Продукція > NXH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NXH300B100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel flying capacitor Boost 1000 V, 100 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2PGonsemiDescription: IGBT MOD 1118V 73A 194W 27-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 27-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10657.53 грн
12+8727.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2S1GonsemiIGBT Modules PIM 1500V 250KW Q2BOOST
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2S1GonsemiDescription: IGBT MOD 1118V 73A 194W 53-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9524.13 грн
36+7643.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1118V 73A 194W 53-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9753.79 грн
12+7861.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH300B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, PIM, 73 A, 1.8 V, 194 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 194W
Verlustleistung: 194W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 73A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 73A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2SG-RonsemiIGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST
на замовлення 36 шт:
термін постачання 126-135 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2SG-RonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 73A 194W 53-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16202.23 грн
12+14229.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300N95H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules 1500V 125KW I-NPC Q2 PACK STRING INVERTER SOLAR PIM
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2P1GonsemiIGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2P1GONSEMIDescription: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2P1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V
Dauer-Kollektorstrom: 303A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V
Verlustleistung Pd: 592W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 592W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 303A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2P1GonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 303A 276W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12475.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2P1G-RonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 303A 592W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18380.45 грн
12+15935.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2P1G-RonsemiIGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2PGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 303A 592W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2S1GonsemiIGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2S1GonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 303A 276W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12772.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2S1GONSEMIDescription: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2S1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V
Verlustleistung Pd: 592W
Verlustleistung: 592W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 303A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 303A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2S1G-RonsemiIGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
на замовлення 36 шт:
термін постачання 126-135 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2S1G-RonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 303A 592W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18849.96 грн
12+16405.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 303A 592W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2ESGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 35A 20MW 26-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.333 nF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2ESGonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 35A ENHANCE CIB
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2S1GonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 35A CI
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2S1GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.33 nF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2SGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Packaging: Bulk
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.33 nF @ 20 V
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+7032.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH35C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2SGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.33 nF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2SGonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 35A CIB
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35VB1000M10X33SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1000uF; 35VDC; Pitch: 5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 15mΩ
Dimensions: Ø10x33mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 1mF
Height: 33mm
Operating voltage: 35V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 10mm
Terminal pitch: 5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 10000h
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35VB1000M12.5X20SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1000uF; 35VDC; Pitch: 5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 17mΩ
Dimensions: Ø12.5x20mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 1mF
Height: 20mm
Operating voltage: 35V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 12.5mm
Terminal pitch: 5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 10000h
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35VB100M6.3X11SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 100uF; 35VDC; Pitch: 2.5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 94mΩ
Dimensions: Ø6.3x11mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 100µF
Height: 11mm
Operating voltage: 35V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 6.3mm
Terminal pitch: 2.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 6000h
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35VB2200M16X25SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 2200uF; 35VDC; Ø16x25mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 2.2mF
Operating voltage: 35V DC
Body dimensions: Ø16x25mm
Terminal pitch: 7.5mm
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Operating temperature: -40...105°C
Height: 25mm
Diameter: 16mm
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Impedance: 13mΩ
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.74 грн
9+49.98 грн
10+43.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35VB220M3.5TP8X11.5SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 220uF; 35VDC; Pitch: 3.5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 56mΩ
Dimensions: Ø8x11.5mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 220µF
Height: 11.5mm
Operating voltage: 35V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 8mm
Terminal pitch: 3.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 8000h
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.32 грн
85+4.95 грн
97+4.34 грн
103+4.09 грн
250+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35VB220M8X11.5SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 220uF; 35VDC; Pitch: 3.5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 56mΩ
Dimensions: Ø8x11.5mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 220µF
Height: 11.5mm
Operating voltage: 35V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 8mm
Terminal pitch: 3.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 8000h
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35VB470M10X16SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 470uF; 35VDC; Pitch: 5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 28mΩ
Dimensions: Ø10x16mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 470µF
Height: 16mm
