Продукція > HN1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
HN1A01FU-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1A01FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 25944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+16.09 грн
84+9.75 грн
136+6.02 грн
500+3.77 грн
1500+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: PNP + PNP BIPOLAR TRANSISTOR, -5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1A01FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.73 грн
500+6.15 грн
1000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1A01FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+25.12 грн
46+17.96 грн
100+10.73 грн
500+6.15 грн
1000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR/D1GTOSHIBA09+
на замовлення 21018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GRTE85LSOT363-D1GTOSHIBA
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR\D1GTOSHIBASOT-363
на замовлення 18100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-YTOSHIBA
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR PNP US6-PLN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR PNP US6-PLN
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR PNP US6-PLN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y(TE85L)TOSHIBASOT363-D1Y
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y(TE85L) SOT363TOSHIBA
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y(TE85L) SOT363-DTOSHIBA
на замовлення 4212 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y(TE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
34+9.06 грн
100+5.60 грн
500+3.85 грн
1000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LFToshibaBipolar Transistors - BJT US6 PLN TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
на замовлення 8184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
на замовлення 5658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 5891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
25+12.53 грн
100+7.84 грн
500+5.44 грн
1000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1A01FU-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.45 грн
500+5.32 грн
1000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1A01FU-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+21.70 грн
56+14.63 грн
100+8.45 грн
500+5.32 грн
1000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-YTE85LSOT363-D1YTOSHIBA
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU/D1GTOSHIBA
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FWGTOSHIBASOT363
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1AO1F-Y
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FTOSHIBA
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01F-GRTOSHIBA09+
на замовлення 48018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01F-GR(TE85L,FToshibaBipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP NPN SM6, -50V, -0.15A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 106-115 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01F-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01F-VTOSHIBASOT26/SOT363
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01F-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01F-Y(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP NPN SM6, -50V, -0.15A
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01F-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01F-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1onsemiBipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - HN1B01FDW1T1 - HN1B01FDW1T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 17980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16030+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 16030 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1onsemiDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-74
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 380mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1onsemiDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 380mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-74
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
на замовлення 17980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17980+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 17980 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1GON Semiconductor
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.87 грн
1000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 380mW 6-Pin SC-74 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.53 грн
6000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1GFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Active
на замовлення 48182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7474+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 7474 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 380mW 6-Pin SC-74 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+4.24 грн
24000+3.99 грн
30000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual Complementary
на замовлення 5575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.40 грн
67+12.27 грн
106+7.74 грн
500+4.87 грн
1000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 380mW 6-Pin SC-74 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.53 грн
6000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FUTOSHIBASOT-363
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GRTOSHIBA09+
на замовлення 90018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR(TE85L.F)TOSHIBASOT-363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
на замовлення 5430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
25+12.23 грн
100+6.20 грн
500+4.75 грн
1000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B01FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.78 грн
500+5.49 грн
1000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B01FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+22.35 грн
56+14.63 грн
100+8.78 грн
500+5.49 грн
1000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR.T5R.FTOSHIBA5
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-YTOSHIBA09+
на замовлення 75418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y SOT363-1AY PBTOSHIBA
на замовлення 6227 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y(L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y(L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y(TE85L)SOT363-1AYPB-FREETOSHIBA
на замовлення 54227 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y(TE85L,F)TOSHIBASOT26/SOT363
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
25+12.23 грн
100+6.20 грн
500+4.75 грн
1000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
на замовлення 5962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B01FU-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.44 грн
109+7.46 грн
500+5.07 грн
1000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B01FU-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.02 грн
66+12.44 грн
109+7.46 грн
500+5.07 грн
1000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FTOSHIBA
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04F(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04F(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE
на замовлення 5827 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE(TR3S0NY.F)TOSHIBASOT463-1DG PB-FR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE(TR3S0NY.F) SOT4TOSHIBA
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LFToshibaX34 PB-F ES6 PLN (LF) TRANSIST
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
17+18.42 грн
100+9.75 грн
500+6.02 грн
1000+4.09 грн
2000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
на замовлення 129045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FE-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 100mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 31526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+14.71 грн
85+9.67 грн
250+4.34 грн
1000+3.24 грн
2000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FE-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 100mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 31526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.34 грн
1000+3.24 грн
2000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
на замовлення 7762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FE-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 100mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.43 грн
500+12.60 грн
1000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FE-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 100mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.53 грн
28+30.08 грн
100+19.43 грн
500+12.60 грн
1000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-Y,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
на замовлення 31693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-Y,LFToshibaTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 100mW 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-Y,LFToshibaTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 100mW 6-Pin ES T/R
на замовлення 6908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+4.53 грн
248+3.05 грн
250+3.02 грн
255+2.85 грн
260+2.59 грн
500+2.44 грн
1000+2.39 грн
3000+2.34 грн
6000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
12+25.59 грн
100+17.75 грн
500+13.01 грн
1000+10.57 грн
2000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-Y,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FE-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 100mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.43 грн
500+12.60 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]