Продукція > DMP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 36 38  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP4065SQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23 T&R
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.2A, 10V
на замовлення 5736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
11+29.66 грн
100+20.58 грн
500+15.07 грн
1000+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4065SQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP4065SQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 2.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 720mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.88 грн
500+11.85 грн
1500+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4065SQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4065SQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23 T&R
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4065SQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 17598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.65 грн
14+24.60 грн
100+13.38 грн
500+9.55 грн
1000+9.48 грн
3000+9.13 грн
6000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4065SQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP4065SQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 2.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 720mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.37 грн
50+28.69 грн
100+17.88 грн
500+11.85 грн
1500+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4065SQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4065SQ-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 3.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H150DHE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP45H150DHE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 450 V, 250 mA, 40 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.52 грн
500+16.08 грн
1000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H150DHE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 251V-500V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H150DHE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 450V 250MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 13.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.2 pF @ 25 V
на замовлення 62566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
11+28.98 грн
100+20.24 грн
500+14.48 грн
1000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H150DHE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP45H150DHE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 450 V, 250 mA, 40 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.30 грн
24+34.30 грн
100+22.52 грн
500+16.08 грн
1000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H150DHE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 450V 250MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 13.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.2 pF @ 25 V
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.96 грн
5000+10.41 грн
7500+10.20 грн
12500+9.13 грн
17500+8.81 грн
25000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H21DHE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP45H21DHE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 450 V, 600 mA, 13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.67 грн
500+21.36 грн
1000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H21DHE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 450V 600MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003 pF @ 25 V
на замовлення 3518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+33.29 грн
100+22.82 грн
500+16.96 грн
1000+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H21DHE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP45H21DHE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 450 V, 600 mA, 13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.91 грн
18+45.44 грн
100+29.67 грн
500+21.36 грн
1000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H21DHE-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 251V-500V
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H21DHE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 450V 600MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H4D9HJ3Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H4D9HJ3Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 251V-500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H4D9HJ3Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 450V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H4D9HK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 251V-500V
на замовлення 30477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.97 грн
10+56.81 грн
25+49.33 грн
100+36.30 грн
500+29.82 грн
1000+25.71 грн
2500+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H4D9HK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564 pF @ 25 V
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+60.53 грн
100+40.12 грн
500+29.42 грн
1000+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H4D9HK3-13DiodesMOSFET P-CH 450V 4.7A TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H4D9HK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564 pF @ 25 V
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1660 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP510DL-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch Enh Mode FET 310mW -50Vdss 30Vgss
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP510DL-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V
на замовлення 170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.66 грн
30000+3.46 грн
50000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP510DL-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP510DL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 310mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 10ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.92 грн
112+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP510DL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP510DL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 37118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
24+12.68 грн
100+6.70 грн
500+5.17 грн
1000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP510DL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP510DL-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch Enh Mode FET 310mW -50Vdss 30Vgss
на замовлення 19255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.74 грн
34+9.61 грн
100+5.78 грн
500+4.60 грн
1000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP510DL-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP510DL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+17.07 грн
82+9.92 грн
112+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP510DL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6608+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6608 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP510DL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.65 грн
6000+3.18 грн
9000+3.10 грн
15000+2.89 грн
21000+2.88 грн
30000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP510DL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP510DL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP510DL-7-50Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP510DLQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5Ohm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP510DLQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5Ohm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP510DLQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R 3K
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.23 грн
21+15.54 грн
100+8.29 грн
500+5.92 грн
1000+5.23 грн
3000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP510DLW-13Diodes IncorporatedMOSFETs 50V P-Channel Enhancement Mode Mosfet
на замовлення 7678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.71 грн
36+9.05 грн
100+4.88 грн
500+3.62 грн
1000+2.79 грн
5000+2.37 грн
10000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP510DLW-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS, 41V to 60V SOT323 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP510DLW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): ±20V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.34 грн
30000+2.22 грн
50000+1.99 грн