Operating voltage: 35V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 10mm
Terminal pitch: 5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 10000h
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35VB47M5X11SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 47uF; 35VDC; Pitch: 2mm; ±20%
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 0.22Ω
Dimensions: Ø5x11mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 47µF
Height: 11mm
Operating voltage: 35V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 5mm
Terminal pitch: 2mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 6000h
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35VB680M10X25SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 680uF; 35VDC; Pitch: 5mm
Type of capacitor: electrolytic
Kind of capacitor: low ESR
Mounting: THT
Capacitance: 680µF
Operating voltage: 35V DC
Terminal pitch: 5mm
Tolerance: ±20%
Impedance: 18mΩ
Operating temperature: -40...105°C
Height: 25mm
Diameter: 10mm
Manufacturer series: NXH
Service life: 10000h
Dimensions: Ø10x25mm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670ADKNXP SemiconductorsBluetooth Development Tools - 802.15.1 NXH3670ADK
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670ADKNXP USA Inc.Description: NXH3670ADK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670SDKULNXP USA Inc.Description: NXH3670SDK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670SDKULNXP SemiconductorsBluetooth Development Tools - 802.15.1 NXH3670SDK 12NC: 935351521598
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670UK/A1ZNXPDescription: NXP - NXH3670UK/A1Z - Mikrocontroller, anwendungsspezifisch, Reihe NXH3670, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 128kB, 32MHz, WLCSP-34
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 1.26V
Datenbusbreite: 32 Bit
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Programmspeichergröße: 128KB
Übertragungsstrom: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Bauform - HF-IC: WLCSP
Betriebstemperatur, min.: -20°C
MCU-Core-Größe: 32bit
HF/IF-Modulation: GFSK
Frequenzgang HF, max.: 2.48GHz
RAM-Speichergröße: 96KB
Übertragungsrate: 2Mbps
Anwendungsbereiche MCU: Bluetooth Low Energy-Transceiver
ADC-Kanäle: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 2.402GHz
MCU-Familie: -
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: NXH3670
Produktpalette: -
usEccn: 3A991.a.2
Ausgangsleistung (dBm): 4dBm
Embedded-Schnittstelle: I2S, SPI, UART
HF-Primärfunktion: Transceiver
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
Frequenzgang HF, min.: 2.402GHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Datenbusbreite: 32bit
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
Bauform - MCU: WLCSP
Schnittstellen: I2S, SPI, UART
ADC-Auflösung: -
Versorgungsspannung, min.: 1.14V
CPU-Geschwindigkeit: 32MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
Frequenz, max.: 2.48GHz
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-Bluetooth-Low-Energy-Systeme
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: N
euEccn: NLR
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670UK/A1ZNXP USA Inc.Description: IC RF TXRX+MCU BLE 34WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 34-XFBGA, WLCSP
Sensitivity: -94dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.36GHz ~ 2.5GHz
Memory Size: 96kB RAM, 128kB ROM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Power - Output: 4dBm
Protocol: Bluetooth v4.1
Current - Receiving: 7mA
Data Rate (Max): 2Mbps
Current - Transmitting: 10mA
Supplier Device Package: 34-WLCSP (2.87x2.45)
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: GPIO, I2S, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+806.55 грн
10+674.70 грн
25+639.18 грн
100+554.13 грн
250+526.77 грн
500+507.46 грн
1000+481.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670UK/A1ZNXP SemiconductorsRF Microcontrollers - MCU NXH3670UK/A1
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670UK/A1ZNXPDescription: NXP - NXH3670UK/A1Z - Mikrocontroller, anwendungsspezifisch, Reihe NXH3670, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 128kB, 32MHz, WLCSP-34
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: WLCSP
Ausgangsleistung (dBm): 4dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-Bluetooth-Low-Energy-Systeme
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 2.402GHz
Betriebstemperatur, min.: -20°C
Versorgungsspannung, min.: 1.14V
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
HF/IF-Modulation: GFSK
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Übertragungsrate: 2Mbps
Frequenzgang HF, max.: 2.48GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Frequenzgang HF, min.: 2.402GHz
Versorgungsspannung, max.: 1.26V
Frequenz, max.: 2.48GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670UK/A1ZNXP USA Inc.Description: IC RF TXRX+MCU BLE 34WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 34-XFBGA, WLCSP
Sensitivity: -94dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.36GHz ~ 2.5GHz
Memory Size: 96kB RAM, 128kB ROM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Power - Output: 4dBm
Protocol: Bluetooth v4.1
Current - Receiving: 7mA
Data Rate (Max): 2Mbps
Current - Transmitting: 10mA
Supplier Device Package: 34-WLCSP (2.87x2.45)
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: GPIO, I2S, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3675UK/A1ZNXP USA Inc.Description: NXH3675UK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3675UK/A1ZNXP SemiconductorsAudio DSPs NXH3675UK/A1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3675UK/A2ZNXP USA Inc.Description: NXH3675UK/A2Z
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3675UK/A2ZNXP SemiconductorsRF System on a Chip - SoC NXH3675UK/A2
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40.000AF20F-BK3
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400B100H4Q2F2PGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 164A 396W 50-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 50-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 164 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 396 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12687.7 pF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10293.84 грн
36+8377.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400B100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules N06NF Q2BOOST
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400B100H4Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 164A 396W 50-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 50-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 164 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 396 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12687.7 pF @ 20 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10293.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400B100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules N06NF Q2BOOST#1
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2PGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH400N100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Viererpack, 409 A, 1.77 V, 959 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 959W
Verlustleistung: 959W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 409A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 409A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2PGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 409A 959W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14830.56 грн
12+12840.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2PGONSEMICategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; SiC diode/transistor; Urmax: 1kV; Ic: 400A; PIM42
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Max. off-state voltage: 1kV
Collector current: 400A
Case: PIM42
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Technology: SiC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 409A 959W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14830.56 грн
