Продукція > NVM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVMFD5C466NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+256.53 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 27325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+188.46 грн
10+119.88 грн
100+71.80 грн
500+58.33 грн
1000+56.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFET1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.00 грн
10+75.10 грн
100+43.77 грн
500+34.59 грн
1000+31.62 грн
1500+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFET1GonsemiDescription: DUAL NCHANNEL POWER MOSFET 40V,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.72 грн
10+70.75 грн
100+47.40 грн
500+35.10 грн
1000+32.08 грн
2000+29.55 грн
5000+26.36 грн
10000+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.21 грн
10+114.79 грн
25+113.64 грн
100+108.95 грн
250+100.30 грн
500+95.73 грн
1000+95.17 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C466NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 52 A, 52 A, 0.0074 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 52A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0074ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.18 грн
10+153.83 грн
100+107.12 грн
500+78.53 грн
1000+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.81 грн
10+154.02 грн
100+95.96 грн
500+81.46 грн
1000+73.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+123.21 грн
124+114.79 грн
125+113.64 грн
126+108.95 грн
250+100.30 грн
500+95.73 грн
1000+95.17 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+73.99 грн
3000+69.29 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C466NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 52 A, 52 A, 0.0074 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 52A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0074ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.12 грн
500+78.53 грн
1000+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.00 грн
10+141.65 грн
100+98.59 грн
500+79.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NT1GonsemiMOSFETs 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.72 грн
10+106.38 грн
100+66.27 грн
500+53.98 грн
1000+53.92 грн
1500+51.84 грн
3000+51.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NT1GON Semiconductor
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.48 грн
10+92.96 грн
100+67.14 грн
500+54.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.37 грн
10+124.89 грн
100+85.99 грн
500+65.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NWFT1GonsemiMOSFETs 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.41 грн
10+114.32 грн
100+71.80 грн
500+58.61 грн
1000+58.47 грн
1500+56.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+63.61 грн
3000+59.28 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLET1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.04 грн
10+58.99 грн
100+34.03 грн
500+26.85 грн
1000+24.23 грн
1500+22.23 грн
4500+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.82 грн
10+71.69 грн
100+51.71 грн
500+46.87 грн
1000+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.94 грн
10+80.70 грн
100+62.24 грн
500+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.79 грн
3000+44.22 грн
4500+43.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 36A; Idm: 110A; 14W; DFN8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 11.5mΩ
Case: DFN8
Power dissipation: 14W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 110A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFET1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.73 грн
10+67.56 грн
100+39.07 грн
500+30.58 грн
1000+24.78 грн
1500+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NT1GonsemiMOSFETs 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.15 грн
10+127.82 грн
100+75.94 грн
500+59.99 грн
1000+54.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 36A; Idm: 108A; 14W; DFN8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 11.7mΩ
Case: DFN8
Power dissipation: 14W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 108A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NT1GON Semiconductor
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NWFT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 36A; Idm: 108A; 14W; DFN8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 11.7mΩ
Case: DFN8
Power dissipation: 14W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 108A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NWFT1GonsemiMOSFETs 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+163.50 грн
10+107.97 грн
100+65.31 грн
500+52.40 грн
1000+51.36 грн
1500+46.05 грн
3000+43.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.08 грн
10+105.45 грн
100+72.12 грн
500+54.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.65 грн
10+101.56 грн
100+69.36 грн
500+52.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLT1GON SemiconductorMOSFET 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 2233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLT1GonsemiMOSFETs 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.50 грн
10+96.06 грн
100+63.44 грн
250+62.13 грн
500+52.53 грн
1000+49.70 грн
1500+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLWFT1GonsemiMOSFETs 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.59 грн
10+96.85 грн
100+64.82 грн
250+61.85 грн
500+51.50 грн
1000+48.12 грн
1500+45.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 187445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.08 грн
10+105.00 грн
100+71.62 грн
500+53.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+52.31 грн
3000+47.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C478NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.61 грн
10+101.48 грн
100+83.76 грн
500+57.51 грн
1000+45.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.14 грн
10+82.64 грн
100+68.80 грн
500+51.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 17 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NT1GON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C478NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.76 грн
500+57.51 грн
1000+45.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+48.94 грн
3000+45.22 грн
4500+44.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.25 грн
3000+41.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 17 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.58 грн
10+89.15 грн
100+65.47 грн
500+49.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLET1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 4517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.82 грн
10+134.17 грн
100+80.08 грн
500+64.68 грн
1000+56.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+142.68 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLT1GON Semiconductor
на замовлення 2633 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.11 грн
10+240.81 грн
100+172.84 грн
500+157.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.87 грн
10+250.76 грн
100+180.31 грн
500+165.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1GonsemiMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C650NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 111 A, 111 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 111A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+387.40 грн
10+272.22 грн
100+202.96 грн
500+160.79 грн
1000+145.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+150.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15.5A 8DFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 68A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3W (Ta), 57.5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 424094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.66 грн
10+192.58 грн
100+135.81 грн
500+104.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GonsemiMOSFETs T6 60V S08FL DUAL
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.73 грн
10+188.15 грн
25+158.78 грн
100+118.74 грн
250+118.05 грн
500+99.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15.5A 8DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 68A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3W (Ta), 57.5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 423000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+108.15 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V S08FL DUAL
на замовлення 4196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V Automotive 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+126.55 грн
10+110.53 грн
25+108.03 грн
100+79.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GON Semiconductor
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLWFT1GONN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.42 грн
25+68.76 грн
100+63.46 грн
250+57.40 грн
500+54.80 грн
1000+54.48 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V S08FL DUAL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C672NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 49 A, 49 A, 0.0119 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 49A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0119ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 45W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+248.06 грн
10+161.08 грн
100+114.37 грн
500+89.00 грн
1000+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.70 грн
10+126.69 грн
100+87.67 грн
500+69.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C672NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 49 A, 49 A, 0.0119 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 49A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 45W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+114.37 грн
500+89.00 грн
1000+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+65.33 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+65.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+164.62 грн
94+150.88 грн
95+149.93 грн
110+124.53 грн
250+114.15 грн
500+97.45 грн
1000+96.58 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.62 грн
10+150.88 грн
25+149.93 грн
100+124.53 грн
250+114.15 грн
500+97.45 грн
1000+96.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.92 грн
10+126.54 грн
100+87.58 грн
500+68.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GonsemiMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.55 грн
10+146.08 грн
100+102.17 грн
500+86.29 грн
1000+78.70 грн
1500+66.48 грн
3000+61.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]