100000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP510DLW-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP510DLW-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS, 41V to 60V SOT323 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP510DLW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): ±20V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.05 грн
6000+2.72 грн
9000+2.26 грн
30000+2.08 грн
75000+1.87 грн
150000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP56D0UFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP56D0UFB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP56D0UFB-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 425mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.94 грн
36+22.92 грн
100+12.11 грн
500+9.43 грн
1000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP56D0UFB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP56D0UFB-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 425mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.11 грн
500+9.43 грн
1000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP56D0UFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
13+24.61 грн
100+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP56D0UFB-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-CH ENHANCEMENT 6Ohm -50V -200mA
на замовлення 9362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.50 грн
18+18.03 грн
100+8.22 грн
1000+6.76 грн
3000+5.36 грн
9000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP56D0UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50.54 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 425mW (Ta)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP56D0UFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs P-CH ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 111418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.80 грн
18+18.43 грн
100+8.43 грн
1000+6.83 грн
2500+6.13 грн
10000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP56D0UFB-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP56D0UFB-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 425mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.32 грн
41+20.24 грн
100+9.67 грн
500+8.38 грн
1000+6.87 грн
5000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP56D0UFB-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP56D0UFB-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 425mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.67 грн
500+8.38 грн
1000+6.87 грн
5000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP56D0UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Power Dissipation (Max): 425mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50.54 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
на замовлення 9971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
15+20.30 грн
100+12.91 грн
500+9.10 грн
1000+8.12 грн
2000+7.30 грн
5000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP56D0UV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP56D0UV-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 50 V, 160 mA, 160 mA, 4.6 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.58 грн
47+17.64 грн
100+9.27 грн
500+8.23 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP56D0UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP56D0UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP56D0UV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP56D0UV-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 50 V, 160 mA, 160 mA, 4.6 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.27 грн
500+8.23 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP56D0UV-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch ENH -50V 6Ohm FET -4V Vgs -200mA
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.52 грн
13+24.68 грн
100+9.68 грн
1000+7.52 грн
3000+6.13 грн
9000+5.64 грн
24000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP57D5UFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 425mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP57D5UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D0LFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 50V 180MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
на замовлення 5723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
19+16.76 грн
100+10.60 грн
500+7.42 грн
1000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D0LFB-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 X1-DFN1006-3 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D0LFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 50V 180MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D0LFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D0LFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D0SVDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D0SV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D0SV-7Diodes IncorporatedMOSFET PMOS-Dual
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D0SV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.16A; 0.4W; SOT563; ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D1LV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D1LV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 50V 0.22A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
15+20.91 грн
100+10.58 грн
500+8.10 грн
1000+6.01 грн
2000+5.06 грн
5000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D1LV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 50V 0.22A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.63 грн
30000+4.37 грн
50000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D1LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 50V 0.22A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.60 грн
6000+5.15 грн
9000+4.46 грн
30000+4.10 грн
75000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D1LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 50V 0.22A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
15+20.91 грн
100+10.58 грн
500+8.10 грн
1000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D1LV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D1LVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 50V 0.22A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D1LVQ-13Diodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D1LVQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 3K
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.34 грн
15+21.39 грн
100+10.59 грн
500+7.11 грн
1000+5.43 грн
3000+4.46 грн
6000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D1LVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 50V 0.22A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.58 грн
6000+5.14 грн
9000+4.44 грн
30000+4.09 грн
75000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6018LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.19 грн
5000+50.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6018LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6018LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V
на замовлення 12413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.71 грн
10+96.24 грн
100+76.61 грн
500+60.83 грн
1000+51.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6018LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.41 грн
10+113.44 грн
100+77.71 грн
500+58.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6018LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6018LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 0.013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.14 грн
10+127.62 грн
100+96.73 грн
500+75.03 грн
1000+63.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6018LPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 8301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+162.57 грн
10+102.56 грн
100+61.10 грн
500+48.56 грн
1000+45.84 грн
2500+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6018LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.31 грн
5000+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7A/18.2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+52.61 грн
100+34.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LE-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch 60V Enh Mode 145W 20Vgs 2569pF
на замовлення 20703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.16 грн
10+34.21 грн
100+23.90 грн
500+22.85 грн
1000+20.90 грн
2500+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7A/18.2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LE-13 - MOSFET, P-KANAL, -60V, -18.2A, SOT223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.66 грн
50+46.01 грн
100+35.85 грн
500+28.53 грн
1000+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 36 38  [ Наступна Сторінка >> ]