Продукція > STG

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STGW50NC60W
Код товару: 38440
2 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, V: 600 V
Напруга насичення Vce, V: 2,6 V
Струм колектора Ic при 25°C, A: 100 A
Струм колектора Ic при 100°C, A: 55 A
Розсіювана потужність Pd при 25°C, W: 285 W
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°C, ns: 52/31
у наявності: 29 шт
  • 20 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10 шт
  • 10 шт - очікується
1+132.00 грн
10+118.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H60DLFBSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 60A trench gate field-stop IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
1+509.65 грн
10+451.90 грн
25+371.35 грн
100+321.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H60DLFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247
Power - Max: 375 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 306 nC
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 626µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/160ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFSTMicroelectronicsIGBTs 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 350V 120A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+413.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 67ns/165ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 206 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 360 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+244.89 грн
73+195.74 грн
120+193.75 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.72 грн
10+209.12 грн
100+150.49 грн
600+128.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+175.95 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.66 грн
30+219.52 грн
120+182.27 грн
510+145.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+175.95 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB
Код товару: 175740
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFBSTMIGBT 650V 80A 375W TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+358.55 грн
3+294.37 грн
5+270.05 грн
10+237.34 грн
15+218.05 грн
30+193.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW60H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+374.72 грн
10+212.15 грн
100+175.57 грн
500+156.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.01 грн
30+194.24 грн
120+192.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB-4STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW60H65DFB-4 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+342.21 грн
5+317.01 грн
10+286.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB-4STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB-4STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 65ns/261ns
Switching Energy: 346µJ (on), 1.161mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+496.94 грн
10+324.18 грн
100+236.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DRFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DRFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 19 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 85ns/178ns
Switching Energy: 940µJ (on), 1.06mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 217 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 420 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DRFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 420W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 360W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+371.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 360W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+371.69 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65FSTMicroelectronicsIGBT Transistors 60A 650V FST IGBT Very High Switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 65ns/180ns
Switching Energy: 750µJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 217 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 360 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65F
Код товару: 113707
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65FBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW60H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+367.41 грн
10+207.28 грн
100+202.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65FBSTMicroelectronicsIGBTs 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.45 грн
30+202.86 грн
120+167.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65FB
Код товару: 112850
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65FBSTMIGBT 650V 80A 375W TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+160.86 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+353.59 грн
10+194.70 грн
100+139.34 грн
600+117.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns
Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 334 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.80 грн
30+171.74 грн
120+141.65 грн
510+112.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DF
Код товару: 107771
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, V: 600 V
Напруга насичення Vce, V: 2,15 V
Струм колектора Ic при 25°C, A: 80 A
Струм колектора Ic при 100°C, A: 60 A
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+195.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DFSTMIGBT Trench Field Stop 600V 80A 375W Through Hole TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DF
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+160.86 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW60V60DF - IGBT, 80 A, 1.85 V, 375 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+370.66 грн
10+206.46 грн
100+203.21 грн
500+186.43 грн
1000+169.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DLFSTMicroelectronicsDescription: IGBT BIPO 600V 60A TO247
Part Status: Active
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60FSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW60V60F - IGBT, 80 A, 1.85 V, 375 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 600V V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+336.52 грн
10+187.77 грн
100+174.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns
Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 334 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.93 грн
30+173.40 грн
120+143.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+156.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60FSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60FSTMicroelectronicsIGBTs 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+356.84 грн
10+196.30 грн
100+140.74 грн
600+118.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60F
Код товару: 166133
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+156.75 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+548.30 грн
10+539.43 грн
25+368.30 грн
100+335.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 71A
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+497.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+548.30 грн
27+539.43 грн
39+368.30 грн
100+335.78 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW75H65DFB2-4 - IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 115A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+455.19 грн
5+436.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 115A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/121ns
Switching Energy: 992µJ (on), 766µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 207 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 115 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 357 W
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+580.81 грн
30+325.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+290.26 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+501.43 грн
10+498.51 грн
25+351.04 грн
100+295.23 грн
250+248.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+287.12 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75M65DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW75M65DF2 - IGBT, 120 A, 1.65 V, 468 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+506.40 грн
10+310.51 грн
100+259.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns
Switching Energy: 690µJ (on), 2.54mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 468 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+470.29 грн
30+260.15 грн
120+217.69 грн
510+175.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+498.51 грн
41+351.04 грн
100+295.23 грн
250+248.77 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+473.89 грн
10+465.52 грн
25+258.48 грн
100+221.56 грн
250+212.50 грн
600+211.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW80H65DFB - IGBT, 120 A, 1.6 V, 469 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 469W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+447.88 грн
5+421.05 грн
10+394.23 грн
50+341.92 грн
100+292.62 грн
250+269.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+429.53 грн
30+235.01 грн
120+195.59 грн
510+156.44 грн
1020+146.54 грн
2010+143.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+569.14 грн
42+342.36 грн
60+271.28 грн
120+225.71 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB
Код товару: 164114
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
на замовлення 3761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.06 грн
10+250.79 грн
100+181.84 грн
600+163.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFBSTMIGBT 650V 120A 469W TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+327.85 грн
5+278.43 грн
10+261.66 грн
30+226.44 грн
120+214.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB-4STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+651.09 грн
10+435.07 грн
100+275.90 грн
600+267.54 грн
1200+252.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB-4STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+350.66 грн
1200+336.14 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB-4STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+350.66 грн
1200+336.14 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65FBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65FB-4STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65FB-4STMIGBT BIPO 650V 80A TO247-4 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65FB-4STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Exposed Pad
Packaging: Tube
Power - Max: 469 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Part Status: Active
Gate Charge: 448 nC
Test Condition: 400V, 80A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.10 грн
10+296.93 грн
30+270.49 грн
120+231.68 грн
270+222.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+749.61 грн
24+602.28 грн
50+530.38 грн
100+434.15 грн
200+385.16 грн
500+354.60 грн
1200+313.18 грн
2400+312.17 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80V60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW80V60DF - IGBT, 120 A, 1.85 V, 469 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+413.74 грн
5+365.78 грн
10+317.01 грн
50+246.81 грн
100+218.07 грн
250+207.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80V60DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate V series 600V 80A HiSpd
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80V60DFSTMIGBT 600V 120A 469W TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80V60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 469W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 448nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 240A
Power dissipation: 469W
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 120A 469W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 448 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80V60FSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+531.60 грн
10+471.12 грн
25+387.38 грн
100+335.12 грн
600+285.66 грн
1200+259.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW8M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+325.14 грн
10+178.67 грн
100+107.99 грн
600+103.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW8M120DF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW8M120DF3 - IGBT, Trench-Gate, 16 A, 1.85 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+291.81 грн
10+187.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]