Продукція > Si7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI7748DP-T1-E3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7748DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7748DP-T1-GE3
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7748DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7748DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIRC10DP-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7758DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 60A 104W 2.9mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7758DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7758DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7758DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7772DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7772DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7772DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7772DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7774DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
на замовлення 4517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7774DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7774DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
на замовлення 4517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7784DP-T1
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7784DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7784DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7784DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7788DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7788DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7788DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7788DP-T1-GE3VISHAY0828+
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7788DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7790DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7790DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7790DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7790DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 50A 69W 4.5mohm @ 10V
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7792DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30 Volts 60 Amps 104 Watts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7792DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4735 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.6A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7802DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7802DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7802DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7802DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7802DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7802DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7804
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7804BDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7804DN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7804DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7804DN-T1-E3VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7804DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET RECOMMENDED ALT SIS412DN-T1-GE3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7804DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7804DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7804DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 10A 3.5W 18.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7804DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7806ADNvishay09+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7806ADN-T-E1VISHAY
на замовлення 579 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7806ADN-T1
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7806ADN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7806ADN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 14A 0.011Ohm
на замовлення 4448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7806ADN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 40038 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7806ADN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7806ADN-T1-E3-PBF
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7806ADN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 14A 3.7W 11mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7806ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7806ADP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7806BDN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 797 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7806DNVISHAI01+
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7806DN-T1-E3VISHAY06NOPB
на замовлення 13004 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7810QFN
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7810DNVISHAY09+
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7810DN-T1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7810DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7810DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.11 грн
10+93.13 грн
100+63.00 грн
500+47.01 грн
1000+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7810DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7810DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7810DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7810DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 54434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7810DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7810DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 24967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7810DN-T1-GE3
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7810DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7812DNVISHAY09+
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7812DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7812DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 35 V
на замовлення 4461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.45 грн
10+129.77 грн
100+89.36 грн
500+67.63 грн
1000+62.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7812DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7812DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7812DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7812DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 75V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 29859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7812DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 7.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7812DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 35 V
на замовлення 46288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.58 грн
10+127.15 грн
100+87.54 грн
500+66.25 грн
1000+62.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7812DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 75V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 44792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7812DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 7.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.12 грн
10+156.47 грн
25+154.91 грн
100+116.79 грн
250+107.06 грн
500+86.57 грн
1000+72.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7812DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 35 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.49 грн
6000+54.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7814QFN
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 3471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+158.08 грн
10+140.56 грн
25+140.42 грн
100+104.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.96 грн
10+100.29 грн
100+68.08 грн
500+50.96 грн
1000+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.14 грн
10+89.02 грн
100+69.26 грн
500+55.09 грн
1000+44.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 66472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7820DN-T1
на замовлення 2701 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7820DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7820DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.08 грн
10+105.22 грн
100+84.18 грн
500+67.35 грн
1000+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7820DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 36  [ Наступна Сторінка >> ]