12+12840.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH400N100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Viererpack, 409 A, 1.77 V, 959 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 959W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 959W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 409A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 409A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2SG-RonsemiIGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2SG-RonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 409A 959W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21706.96 грн
12+19929.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100L4Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 360A 980W 48-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 48-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 360 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 980 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.06 nF @ 20 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11743.11 грн
12+10354.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100L4Q2F2SGonsemiDiscrete Semiconductor Modules ESS 200KW PIM SOLDER PIN
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ0SNGonsemiMOSFET Modules 80KW GENII 1200V 80MOHM S
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ0SNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH40B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ0SNGonsemiDescription: IGBT MODULE 118W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Power - Max: 118 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.227 nF @ 20 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6008.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ1SNGonsemiDescription: 30KW Q1BOOST FULL SIC
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Triple, Dual - Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
Power - Max: 156 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.227 nF @ 800 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11886.55 грн
21+10721.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ1SNGonsemiMOSFET Modules 30KW Q1BOOST FULL SIC
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ1SNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH40B120MNQ1SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, ThreePack, Dreifach n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: ThreePack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Dreifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40T120L3Q1PGonsemiIGBT Modules 3TNPC Q1PACK PIM 1200V/40A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40T120L3Q1PGonsemiDescription: IGBT MOD 3TNPC Q1PACK 1200V/40
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Part Status: Active
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6221.14 грн
21+4858.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40T120L3Q1PTGonsemiIGBT Modules PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 40A 1200V PRESS-FIT PINS TIM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40T120L3Q1PTGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 42A 146W 44-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (71x37.4)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 146 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.753 nF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40T120L3Q1SGonsemiDescription: IGBT MODULE SUNGROW 20KW Q1PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Part Status: Active
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5960.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40T120L3Q1SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH40T120L3Q1SG - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 42 A, 1.85 V, 146 W, 175 °C, PIM
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 146W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 42A
Produktpalette: NXH40T120L3Q1
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 42A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40T120L3Q1SGonsemiIGBT Modules SUNGROW 20KW Q1PACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 101A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PGONSEMICategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; SiC diode/transistor; Urmax: 1kV; Ic: 450A; Press-Fit
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Max. off-state voltage: 1kV
Collector current: 450A
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Technology: SiC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WITH RUGGED ANTI-PARALLEL DIODES IN PRESS FIT PINS
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 101A 234W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10760.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PG-RonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 101A 234W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17221.19 грн
12+15268.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PG-RonsemiIGBT Modules 1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED WITH RUGGED ANTI-PARALLEL DIODES IN PRESS FIT PINS
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WITH SOLDER PINS
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 101A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2SGONSEMICategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 101A; PIM
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 101A
Type of semiconductor module: IGBT
Case: PIM
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+12903.46 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 101A 234W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10309.51 грн
12+8392.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2PGonsemiDescription: 650V 450A 3-LEVEL NPC INVERTER M
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 36-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8220.65 грн
10+6808.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2S1GonsemiIGBT Modules 120KW 1100V Q2PACK
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2S1GonsemiDescription: IGBT MOD 650V 167A 365W 40-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 40-PIM/Q2PACK (107.2x47)
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9300.74 грн
12+7873.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2SGonsemiIGBT Modules 136KW 650V Q2PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2SGonsemiDescription: 136KW 650V Q2PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 40-PIM/Q2PACK (107.2x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2SGON Semiconductor3-Level NPC Inverter IGBT Module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH500B100H7F5SHGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 210A 503W 58-PIM
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 240A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 58-PIM (112x62)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 210 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 503 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18488 pF @ 20 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15304.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH500B100H7Q2F2SHGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 209A 497W 50-PIM
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 240A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 50-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 209 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 497 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18488 pF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9042.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50C120L2C2ES1GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 50A 20MW 26-DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.89 nF @ 20 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+6998.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50C120L2C2ES1GonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 50A CI
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.