Продукція > DMN

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN33D8LV-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 1077000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
14+21.84 грн
100+11.02 грн
500+8.44 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 1077000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.83 грн
6000+5.36 грн
9000+4.64 грн
30000+4.27 грн
75000+3.54 грн
150000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 169863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
14+21.84 грн
100+11.02 грн
500+8.44 грн
1000+6.26 грн
2000+5.27 грн
5000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.82 грн
30000+4.55 грн
50000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.83 грн
6000+5.36 грн
9000+4.64 грн
30000+4.27 грн
75000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 77940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
14+21.84 грн
100+11.02 грн
500+8.44 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-13ADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-13ADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-13ADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT563 T&R 3K
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 74960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
14+22.44 грн
100+11.32 грн
500+9.41 грн
1000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.25 грн
6000+6.83 грн
9000+6.05 грн
30000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7ADIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN33D9LV-7A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7ADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 62900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
14+22.44 грн
100+11.32 грн
500+9.41 грн
1000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7ADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT563 T&R 3K
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7ADIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN33D9LV-7A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7ADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.25 грн
6000+6.83 грн
9000+6.05 грн
30000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.25 грн
20000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 27604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
21+14.43 грн
100+9.06 грн
500+6.32 грн
1000+5.61 грн
2000+5.01 грн
5000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.16 грн
28+14.87 грн
100+9.07 грн
250+7.57 грн
500+6.65 грн
1000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 5393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 7520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
21+14.43 грн
100+9.06 грн
500+6.32 грн
1000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.35 грн
6000+4.93 грн
9000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 pC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LV-13Diodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.43 грн
20000+3.01 грн
30000+2.86 грн
50000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LVQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 10K
на замовлення 19864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 56778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
25+11.97 грн
100+7.46 грн
500+5.17 грн
1000+4.58 грн
2000+4.08 грн
5000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
25+11.97 грн
100+7.46 грн
500+5.17 грн
1000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LVQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.10 грн
6000+3.55 грн
9000+3.35 грн
15000+2.93 грн
21000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404DIODES
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404LDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.94 грн
6000+5.38 грн
9000+4.81 грн
24000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7DiodesMOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3404L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 15 V
на замовлення 68141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
19+15.93 грн
25+13.19 грн
50+10.75 грн
100+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.03 грн
6000+4.59 грн
9000+4.35 грн
15000+4.11 грн
21000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
на замовлення 153964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3404L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 61745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 15 V
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.73 грн
9000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.94 грн
6000+5.38 грн
9000+4.81 грн
24000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 30V 5.8A 28mΩ 720mW DMN3404L-7 Diodes TDMN3404l
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7-50Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 720mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 383290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
14+21.99 грн
100+13.94 грн
500+9.82 грн
1000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404LQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K
на замовлення 46586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 381000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.22 грн
6000+7.20 грн
9000+6.83 грн
15000+6.03 грн
21000+5.80 грн
30000+5.58 грн
75000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 99548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
13+24.75 грн
100+14.84 грн
500+12.89 грн
1000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3730U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.46 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 710mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.93 грн
6000+8.24 грн
9000+7.42 грн
30000+6.86 грн
75000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730U-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K
на замовлення 35386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3730U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.46 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730UFB-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730UFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 3403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.83 грн
12+25.13 грн
100+17.10 грн
500+12.58 грн
1000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730UFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 2139000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.01 грн
6000+9.80 грн
9000+9.38 грн
15000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 2140288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.83 грн
12+25.13 грн
100+17.10 грн
500+12.58 грн
1000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730UFB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
на замовлення 4418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731UDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 27531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 8069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.53 грн
33+9.27 грн
100+5.74 грн
500+3.94 грн
1000+3.47 грн
2000+3.07 грн
5000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 31427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.42 грн
27+11.22 грн
33+9.24 грн
50+7.51 грн
100+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 8768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.88 грн
9000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.59 грн
6000+4.16 грн
9000+3.28 грн
24000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3731U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.46 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4262+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 4262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3731U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.46 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.2A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 668190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.75 грн
21+14.43 грн
100+7.04 грн
500+5.52 грн
1000+3.83 грн
2000+3.32 грн
5000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 660000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.83 грн
30000+2.67 грн
50000+2.40 грн
100000+2.00 грн
250000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 8265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731UFR4-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.