Продукція > NVM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVMFD5C466NT1GonsemiMOSFETs 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.22 грн
10+126.05 грн
100+86.79 грн
500+65.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NWFT1GonsemiMOSFETs 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+64.20 грн
3000+59.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLET1GonsemiDescription: T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.03 грн
10+63.85 грн
50+47.58 грн
100+39.74 грн
500+31.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLET1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLET1GonsemiDescription: T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+60.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.17 грн
10+121.14 грн
50+92.22 грн
100+77.78 грн
500+58.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 36A; Idm: 110A; 14W; DFN8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 11.5mΩ
Case: DFN8
Power dissipation: 14W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 110A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFET1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFET1GonsemiDescription: T6 40V LL S08FL DS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFET1GonsemiDescription: T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.30 грн
10+67.70 грн
50+50.60 грн
100+42.31 грн
500+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NT1GonsemiMOSFETs 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 36A; Idm: 108A; 14W; DFN8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 11.7mΩ
Case: DFN8
Power dissipation: 14W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 108A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.66 грн
10+106.42 грн
100+72.79 грн
500+54.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NWFT1GonsemiMOSFETs 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NWFT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 36A; Idm: 108A; 14W; DFN8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 11.7mΩ
Case: DFN8
Power dissipation: 14W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 108A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLT1GonsemiMOSFETs 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLT1GON SemiconductorMOSFET 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 2233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.76 грн
10+115.26 грн
50+87.71 грн
100+73.99 грн
500+59.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLWFT1GonsemiMOSFETs 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+52.79 грн
3000+47.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 187445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.66 грн
10+105.97 грн
100+72.28 грн
500+54.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C478NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.12 грн
10+116.54 грн
50+88.78 грн
100+74.91 грн
500+60.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C478NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+58.65 грн
3000+52.64 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 27A; Idm: 90A; 12W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27A
Power dissipation: 12W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 17 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NWFT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 27A; Idm: 90A; 12W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27A
Power dissipation: 12W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.82 грн
10+89.97 грн
100+66.07 грн
500+49.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 17 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.66 грн
3000+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLET1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 7690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLET1GonsemiDescription: T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 4288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.71 грн
10+129.82 грн
50+99.37 грн
100+84.04 грн
500+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLET1GonsemiDescription: T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+66.42 грн
3000+59.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+160.25 грн
3000+153.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.99 грн
10+268.78 грн
50+211.72 грн
100+181.45 грн
500+166.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1GonsemiMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+151.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C650NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 111 A, 111 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 111A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.47 грн
10+253.08 грн
100+181.98 грн
500+167.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 57.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 68A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 424094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.47 грн
10+194.36 грн
100+137.07 грн
500+105.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C668NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 68 A, 68 A, 0.0065 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 68A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 57.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 57.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GonsemiMOSFETs T6 60V S08FL DUAL
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 57.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 68A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 423000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+109.15 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V Automotive 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+126.27 грн
10+110.28 грн
25+107.79 грн
100+79.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 68A; Idm: 454A; 29W; DFN8
Mounting: SMD
Case: DFN8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 454A
Power dissipation: 29W
Gate charge: 21.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 68A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V S08FL DUAL
на замовлення 4196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.27 грн
25+68.61 грн
100+63.32 грн
250+57.27 грн
500+54.67 грн
1000+54.36 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLWFT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 68A; Idm: 454A; 29W; DFN8
Mounting: SMD
Case: DFN8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 454A
Power dissipation: 29W
Gate charge: 21.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 68A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V S08FL DUAL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.47 грн
10+155.18 грн
50+119.21 грн
100+100.99 грн
500+77.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C672NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 49 A, 49 A, 0.0119 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 49A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 45W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+80.41 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C672NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 49 A, 49 A, 0.0119 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 49A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0119ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 45W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.25 грн
10+150.54 грн
25+149.60 грн
100+124.25 грн
250+113.90 грн
500+97.23 грн
1000+96.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.58 грн
10+146.28 грн
50+112.36 грн
100+95.18 грн
500+77.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GonsemiMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+75.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+164.25 грн
94+150.54 грн
95+149.60 грн
110+124.25 грн
250+113.90 грн
500+97.23 грн
1000+96.37 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.49 грн
10+129.82 грн
50+99.28 грн
100+83.93 грн
500+67.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLT1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 8916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLWFT1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+57.71 грн
3000+52.48 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.81 грн
10+89.22 грн
100+72.32 грн
500+60.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLET1GonsemiDescription: T6 60V LL S08FL DS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLET1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLET1GonsemiDescription: T6 60V LL S08FL DS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.60 грн
10+120.46 грн
50+91.72 грн
100+77.38 грн
500+62.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.