Продукція > DXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DXTN07025BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 25V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07025BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 3A POWERDI3
Power - Max: 900 mW
Frequency - Transition: 240MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
на замовлення 15475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+37.21 грн
100+24.05 грн
500+17.26 грн
1000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07025BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07025BFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07045DFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07045DFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
на замовлення 8875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07045DFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07060BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
на замовлення 1512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07060BFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 900mW; PowerDI®3333-8
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.9W
Case: PowerDI®3333-8
Pulsed collector current: 6A
Mounting: SMD
Frequency: 175MHz
Quantity in set/package: 2000pcs.
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07060BFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN07060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.1 W, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07060BFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07060BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07060BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07060BFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN07060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.1 W, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07060BFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 10668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
11+29.13 грн
100+19.87 грн
500+14.67 грн
1000+13.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BFG-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.54 грн
4000+12.02 грн
6000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 2A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+42.04 грн
100+27.51 грн
500+19.93 грн
1000+18.04 грн
2000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BP5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V NPN TRANSISTOR 3.2W Ic 2A Icm 6A
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 2A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 740 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BP5Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.20 грн
10000+19.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BP5Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BP5Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+51.48 грн
100+35.63 грн
500+27.95 грн
1000+23.78 грн
2000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07100BP5Q-13Diodes ZetexDXTN07100BP5Q-13
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 4A UDFN2020-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.81 грн
9000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 4A UDFN2020-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+35.40 грн
25+29.53 грн
50+24.27 грн
100+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBWQ-7Diodes Inc./ZetexТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBWQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, WDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: WDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBWQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.02 грн
6000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBWQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBWQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, WDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: WDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBWQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 11445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
11+28.00 грн
100+20.92 грн
500+15.42 грн
1000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
на замовлення 21980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
10+38.72 грн
100+26.91 грн
500+19.72 грн
1000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Power - Max: 1.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.85 грн
6000+14.49 грн
10000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
10+34.80 грн
100+24.09 грн
500+18.89 грн
1000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 1.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.84 грн
6000+14.45 грн
10000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 198MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Power - Max: 1.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Frequency - Transition: 198MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 198MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 1.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Frequency - Transition: 198MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.84 грн
6000+14.45 грн
10000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 198MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 198MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
10+34.80 грн
100+24.09 грн
500+18.89 грн
1000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN26070CYDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN26070CY-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 70V NPN Transistor 2A Bipolar BJT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN26070CY-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 70V 2A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.34 грн
5000+8.26 грн
7500+7.89 грн
12500+7.01 грн
17500+6.77 грн
25000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN26070CY-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 70V 2A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 63890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
15+21.28 грн
100+14.38 грн
500+10.52 грн
1000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PD-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+41.06 грн
100+26.79 грн
500+19.40 грн
1000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PD-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PDQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.30 грн
10+49.97 грн
100+32.96 грн
500+24.06 грн
1000+21.84 грн
2500+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PSQ-13Diodes ZetexNPN Low Sat Medium Power Transistor Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PSQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PSQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PSQ-13
Код товару: 220151
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PSQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+36.53 грн
100+23.71 грн
500+17.08 грн
1000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PS-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PS-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PS-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PSQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 46979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.35 грн
10+36.15 грн
100+23.48 грн
500+16.92 грн
1000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PSQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.91 грн
5000+13.18 грн
7500+12.58 грн
12500+11.17 грн
17500+10.80 грн
25000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PSQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 60V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN58100CFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN58100CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Power - Max: 690 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
10+31.70 грн
100+22.05 грн
500+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN58100CFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 1.25W; U-DFN2020-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.25W
Case: U-DFN2020-3
Pulsed collector current: 6A
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN58100CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5820DFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5820DFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Power - Max: 690 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.46 грн
6000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5820DFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 6A; 1.25W; U-DFN2020-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 6A
Power dissipation: 1.25W
Case: U-DFN2020-3
Pulsed collector current: 8A
Mounting: SMD
Frequency: 80MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5820DFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
10+30.42 грн
100+21.15 грн
500+15.50 грн
1000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5840CFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 5A; 1.25W; U-DFN2020-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 5A
Power dissipation: 1.25W
Case: U-DFN2020-3
Pulsed collector current: 7A
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5840CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 5A UDFN2020-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.85 грн
6000+11.36 грн
9000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5840CFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN5840CFDB-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 1.25 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5840CFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5840CFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN5840CFDB-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 1.25 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5840CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 5A UDFN2020-3
Power - Max: 690 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 30mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+32.46 грн
100+20.94 грн
500+15.01 грн
1000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5860DFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 8998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+34.19 грн
100+22.08 грн
500+15.84 грн
1000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5860DFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5860DFDB-7Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.56 грн
6000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5860DFDB-7Diodes Zetex60V NPN Low Saturation Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5860DFDB-7Diodes Zetex60V NPN Low Saturation Transistor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN69060CE-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor SOT223 T&R 1K
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN69060CFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3.5A POWERDI3
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 900 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 150mA, 5.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
на замовлення 21210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.89 грн
100+24.63 грн
500+17.76 грн
1000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN69060CFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN69060CFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3.5A POWERDI3
Power - Max: 900 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 150mA, 5.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.14 грн
4000+14.24 грн
6000+13.58 грн
10000+12.04 грн
14000+11.63 грн
20000+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN78030DFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN78060DFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.