Продукція > DMP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMP4065S-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP4065S-7 - MOSFET, P-KANAL, -40V, -2.4A, SOT23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 720mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 60421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4065S-7 | Diodes | MOSFET 40V P-Ch Enh Mode 20Vgs 587pF 12.2nC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4065S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4065S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 153000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4065S-7 | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET P-CH 40V 2.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMP4065S-7 TDMP4065S-7 Diodes кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4065S-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 720mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 20 V | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4065S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4065S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4065S-7 | Diodes INC. | P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 2,4 А, Ptot, Вт = 0,72, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 587 @ 20, Qg, нКл = 12,2 @ 10 В, Rds = 80 мОм @ 4,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4065S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4065S-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3A; 0.72W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3A Power dissipation: 0.72W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 442 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4065S-7-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4065SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4065SK3-13 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4065SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K | на замовлення 1628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4065SQ | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4065SQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 3.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4065SQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4065SQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 720mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4065SQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 3.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4065SQ-13-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 3.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4065SQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4065SQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP4065SQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 2.4 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 720mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm | на замовлення 11965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4065SQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -2.7A; Idm: -20A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -2.7A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 12.2nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4065SQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 720mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 20 V | на замовлення 2797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP4065SQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 21174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4065SQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP4065SQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 2.4 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 720mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm | на замовлення 11965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4065SQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 720mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP4065SQ-7-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 3.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP45H150DHE-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP45H150DHE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 450 V, 250 mA, 40 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.9W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP45H150DHE-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -450V; -200mA; Idm: -0.45A; 13.9W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -450V Drain current: -0.2A Pulsed drain current: -0.45A Power dissipation: 13.9W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 150Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.8nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP45H150DHE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 450V 250MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 13.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.2 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP45H150DHE-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 251V-500V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP45H150DHE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP45H150DHE-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP45H150DHE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 450 V, 250 mA, 40 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.9W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP45H150DHE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 450V 250MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 13.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.2 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP45H21DHE-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP45H21DHE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 450 V, 600 mA, 13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP45H21DHE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 450V 600MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP45H21DHE-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -450V; -400mA; Idm: -1.2A; 8W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -450V Drain current: -400mA Pulsed drain current: -1.2A Power dissipation: 8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 21Ω Mounting: SMD Gate charge: 4.2nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP45H21DHE-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 251V-500V | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP45H21DHE-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP45H21DHE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 450 V, 600 mA, 13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP45H21DHE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 450V 600MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP45H21DHE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 450V 0.27A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP45H4D9HJ3 | DIODES INCORPORATED | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -450V; -3A; Idm: -22.4A; 41W; TO251 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -450V Drain current: -3A Pulsed drain current: -22.4A Power dissipation: 41W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.9Ω Mounting: THT Gate charge: 13.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 202 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP45H4D9HJ3 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 251V-500V | на замовлення 346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP45H4D9HJ3 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 25 V | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP45H4D9HJ3 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 450V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP45H4D9HK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564 pF @ 25 V | на замовлення 15466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP45H4D9HK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 450V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP45H4D9HK3-13 | Diodes | MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP45H4D9HK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564 pF @ 25 V | на замовлення 17803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP45H4D9HK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -450V; -3A; Idm: -12A; 41W; TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -450V Drain current: -3A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 41W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 13.7nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP45H4D9HK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 251V-500V | на замовлення 45000 шт: термін постачання 301-310 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP510DL-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V | на замовлення 170000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP510DL-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch Enh Mode FET 310mW -50Vdss 30Vgss | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP510DL-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP510DL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 310mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 10ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm | на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP510DL-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP510DL-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch Enh Mode FET 310mW -50Vdss 30Vgss | на замовлення 19255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP510DL-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP510DL-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP510DL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP510DL-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -130mA; Idm: -1.2A; 500mW Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±30V Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Case: SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Pulsed drain current: -1.2A Drain current: -0.13A | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP510DL-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V | на замовлення 37118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP510DL-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP510DL-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP510DL-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP510DL-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP510DL-7-50 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP510DLQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 520mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP510DLQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 520mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP510DLQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R 3K | на замовлення 2884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP510DLW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT323 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): ±20V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V | на замовлення 140000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP510DLW-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS, 41V to 60V SOT323 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP510DLW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 50V P-Channel Enhancement Mode Mosfet | на замовлення 7678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP510DLW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT323 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): ±20V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V | на замовлення 162000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP510DLW-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS, 41V to 60V SOT323 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP510DLW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP56D0UFB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP56D0UFB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP56D0UFB-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 425mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP56D0UFB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP56D0UFB-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-CH ENHANCEMENT 6Ohm -50V -200mA | на замовлення 9362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP56D0UFB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP56D0UFB-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 425mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP56D0UFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs P-CH ENHANCEMENT MODE MOSFET | на замовлення 111418 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP56D0UFB-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 425mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50.54 pF @ 25 V | на замовлення 9971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP56D0UFB-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP56D0UFB-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 425mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP56D0UFB-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 425mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50.54 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP56D0UFB-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP56D0UFB-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 425mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP56D0UV-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP56D0UV-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 50 V, 160 mA, 160 mA, 4.6 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP56D0UV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP56D0UV-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP56D0UV-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 50 V, 160 mA, 160 mA, 4.6 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP56D0UV-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch ENH -50V 6Ohm FET -4V Vgs -200mA | на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP56D0UV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP57D5UFB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 425mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 4 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP57D5UV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 400mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP58D0LFB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 180MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP58D0LFB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 X1-DFN1006-3 T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP58D0LFB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 180MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V | на замовлення 5723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP58D0LFB-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP58D0LFB-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP58D0SV | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP58D0SV-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.16A; 0.4W; SOT563; ESD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |