Продукція > STG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STGW50H65DFB2-4STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50H65DFB2-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+346.21 грн
45+314.79 грн
46+310.31 грн
100+265.99 грн
500+233.65 грн
600+217.41 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50H65DFB2-4STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50HF60SSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 110A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/220ns
Switching Energy: 250µJ (on), 4.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Power - Max: 284 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50HF60SSTMicroelectronicsIGBT Transistors 60A 600V Very Low Drop IGBT 600Vces
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50HF60SSTMIGBT N-CH 600V 110A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50HF60SSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 110A 284000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+317.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50HF60SDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 110A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/220ns
Switching Energy: 250µJ (on), 4.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Power - Max: 284 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50HF60SDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 60A 600V Very Low Drop IGBT 600Vces
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50HF65SDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 60 A, 650 V, very low drop IGBT with soft and fast recovery diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50NB60H
на замовлення 14435 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50NB60M
Код товару: 152413
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50NB60MST
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50NC60WSTMicroelectronicsIGBTs Ultra fast series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50NC60W
Код товару: 38440
2 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,6 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 100 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 55 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 285 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 52/31
у наявності: 42 шт
  • 20 шт - склад
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+132.00 грн
10+118.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50NC60WSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/240ns
Switching Energy: 365µJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 390V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 195 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 285 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H60DLFBSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 60A trench gate field-stop IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H60DLFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/160ns
Switching Energy: 626µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFSTMicroelectronicsIGBTs 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 350V 120A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+413.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 67ns/165ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 206 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 360 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+141.81 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.56 грн
30+211.14 грн
120+175.07 грн
510+139.47 грн
1020+130.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFBSTMIGBT 650V 80A 375W TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW60H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 338 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+358.55 грн
3+294.37 грн
5+270.05 грн
10+237.34 грн
15+218.05 грн
30+193.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+254.76 грн
30+220.55 грн
120+216.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB
Код товару: 175740
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+256.63 грн
64+222.18 грн
120+218.34 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+141.81 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW60H65DFB-4 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB-4STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB-4STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB-4STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 65ns/261ns
Switching Energy: 346µJ (on), 1.161mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+530.64 грн
10+346.14 грн
100+252.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DRFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 420W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DRFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DRFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 19 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 85ns/178ns
Switching Energy: 940µJ (on), 1.06mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 217 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 420 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DRFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 420W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 420W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 217nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 360W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+377.35 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65F
Код товару: 113707
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 360W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+377.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65FSTMicroelectronicsIGBT Transistors 60A 650V FST IGBT Very High Switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 65ns/180ns
Switching Energy: 750µJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 217 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 360 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65FBSTMicroelectronicsIGBTs 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65FBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.10 грн
30+217.55 грн
120+180.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65FBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW60H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65FB
Код товару: 112850
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65FBSTMIGBT 650V 80A 375W TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns
Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 334 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+339.39 грн
30+182.00 грн
120+150.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DFSTMIGBT Trench Field Stop 600V 80A 375W Through Hole TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW60V60DF - IGBT, 80 A, 1.85 V, 375 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DF
Код товару: 107771
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,15 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 80 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 60 А
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+195.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DF
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+331.46 грн
5+224.76 грн
10+203.79 грн
30+175.28 грн
60+160.18 грн
120+155.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DLFSTMicroelectronicsDescription: IGBT BIPO 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60F
Код товару: 166133
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns
Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 334 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.53 грн
30+183.74 грн
120+151.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60FSTMicroelectronicsIGBTs 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60FSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+350.43 грн
10+263.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+190.58 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60FSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW60V60F - IGBT, 80 A, 1.85 V, 375 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 600V V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Pulsed collector current: 225A
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 71A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+497.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+548.30 грн
27+539.43 грн
39+368.30 грн
100+335.78 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW75H65DFB2-4 - IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 115A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+548.30 грн
10+539.43 грн
25+368.30 грн
100+335.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 115A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/121ns
Switching Energy: 992µJ (on), 766µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 207 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 115 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 357 W
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+597.27 грн
30+334.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+287.12 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75M65DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW75M65DF2 - IGBT, 120 A, 1.65 V, 468 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+498.51 грн
41+351.04 грн
100+295.23 грн
250+248.77 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns
Switching Energy: 690µJ (on), 2.54mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 468 W
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.78 грн
30+279.17 грн
120+233.61 грн
510+187.90 грн
1020+176.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+290.26 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+501.43 грн
10+498.51 грн
25+351.04 грн
100+295.23 грн
250+248.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.94 грн
30+239.87 грн
120+199.63 грн
510+159.67 грн
1020+149.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
на замовлення 3227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+582.43 грн
10+351.19 грн
25+350.69 грн
60+277.98 грн
120+227.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW80H65DFB - IGBT, 120 A, 1.6 V, 469 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 469W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB
Код товару: 164114
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+327.85 грн
5+278.43 грн
10+261.66 грн
30+226.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFBSTMIGBT 650V 120A 469W TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+588.70 грн
40+354.47 грн
60+280.98 грн
120+229.80 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.