Продукція > FDB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDB045AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.84 грн
10+215.16 грн
100+152.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0ONS/FAIMOSFET N-CH 75V 90A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+271.35 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel UltraFET
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.92 грн
10+190.53 грн
100+131.16 грн
500+115.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+181.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+158.19 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+180.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0-F085onsemi / FairchildMOSFET 75V N-CHAN PwrTrench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+248.06 грн
500+235.07 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+248.06 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+248.06 грн
500+235.07 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0-F085ConsemiDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Channel UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+426.43 грн
100+405.17 грн
500+383.91 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10FSCTO263 10+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 375
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+129.15 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10onsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+336.66 грн
10+224.67 грн
100+138.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+233.47 грн
100+214.57 грн
250+205.68 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.76 грн
10+185.10 грн
100+152.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB050AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.03 грн
10+177.54 грн
100+142.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB050AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 245W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.15 грн
10+151.41 грн
100+110.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB050AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.92 грн
10+117.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB050AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB050AN06A0fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB050AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 245W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB050AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB050AN06A0onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 3847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.34 грн
10+148.46 грн
100+89.74 грн
500+82.84 грн
800+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB060AN08A0onsemi / FairchildMOSFETs Discrete Auto N-Ch PowerTrench
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.58 грн
10+150.05 грн
100+114.60 грн
500+104.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB060AN08A0fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB060AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+339.39 грн
10+216.51 грн
100+153.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB060AN08A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 255W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.06 грн
10+217.46 грн
100+184.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB060AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+368.36 грн
44+329.14 грн
45+320.36 грн
100+250.78 грн
250+228.74 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB060AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB060AN08A0onsemiMOSFETs Discrete Auto N-Ch PowerTrench
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.06 грн
10+211.97 грн
100+132.55 грн
500+116.67 грн
800+104.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB060AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+125.78 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB060AN08A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 255W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+184.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB060AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+368.36 грн
10+329.14 грн
25+320.36 грн
100+250.78 грн
250+228.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0630N1507Lonsemi / FairchildMOSFETs 150V 7L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+468.74 грн
10+332.64 грн
100+232.64 грн
500+209.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0630N1507LonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9895 pF @ 75 V
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+568.50 грн
10+372.14 грн
100+272.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0630N1507LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; Idm: 720A; 300W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 97nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 720A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0630N1507LonsemiMOSFETs 150V 7L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+587.13 грн
10+393.77 грн
100+246.45 грн
500+232.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0630N1507LONN
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0630N1507LonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9895 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0690N1507LonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8775 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0690N1507LonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8775 pF @ 75 V
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+477.63 грн
10+309.32 грн
100+224.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0690N1507Lonsemi / FairchildMOSFETs 150V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB069AN04C0-BINZ
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB070AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+106.65 грн
1600+98.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB070AN06A0onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PT 6V 8A 7mOhm
на замовлення 18746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.76 грн
10+108.76 грн
800+94.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB070AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 6646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.79 грн
10+185.55 грн
100+131.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB070AN06A0-F085onsemi / FairchildMOSFET N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 695 шт:
термін постачання 788-797 дні (днів)
2+261.75 грн
10+232.61 грн
100+165.68 грн
500+140.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB070AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB
на замовлення 65024800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB070AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB
на замовлення 24800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB070AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15AONN
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15AONSEMIDescription: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+270.73 грн
250+245.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+237.39 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15Aonsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+364.85 грн
10+261.98 грн
100+177.42 грн
500+176.04 грн
800+164.30 грн
4800+162.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+443.55 грн
10+342.62 грн
100+274.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15AONSEMIDescription: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+542.03 грн
10+360.82 грн
50+326.19 грн
100+270.73 грн
250+245.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+264.65 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+295.31 грн
500+279.96 грн
1000+264.60 грн
10000+239.20 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15AonsemiMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+490.49 грн
10+321.53 грн
100+226.43 грн
500+200.89 грн
800+178.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+443.60 грн
42+342.66 грн
100+274.44 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.30 грн
10+253.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.53 грн
10+302.89 грн
100+219.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+264.68 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+325.75 грн
300+323.52 грн
800+300.18 грн
1600+288.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A-F085ONN
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB075N15A-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 333
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: FDB PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+393.84 грн
10+343.90 грн
100+290.75 грн
500+229.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A-F085onsemi / FairchildMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET 150V, 110A, 5.5mohm
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+333.43 грн
10+295.33 грн
100+211.24 грн
500+178.80 грн
800+162.92 грн
2400+156.71 грн
4800+155.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A-F085ConsemiDescription: MODULE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A-F085CON SemiconductorFDB075N15A-F085C
на замовлення 31309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+230.34 грн
500+218.53 грн
1000+205.54 грн
10000+186.81 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A_SN00284onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB082N15Aonsemi / FairchildMOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.97 грн
10+354.87 грн
100+241.62 грн
250+240.93 грн
500+236.79 грн
800+229.88 грн
2400+219.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB082N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB082N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB082N15AonsemiMOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+525.92 грн
10+353.28 грн
100+234.03 грн
500+229.19 грн
800+220.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB082N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.38 грн
10+326.15 грн
100+248.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB082N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB088N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6595 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.15 грн
10+160.87 грн
100+128.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB088N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6595 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB088N08onsemi / FairchildMOSFETs NCH 75V 8.8Mohm
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.21 грн
10+153.22 грн
100+95.96 грн
500+80.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB10AN06A0fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB10AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]