Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN3404L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 15 V
на замовлення 314000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.29 грн
6000+4.60 грн
9000+4.34 грн
15000+3.81 грн
21000+3.65 грн
30000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3404L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.53 грн
500+9.05 грн
1500+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.03 грн
6000+4.59 грн
9000+4.35 грн
15000+4.11 грн
21000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.94 грн
6000+5.38 грн
9000+4.81 грн
24000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3404L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.00 грн
50+22.47 грн
100+13.53 грн
500+9.05 грн
1500+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; 0.72W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.72W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 30V 5.8A 28mΩ 720mW DMN3404L-7 Diodes TDMN3404l
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7-50Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 720mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 381000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.22 грн
6000+7.20 грн
9000+6.83 грн
15000+6.03 грн
21000+5.80 грн
30000+5.58 грн
75000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404LQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 30A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404LQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 383290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
14+21.99 грн
100+13.94 грн
500+9.82 грн
1000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3730U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.46 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.92 грн
50+26.18 грн
100+14.01 грн
500+12.79 грн
1500+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730U-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K
на замовлення 35386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.24 грн
17+19.69 грн
100+11.11 грн
1000+8.56 грн
3000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.93 грн
6000+8.24 грн
9000+7.42 грн
30000+6.86 грн
75000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3730U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.46 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 710mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.01 грн
500+12.79 грн
1500+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 99548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
13+24.75 грн
100+14.84 грн
500+12.89 грн
1000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730UFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.83 грн
12+25.13 грн
100+17.10 грн
500+12.58 грн
1000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730UFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730UFB-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.87 грн
11+29.37 грн
100+17.74 грн
500+13.74 грн
1000+12.29 грн
3000+10.77 грн
6000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2140288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.83 грн
12+25.13 грн
100+17.10 грн
500+12.58 грн
1000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730UFB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
на замовлення 4418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.82 грн
20+15.96 грн
100+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2139000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.01 грн
6000+9.80 грн
9000+9.38 грн
15000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.20 грн
24+13.65 грн
100+5.04 грн
1000+4.07 грн
10000+3.24 грн
20000+3.11 грн
50000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731UDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 27531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+15.22 грн
36+9.05 грн
100+4.90 грн
500+3.59 грн
1000+2.62 грн
5000+2.55 грн
10000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.53 грн
33+9.27 грн
100+5.74 грн
500+3.94 грн
1000+3.47 грн
2000+3.07 грн
5000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4262+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 4262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.79 грн
6000+2.40 грн
9000+2.26 грн
15000+1.97 грн
21000+1.88 грн
30000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3731U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.46 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+16.83 грн
80+10.15 грн
127+6.35 грн
500+4.33 грн
1000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.59 грн
6000+4.16 грн
9000+3.28 грн
24000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 33329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.76 грн
36+8.38 грн
100+5.21 грн
500+3.57 грн
1000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 8768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+15.22 грн
36+9.05 грн
100+4.90 грн
500+3.59 грн
1000+3.18 грн
3000+2.49 грн
6000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3731U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.46 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.33 грн
1000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.2A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.2A 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 660000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.83 грн
30000+2.67 грн
50000+2.40 грн
100000+2.00 грн
250000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 8265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.32 грн
32+10.24 грн
100+5.59 грн
500+4.07 грн
1000+3.18 грн
5000+2.76 грн
10000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.2A 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 668190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.75 грн
21+14.43 грн
100+7.04 грн
500+5.52 грн
1000+3.83 грн
2000+3.32 грн
5000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731UFR4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V X2-DFN1010-3 T&R 5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731UFR4-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731UFR4-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 375000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731UFR4-7RDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1010-3 T&R 5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731UFR4-7RDiodes ZetexMOSFET BVDSS: 25V30V X2-DFN1010-3 T&R 5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732U-13Diodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732U-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 25V30V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732U-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 25V30V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732U-7Diodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UFB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006-3 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UFB4-7Diodes Zetex30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UFB4-7BDiodes Zetex30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8 pF @ 25 V
на замовлення 7777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.97 грн
22+13.76 грн
100+6.70 грн
500+5.25 грн
1000+3.64 грн
2000+3.16 грн
5000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006-3 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UFB4Q-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.23 грн
30000+3.06 грн
50000+2.75 грн
100000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UFB4Q-7BDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 4652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.45 грн
19+17.23 грн
100+9.53 грн
1000+4.21 грн
2500+3.73 грн
10000+2.76 грн
20000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UFB4Q-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8 pF @ 25 V
на замовлення 147252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
19+16.53 грн
100+8.05 грн
500+6.30 грн
1000+4.38 грн
2000+3.80 грн
5000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UQ-13Diodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 25V30V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UQ-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 25V30V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UQ-7Diodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UVT-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 25V30V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1.1A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UVT-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 25V30V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UVT-7Diodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UVTQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 25V30V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UVTQ-13Diodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.44 грн
15+22.15 грн
100+10.84 грн
500+7.39 грн
1000+5.59 грн
3000+4.49 грн
6000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UVTQ-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 25V30V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN38M1SCA10-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN3415
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1914pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN3415-10
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3900UFA-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3900UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 550 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.91 грн
30+27.06 грн
100+16.43 грн
500+11.44 грн
1000+7.25 грн
2500+6.83 грн
5000+6.58 грн
10000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3900UFA-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.55A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3900UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.2 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3900UFA-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3900UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 550 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 390mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.43 грн
500+11.44 грн
1000+7.25 грн
2500+6.83 грн
5000+6.58 грн
10000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3900UFA-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.55A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 740000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3900UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.2 pF @ 25 V
на замовлення 14073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
15+21.02 грн
100+13.32 грн
500+9.40 грн
1000+8.39 грн
2000+7.55 грн
5000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3900UFA-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.55A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3900UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 30V N-CH MOSFET
на замовлення 16289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.26 грн
17+19.69 грн
100+11.67 грн
500+9.32 грн
1000+6.08 грн
2500+5.94 грн
5000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN39M1LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V TO252 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.9A (Ta), 89.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2253 pF @ 15 V
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+36.80 грн
100+25.25 грн
500+18.78 грн
1000+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFGDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3537 pF @ 20 V
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.10 грн
10+50.18 грн
100+33.02 грн
500+24.05 грн
1000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 14.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3537 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V N-Ch Enh FET 20Vgs 19.2A 74nC
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+50.02 грн
100+28.65 грн
500+22.37 грн
1000+20.23 грн
3000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN4008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.4 A, 5500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.01 грн
15+56.38 грн
100+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]