Продукція > IDK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IDK06G65C5XTMA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A PGTO2632
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.04 грн
10+138.05 грн
100+102.67 грн
500+82.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK06G65C5XTMA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A PGTO2632
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.54 грн
2000+66.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK06G65C5XTMA2Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 4934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDK06G65C5XTMA2INFINEONDescription: INFINEON - IDK06G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.73 грн
500+70.80 грн
1000+54.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK06G65C5XTMA2Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G120C5XTMA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 1.2KV 22.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+311.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G120C5XTMA1Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G120C5XTMA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 1.2KV 22.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+353.40 грн
42+338.22 грн
50+325.33 грн
100+303.07 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G120C5XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IDK08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.93 грн
10+186.14 грн
100+179.64 грн
500+160.01 грн
1000+142.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G120C5XTMA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIC 1.2KV 22.8A PGTO26321
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 22.8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.99 грн
10+208.92 грн
100+146.63 грн
500+112.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G120C5XTMA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 1.2KV 22.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+268.92 грн
10+264.67 грн
25+260.43 грн
100+247.13 грн
250+225.03 грн
500+212.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G120C5XTMA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 1.2KV 22.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+268.92 грн
54+264.67 грн
55+260.43 грн
100+247.13 грн
250+225.03 грн
500+212.39 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G120C5XTMA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIC 1.2KV 22.8A PGTO26321
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 22.8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+115.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G120C5XTMA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 1.2KV 22.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G120C5XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IDK08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+179.64 грн
500+160.01 грн
1000+142.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G65C5XTMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IDK08G65C5XTMA1 - IDK08G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
euEccn: TBC
hazardous: true
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+172.32 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G65C5XTMA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO263-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G65C5XTMA2INFINEONDescription: INFINEON - IDK08G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+262.55 грн
10+172.32 грн
100+120.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G65C5XTMA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A PGTO2632
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.44 грн
10+163.49 грн
100+114.52 грн
500+95.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G65C5XTMA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A PGTO2632
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G65C5XTMA2INFINEONDescription: INFINEON - IDK08G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G65C5XTMA2Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDK09G65C5XTMA1Infineon TechnologiesDiode Schottky 650V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+252.23 грн
500+241.62 грн
1000+228.65 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK09G65C5XTMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IDK09G65C5XTMA1 - IDK09G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
euEccn: TBC
hazardous: true
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+174.76 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK09G65C5XTMA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 9A PGTO2632
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.6 mA @ 650 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+177.83 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK09G65C5XTMA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 9A PGTO2632
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.6 mA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK09G65C5XTMA2Infineon Technologies5th Generation SiC Schottky Diode
на замовлення 8199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+236.90 грн
500+227.47 грн
1000+214.51 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK09G65C5XTMA2Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDK09G65C5XTMA2Infineon Technologies5th Generation SiC Schottky Diode
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+236.90 грн
500+227.47 грн
1000+214.51 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK09G65C5XTMA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 9A PGTO2632
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.6 mA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G120C5Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G120C5XTMA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIC 1.2KV 31.9A PGTO26321
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 525pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 31.9A
Supplier Device Package: PG-TO263-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.20 грн
10+209.83 грн
100+149.25 грн
500+131.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G120C5XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 165W
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: PG-TO263-2
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Leakage current: 22µA
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 84A
Power dissipation: 165W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G120C5XTMA1Infineon TechnologiesIDK10G120C5XTMA1 | 1200 V Silicon Carbide Schottky diode Package TO-263 real 2pin Qualification Industrial
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G120C5XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IDK10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 31.9 A, 41 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 31.9A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+185.33 грн
500+142.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G120C5XTMA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIC 1.2KV 31.9A PGTO26321
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 525pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 31.9A
Supplier Device Package: PG-TO263-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G120C5XTMA1Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G120C5XTMA1Infineon TechnologiesIDK10G120C5XTMA1 | 1200 V Silicon Carbide Schottky diode Package TO-263 real 2pin Qualification Industrial
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G120C5XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IDK10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 31.9 A, 41 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 31.9A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+386.91 грн
10+260.11 грн
100+185.33 грн
500+142.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 650V; 10A; 89W
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Case: PG-TO263-2
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Leakage current: 2µA
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 71A
Power dissipation: 89W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IDK10G65C5XTMA1 - IDK10G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
euEccn: TBC
hazardous: true
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+216.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2632
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.7 mA @ 650 V
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+224.08 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2632
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.7 mA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA2Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 7508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA2INFINEONDescription: INFINEON - IDK10G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+127.62 грн
500+111.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA2Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2632
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
на замовлення 21207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.71 грн
10+187.19 грн
100+132.22 грн
500+113.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA2Infineon Technologies5th Generation thinQ SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA2INFINEONDescription: INFINEON - IDK10G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.24 грн
10+162.57 грн
100+127.62 грн
500+111.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2632
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+105.15 грн
2000+99.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA2Infineon Technologies5th Generation thinQ SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5XTMA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5XTMA1Infineon TechnologiesDescription: RECTIFIER DIODE
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+231.03 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5XTMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IDK12G65C5XTMA1 - IDK12G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
euEccn: TBC
hazardous: true
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+234.10 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5XTMA2Infineon TechnologiesRectifier Diode Schottky 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5XTMA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO2632
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5XTMA2Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5XTMA2INFINEONDescription: INFINEON - IDK12G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.03 грн
10+236.54 грн
100+167.45 грн
500+135.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5XTMA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO2632
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.47 грн
10+214.66 грн
100+152.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5XTMA2INFINEONDescription: INFINEON - IDK12G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+167.45 грн
500+135.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK1312P50XGA4E-ESAdvantechDisplay Modules 12" LED panel 500N XGA(G) with PCT, opt
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK16G120C5XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IDK16G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+465.76 грн
50+353.99 грн
100+311.44 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK16G120C5XTMA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 40A TO263-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+583.16 грн
10+381.39 грн
100+279.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDK16G120C5XTMA1Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDK16G120C5XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IDK16G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+699.05 грн
5+494.21 грн
10+465.76 грн
50+353.99 грн
100+311.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK16G120C5XTMA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 40A TO263-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK20G120C5Infineon TechnologiesInfineon SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK20G120C5XTMA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIC 1.2KV 56A PGTO26321
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1050pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: PG-TO263-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 123 µA @ 1200 V
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+501.64 грн
10+299.65 грн
100+287.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDK20G120C5XTMA1Infineon TechnologiesRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK20G120C5XTMA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIC 1.2KV 56A PGTO26321
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1050pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: PG-TO263-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 123 µA @ 1200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+247.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK20G120C5XTMA1Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
на замовлення 3621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDK20G120C5XTMA1Infineon TechnologiesRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK20G120C5XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IDK20G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 56 A, 82 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 82nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 56A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+625.08 грн
5+534.04 грн
10+442.19 грн
50+363.05 грн
100+290.53 грн
250+284.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK20G120C5XTMA1InfineonDiode Silicon Carbide Schottky 1200V 56A (DC) Surface Mount PG-TO263-2-1 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK73K222BL-IH
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDK73K324L-28IH
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDKI-2312R-HMA1EAdvantechDisplay Modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3