Продукція > NVB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVBG075N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+452.94 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG075N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 1552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG080N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 179W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+549.67 грн
50+494.74 грн
100+452.55 грн
250+447.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG080N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG080N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+792.36 грн
5+671.01 грн
10+549.67 грн
50+494.74 грн
100+452.55 грн
250+447.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+758.63 грн
10+506.67 грн
100+428.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG080N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1592.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG089N65S3FonsemiMOSFETs SF3 FRFET AUTO 89MOHM D2PAK 7L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG089N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO, 89MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 970µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3598 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+324.35 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG089N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO, 89MOHM, D2PAK 7L
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3598 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 970µA
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 18.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+695.87 грн
10+462.42 грн
100+382.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG095N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 12A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 956 pF @ 325 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+384.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG095N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG095N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,70mohm,650V Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG095N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 956 pF @ 325 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 12A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+792.73 грн
10+530.03 грн
100+452.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG095N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+537.79 грн
10+350.94 грн
100+256.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG095N65S3FonsemiMOSFETs SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK 7L
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG095N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG1000N170M1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 14.6A; 25W
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 1.8Ω
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 14.6A
Power dissipation: 25W
Drain-source voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG1000N170M1onsemiDescription: SIC 1700V MOS 1O IN TO263-7L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+546.31 грн
10+350.79 грн
25+305.26 грн
100+238.13 грн
250+214.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG1000N170M1onsemiDescription: SIC 1700V MOS 1O IN TO263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+226.73 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG1000N170M1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG110N65S3FonsemiMOSFETs SF3 FRFET AUTO 110MOHM D2PAK 7L
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1038.99 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1158.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1130.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1114.22 грн
10+1103.10 грн
25+1093.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+857.82 грн
10+574.51 грн
100+461.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13.7A; Idm: 78A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13.7A
On-state resistance: 0.365Ω
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 33.8nC
Power dissipation: 68W
Pulsed drain current: 78A
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 19.5A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 19.5
hazardous: false
usEccn: Unknown
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
euEccn: Unknown
Verlustleistung: 136
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1103.10 грн
25+1093.01 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1432.03 грн
10+1158.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+391.75 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG190N65S3FonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET SU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS1D2N08HonsemiMOSFET Power MOSFET, 80 V, 1.2 mohm, 353 A, Single N-Channel D2PAK-7L (Pb-Free)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS1D2N08HonsemiDescription: T8-80V IN SUZHOU D2PAK7L FOR AUT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10830 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 259W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 290A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS4D1N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NVBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 0.0041 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+906.47 грн
50+774.56 грн
100+641.97 грн
250+628.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS4D1N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 20A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1435.38 грн
11+1294.32 грн
25+1277.06 грн
50+1150.08 грн
100+981.63 грн
250+922.80 грн
500+859.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS4D1N15MConsemiMOSFET MOSFET - Single N-Channel 150 V, 4.1 mohm, 185 A D2PAK7 (Pb-Free)
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS4D1N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS4D1N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NVBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 0.0041 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1221.48 грн
5+1063.98 грн
10+906.47 грн
50+774.56 грн
100+641.97 грн
250+628.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS4D1N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 20A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1435.38 грн
10+1294.32 грн
25+1277.06 грн
50+1150.08 грн
100+981.63 грн
250+922.80 грн
500+859.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS4D1N15MCON Semiconductor
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS4D1N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1354.54 грн
10+920.37 грн
25+820.47 грн
100+683.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS6D5N15MCONN
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS6D5N15MCON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 15/121A D2PAK-7
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS6D5N15MCON SemiconductorNVBGS6D5N15MC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS6D5N15MCON SemiconductorMOSFET PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR AUTOMOTIVE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBL099N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06CON Semiconductor
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 422 A, 900 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 422A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 284W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+566.54 грн
100+365.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1091.60 грн
16+928.95 грн
25+589.60 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06ConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+860.15 грн
10+576.59 грн
100+434.82 грн
500+393.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06ConsemiMOSFETs NFET TOLL 60V 1.0MO
на замовлення 4440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 422 A, 900 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 422A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 284W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+765.03 грн
10+566.54 грн
100+365.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06ConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+435.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1091.60 грн
10+928.95 грн
25+589.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04CTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 65A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04CTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 4700A; 97.4W
Mounting: SMD
Case: H-PSOF8L
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 570µΩ
Power dissipation: 97.4W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 4700A
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04CTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 198.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+666.19 грн
50+462.07 грн
100+375.28 грн
500+320.12 грн
1000+292.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 198.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04CTXGON Semiconductor
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04CTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 198.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+666.19 грн
50+462.07 грн
100+375.28 грн
500+320.12 грн
1000+292.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 198.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+685.02 грн
10+453.40 грн
100+344.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04CTXGonsemiMOSFETs T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.5 MOHMS MAX
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04M8TXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 296 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04M8TXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 296 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Bulk
на замовлення 3491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+204.43 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04M8TXGON SemiconductorMOSFET NMOS TOLL 40V 0.65
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04M8TXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 296 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04M8TXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS0D5N04M8TXG - MOSFET, N-CH, 40V, 300A, 175DEG C, 429W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+306.17 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D7N04M8TXGON SemiconductorMOSFET NMOS TOLL 40V 1.2
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D7N04M8TXGON Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D7N04M8TXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D7N04M8TXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D7N06ConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 470A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 314W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 661µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1018.23 грн
10+688.08 грн
100+523.29 грн
500+485.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D7N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 470
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 314
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 314
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 560
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D7N06CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D7N06ConsemiMOSFETs NFET TOLL 60V 0.75MO
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D7N06ConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 470A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 314W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 661µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D8N08XTXGonsemiDescription: T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D8N08XTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 457A 9-Pin(8+Tab) HPSOF T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D8N08XTXGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 213 A, 0.8 mohm
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D8N08XTXGonsemiDescription: T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.99 грн
10+356.84 грн
100+277.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D1N08HONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D1N08HonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+251.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D1N08HON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D1N08HON Semiconductor
на замовлення 438 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D1N08HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 351A; Idm: 900A; 156W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 351A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 156W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 166nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D1N08HonsemiMOSFETs T8-80V IN TOLL
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D1N08HonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+571.11 грн
10+375.64 грн
100+296.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D2N08XTXGonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 299A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8618 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.35 грн
10+283.33 грн
25+261.65 грн
100+223.13 грн
250+214.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D2N08XTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS1D2N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+242.69 грн
500+216.40 грн
1000+199.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D2N08XTXGonsemiMOSFETs T10 80V SG TOLL
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]