Продукція > IPP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPP80P03P4L04AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.71 грн
50+118.06 грн
100+108.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L04AKSA2InfineonTrans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 IPP80P03P4L04AKSA2 IPP80P03P4L04 TIPP80p03p4l04
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+124.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L04AKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 32650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+175.62 грн
500+157.94 грн
1000+146.15 грн
10000+125.02 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L07AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P04P4-05Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -80A TO220-3 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P04P4-07Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -80A TO220-3 OptiMOS-P2
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P04P407AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P04P4L-04Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -80A TO220-3 OptiMOS-P2
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P04P4L-06Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -80A TO220-3 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P04P4L-08Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -80A TO220-3 OptiMOS-P2
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P04P4L04AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P04P4L06AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P04P4L08AKSA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER-TRANSISTOR
на замовлення 13567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 512 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7InfineonN-Channel 800 V 4.5A (Tc) 37W (Tc) Through Hole PG-TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7Infineon TechnologiesDescription: IPP80R1K2 - 800V COOLMOS N-CHANN
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
480+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 73775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+60.93 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.87 грн
100+100.96 грн
500+64.03 грн
1000+59.08 грн
2500+57.83 грн
5000+56.85 грн
10000+56.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP80R1K2P7XKSA1 - IPP80R1K2 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 48280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
462+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 462 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+77.36 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP80R1K2P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.42 грн
12+71.77 грн
100+55.84 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K4P7InfineonTrans MOSFET N-CH 800V 4A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K4P7Infineon TechnologiesDescription: IPP80R1K4 - 800V COOLMOS N-CHANN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K4P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP80R1K4P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.24 грн
10+125.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K4P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.65 грн
50+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K4P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.86 грн
10+115.38 грн
25+43.75 грн
100+42.99 грн
500+36.44 грн
1000+28.64 грн
2500+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R280P7Infineon / IRMOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R280P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP80R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 101W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+256.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.28 грн
50+98.74 грн
100+97.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.25 грн
10+101.76 грн
100+87.79 грн
500+87.09 грн
1000+76.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R360P7Infineon TechnologiesInfineon LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R360P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R360P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.30 грн
10+106.48 грн
100+104.86 грн
500+96.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R360P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V
на замовлення 5467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.66 грн
50+96.07 грн
100+88.15 грн
500+65.45 грн
1000+60.39 грн
2000+56.39 грн
5000+54.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.31 грн
10+141.95 грн
25+139.71 грн
100+106.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1InfineonN-channel, 800V, 11A, TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.02 грн
10+106.56 грн
100+83.61 грн
250+75.25 грн
500+66.89 грн
1000+57.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.91 грн
10+169.88 грн
100+128.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R600P7Infineon TechnologiesDescription: IPP80R600 - 800V COOLMOS N-CHANN
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+69.43 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R600P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R600P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.77 грн
10+63.46 грн
100+53.44 грн
500+53.37 грн
5000+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R600P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP80R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.56 грн
12+68.93 грн
100+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R600P7XKSA1
Код товару: 183982
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R750P7Infineon TechnologiesDescription: IPP80R750 - 800V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R750P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+72.62 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R750P7XKSA1Infineon Technologies800V CoolMOS P7 Power Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R750P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R750P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.19 грн
10+142.62 грн
500+104.51 грн
1000+103.81 грн
5000+103.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R750P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.86 грн
10+98.35 грн
100+78.36 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R900P7Infineon TechnologiesDescription: IPP80R900 - 800V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R900P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R900P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.16 грн
10+68.83 грн
100+54.76 грн
500+44.73 грн
1000+40.41 грн
2500+37.83 грн
5000+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R900P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP80R900P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.81 грн
12+70.47 грн
100+64.46 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R900P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 10047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+57.83 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90N04S4-02Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 90A TO220-3 OptiMOS-T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90N04S402AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90N06S4-04Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS-T2
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90N06S404AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90N06S404AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
397+52.37 грн
Мінімальне замовлення: 397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90N06S404AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90N06S4L04AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90N06S4L04AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R1K0C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 900V 5.7A TO220-3 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R1K0C3XKInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R1K0C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R1K0C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R1K2C3Infineon technologies
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R1K2C3Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 900V 5.1A TO220-3 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R1K2C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+102.30 грн
500+92.06 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R1K2C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R1K2C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R1K2C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+102.30 грн
500+92.06 грн
1000+84.91 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R1K2C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+102.30 грн
500+92.06 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R1K2C3XKSA1InfineonMOSFET N-CH 900V 5.1A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R1K2C3XKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R1K2C3XKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R1K2C3XKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IPP90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.00 грн
10+108.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R1K2C3XKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R1K2C3XKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.97 грн
500+81.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R1K2C3XKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R1K2C3XKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+81.09 грн
500+80.28 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R340C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 900V 10A TO220-3 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R340C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 900V 10A TO220-3 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R340C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R340C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+579.79 грн
10+530.46 грн
50+502.91 грн
100+290.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R340C3XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP90R340C3XKSA1 - IPP90R340 - 900V COOLMOS POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+217.03 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R340C3XKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R340C3XKSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 15A; 208W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 15A
Power dissipation: 208W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+297.14 грн
10+248.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R340C3XKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.31 грн
10+323.95 грн
100+262.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R500C3Infineon technologies
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R500C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 900V 11A TO220-3 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R500C3Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 740µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]