Продукція > IXF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFN70N120SKIXYSDescription: SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN70N60Q2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 70A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN70N60Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN70N60Q2IXYSDiscrete Semiconductor Modules 70 Amps 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN70N60Q2Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN72N55Q2IXYSMOSFET Modules 72 Amps 550 V 0.07 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN72N55Q2IXYS72A/500V/MOS/1U
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN72N55Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN73N30
Код товару: 104352
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN73N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN73N30LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 73A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN73N30IXYSDiscrete Semiconductor Modules 300V 73A
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN73N30Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN73N30QIXYSDiscrete Semiconductor Modules 73 Amps 300V 0.042 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN73N30Q
Код товару: 155486
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN73N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN74N100XIXYSMOSFETs MBLOC 1KV 74A N-CH XCLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN74N100XIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 74A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 1170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN75N120SKIXYSDescription: SIC AND MULTICHIP DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 18mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN75N120SKLittelfuseMOSFET Modules MOSFET MINIBLOC single switch / SOT-227B
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN75N120SKIXYSDescription: SIC AND MULTICHIP DISCRETE
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4690.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N48IXYSDescription: MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN80N50 - MOSFET-Transistor, HiPerFET, n-Kanal, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 780W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50IXYSMOSFET Modules 500V 80A
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 80A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50
Код товару: 42690
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290090
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 25 V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4043.93 грн
10+2977.04 грн
100+2897.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 80A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50P
Код товару: 23719
Додати до обраних Обраний товар
IXYSТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: miniBLOC
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 65 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1270/195
Примітка: <200 ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 66A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V
на замовлення 3657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2913.15 грн
10+2089.17 грн
50+1784.25 грн
100+1650.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 66A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50PIXYSMOSFET Modules 500V 66A
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN80N50P. - MOSFET, MODULE, N-CH, 500V, 66A
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 700W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 700W
Produktpalette: PolarHV HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 72A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50Q2N-CH 500V 80A SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 72A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50Q2IXYSDiscrete Semiconductor Modules 80 Amps 500V 0.06 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50Q2IXYS80A/500V/MOS/1U
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 72A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50Q3IXYSMOSFET Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/63A
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 63A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50Q3MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/63A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N60P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN80N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 66 A, 0.077 ohm, SOT-227B, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 66
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 960
Bauform - Transistor: SOT-227B
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: Polar3 HiperFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3031.20 грн
10+2178.54 грн
50+1863.54 грн
100+1733.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N60P3
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N60P3IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 600V; 66A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Power dissipation: 960W
Case: SOT227B
On-state resistance: 77mΩ
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Pulsed drain current: 200A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N60P3IXYSMOSFET Modules Polar3 HiPerFET Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 66A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN82N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 600V 72A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN82N60PIXYSMOSFET Modules DIODE Id82 BVdass600
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN82N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 600V 72A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN82N60P
Код товару: 38016
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN82N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3181.09 грн
10+2301.42 грн
50+1989.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN82N60PMOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN82N60Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4683.88 грн
10+3466.15 грн
50+3197.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN82N60Q3MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN82N60Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 66A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN82N60Q3IXYSMOSFET Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/66A
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN90N170SKIXYSDescription: SICFET N-CH 1700V 90A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 36mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 376 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7340 pF @ 1000 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23197.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN90N170SKIXYSMOSFET MSFT SILICON CARBIDE MINI
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN90N30IXYSDiscrete Semiconductor Modules 90 Amps 300V 0.033 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN90N30IXYS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN90N30Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 300V 90A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN90N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN90N85XIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 850V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 180A
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 90A
Power dissipation: 1.2kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 41mΩ
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 180A
Technology: HiPerFET™; X-Class
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Polarisation: unipolar
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate charge: 340nC
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN90N85XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 850V 90A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13300 pF @ 25 V
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2805.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN90N85XIXYSDiscrete Semiconductor Modules 850V/90A Ultra Junction X-Class
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN90N85XLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN90N85X - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 90 A, 850 V, 0.041 ohm, 10 V, 5.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 850V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.2kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2kW
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN94N50P2IXYSMOSFET Modules MBLOC 500V 68A N-CH POLARP2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN94N50P2IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 500V; 68A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 68A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 780W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 55mΩ
Gate charge: 0.22µC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar2™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN94N50P2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 68A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN94N50P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 68A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP102N15TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 102A; 455W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 87nC
On-state resistance: 18mΩ
Drain current: 102A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 455W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP102N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 102A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+418.14 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP102N15TIXYSMOSFET 102 Amps 0V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N60PIXYSMOSFETs HiPERFET Id10 BVdass600
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N60PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP10N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.74 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.74
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N60PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 120ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+447.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N80PIXYSMOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+417.02 грн
50+246.80 грн
100+238.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+552.19 грн
10+361.15 грн
50+288.00 грн
100+248.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP110N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP110N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP110N15T2
Код товару: 113183
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP110N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP110N15T2IXYSMOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP12N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.5Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N50PIXYSMOSFETs HiPERFET Id12 BVdass500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N50PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N50PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N50PMIXYSMOSFET 6 Amps 500V 2 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 25 V
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.97 грн
10+256.89 грн
50+202.03 грн
100+173.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N65X2Ixys CorporationIXFP12N65X2
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+402.19 грн
41+347.95 грн
50+329.43 грн
100+302.35 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N65X2IXYSMOSFETs 650V/12A TO-220
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.