Продукція > IPP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPP80N06S4L07AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
525+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 525 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S4L07AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S4L07AKSA2Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S4L07AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S4L07AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+83.82 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N07S405AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH TO220-3
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N07S405AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 75/80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S2-07Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S207AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 9400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+261.65 грн
500+248.69 грн
1000+234.55 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S207AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S207AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S2L-07Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS
на замовлення 474 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S2L07AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S2L07AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+226.71 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S2L07AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP80N08S2L07AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0051 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S2L07AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S2L07AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S2L07AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S406AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 92306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+127.79 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S406AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S406AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S406AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP80N08S406AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4-05Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -80A TO220-3
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P405AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L-04Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V 80A TO220-3 OptiMOS-P2
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L-07Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -80A TO220-3 OptiMOS-P2
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L04AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L04AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP80P03P4L04AKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0037 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 137
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L04AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L04AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+257.64 грн
10+208.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L04AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V 80A TO220-3 OptiMOS-P2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L04AKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IPP80P03P4L04AKSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L04AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.71 грн
50+118.06 грн
100+108.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L04AKSA2Infineon TechnologiesPower MOSFET Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L04AKSA2InfineonTrans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 IPP80P03P4L04AKSA2 IPP80P03P4L04 TIPP80p03p4l04
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+124.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L04AKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L04AKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 32650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+175.62 грн
500+157.94 грн
1000+146.15 грн
10000+125.02 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L07AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P04P4-05Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -80A TO220-3 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P04P4-07Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -80A TO220-3 OptiMOS-P2
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P04P407AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P04P4L-04Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -80A TO220-3 OptiMOS-P2
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P04P4L-06Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -80A TO220-3 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P04P4L-08Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -80A TO220-3 OptiMOS-P2
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P04P4L04AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P04P4L06AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P04P4L08AKSA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER-TRANSISTOR
на замовлення 13567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 512 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7Infineon TechnologiesDescription: IPP80R1K2 - 800V COOLMOS N-CHANN
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
480+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7InfineonN-Channel 800 V 4.5A (Tc) 37W (Tc) Through Hole PG-TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP80R1K2P7XKSA1 - IPP80R1K2 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 48280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 462 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+77.36 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP80R1K2P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 75775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+61.83 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K4P7Infineon TechnologiesDescription: IPP80R1K4 - 800V COOLMOS N-CHANN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K4P7InfineonTrans MOSFET N-CH 800V 4A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K4P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K4P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K4P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP80R1K4P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R280P7Infineon / IRMOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R280P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP80R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 101W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R360P7Infineon TechnologiesInfineon LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R360P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R360P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R360P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 84W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+196.68 грн
75+189.18 грн
100+182.76 грн
250+170.89 грн
500+153.93 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7Infineon / IRMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1InfineonN-channel, 800V, 11A, TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.05 грн
10+162.48 грн
100+116.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 73W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; Idm: 29A; 73W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 29A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+162.57 грн
4+135.02 грн
10+119.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+236.46 грн
87+163.46 грн
121+117.16 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R600P7Infineon TechnologiesDescription: IPP80R600 - 800V COOLMOS N-CHANN
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+69.43 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R600P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R600P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP80R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R600P7XKSA1
Код товару: 183982
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R600P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R750P7Infineon TechnologiesDescription: IPP80R750 - 800V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R750P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R750P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R750P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R750P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+74.20 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R750P7XKSA1Infineon Technologies800V CoolMOS P7 Power Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R900P7Infineon TechnologiesDescription: IPP80R900 - 800V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R900P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP80R900P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R900P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 10297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R900P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R900P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90N04S4-02Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 90A TO220-3 OptiMOS-T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]