грн
1000+44.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
497+71.43 грн
552+64.29 грн
1000+59.29 грн
Мінімальне замовлення: 497 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.60 грн
16+49.82 грн
25+49.04 грн
100+46.54 грн
250+42.39 грн
500+40.02 грн
1000+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ P7
Gate-source voltage: ±20V
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.55 грн
500+42.93 грн
1000+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.26 грн
5000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
285+49.82 грн
290+49.04 грн
294+48.26 грн
299+45.78 грн
500+41.69 грн
1000+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SInfineon
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+105.84 грн
214+66.43 грн
222+63.98 грн
500+42.37 грн
1000+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1InfineonMOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 41W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 41W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.55 грн
203+69.98 грн
294+48.29 грн
500+36.90 грн
1000+31.20 грн
2500+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.67 грн
13+63.06 грн
100+41.64 грн
500+30.06 грн
1000+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 2361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.84 грн
10+59.46 грн
100+34.17 грн
500+26.58 грн
1000+24.23 грн
2500+21.47 грн
5000+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.87 грн
10+55.34 грн
100+36.54 грн
500+26.72 грн
1000+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.64 грн
500+30.06 грн
1000+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
752+47.16 грн
1000+43.51 грн
Мінімальне замовлення: 752 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
752+47.16 грн
1000+43.51 грн
Мінімальне замовлення: 752 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.19 грн
10+60.88 грн
100+40.38 грн
500+29.64 грн
1000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 41W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 41W
Case: DPAK3
On-state resistance: 702mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 29148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
752+47.16 грн
1000+43.51 грн
10000+38.78 грн
Мінімальне замовлення: 752 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.84 грн
500+32.16 грн
1000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.91 грн
36+21.08 грн
37+20.01 грн
100+18.23 грн
250+17.22 грн
500+16.94 грн
1000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 715mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ PFD7
Pulsed drain current: 24A
Gate-source voltage: ±20V
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.56 грн
12+71.68 грн
100+47.84 грн
500+32.16 грн
1000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+47.96 грн
300+47.25 грн
500+47.14 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.62 грн
10+76.45 грн
100+44.11 грн
500+34.72 грн
1000+31.69 грн
2500+28.37 грн
5000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.60 грн
1000+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.72 грн
10+70.60 грн
100+47.21 грн
500+34.88 грн
1000+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+21.08 грн
684+20.75 грн
695+20.42 грн
706+19.37 грн
718+17.64 грн
1000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
на замовлення 4889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+162.69 грн
10+102.41 грн
100+61.72 грн
500+52.33 грн
1000+45.22 грн
2500+41.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6Infineon
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.04 грн
5000+62.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.59 грн
5000+41.03 грн
7500+39.57 грн
12500+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+113.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.53 грн
31+24.76 грн
32+23.50 грн
100+21.41 грн
250+20.23 грн
500+19.89 грн
1000+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+98.22 грн
500+88.40 грн
1000+81.52 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
573+24.76 грн
582+24.37 грн
592+23.98 грн
601+22.75 грн
611+20.72 грн
1000+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 573 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 16922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.66 грн
10+97.45 грн
100+66.21 грн
500+49.60 грн
1000+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R380C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.41 грн
10+102.29 грн
100+78.37 грн
500+60.43 грн
1000+49.64 грн
5000+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.53 грн
5000+62.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.58 грн
10+104.79 грн
100+62.34 грн
500+49.43 грн
1000+45.36 грн
2500+41.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]