Продукція > SIA

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIA432DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA432DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 8510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.04 грн
10+63.51 грн
100+38.73 грн
500+34.79 грн
1000+29.96 грн
3000+27.96 грн
6000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA432DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA432DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA432DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.02 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 4087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.86 грн
10+81.35 грн
100+53.08 грн
500+39.11 грн
1000+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA432DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.89 грн
10+60.28 грн
100+46.87 грн
500+37.28 грн
1000+30.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA432DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA433EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.018 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.34 грн
6000+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
на замовлення 8146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.15 грн
10+40.31 грн
100+27.89 грн
500+21.87 грн
1000+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 3295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+49.62 грн
100+29.34 грн
500+23.68 грн
1000+20.57 грн
3000+19.19 грн
6000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3.VISHAYDescription: VISHAY - SIA433EDJ-T1-GE3. - P CHANNEL MOSFET
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 3.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 12A; Idm: 50A; 19W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SC70
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 50A
Drain current: 12A
Drain-source voltage: 8V
Gate-source voltage: ±5V
Gate charge: 25.2nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 19W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA436DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 12 A, 9400 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
на замовлення 35785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.65 грн
50+59.52 грн
100+39.30 грн
500+28.64 грн
1500+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1508 pF @ 4 V
на замовлення 77386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.67 грн
10+42.33 грн
100+27.63 грн
500+19.99 грн
1000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 178022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.68 грн
10+41.44 грн
100+27.61 грн
500+21.81 грн
1000+17.47 грн
3000+16.84 грн
6000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA436DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 12 A, 9400 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
на замовлення 35785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.30 грн
500+28.64 грн
1500+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.11 грн
25+37.73 грн
100+30.50 грн
250+27.41 грн
500+23.80 грн
1000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1508 pF @ 4 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.30 грн
6000+15.35 грн
9000+14.68 грн
15000+13.08 грн
21000+12.66 грн
30000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T4-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T4-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1508 pF @ 4 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4371EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA4371EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.045 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.88 грн
500+11.59 грн
1000+9.53 грн
5000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4371EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4371EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA4371EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.045 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 15.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 17768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.97 грн
26+31.73 грн
100+20.38 грн
500+13.31 грн
1000+10.98 грн
5000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4371EDJ-T1-GE3VishaySIA4371EDJ-T1-GE3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4371EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SC70 P-CH 30V 6.4A
на замовлення 22497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.46 грн
12+27.23 грн
100+15.19 грн
500+11.53 грн
1000+10.29 грн
3000+9.32 грн
6000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4371EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
на замовлення 5510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
11+27.67 грн
100+16.61 грн
500+14.44 грн
1000+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA437DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 29.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 19W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
на замовлення 117145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.44 грн
500+23.48 грн
1000+19.61 грн
5000+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 223923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.18 грн
10+53.03 грн
100+30.31 грн
500+23.54 грн
1000+21.33 грн
3000+18.43 грн
6000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
на замовлення 22247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA437DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 29.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 19W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
на замовлення 117145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.18 грн
15+53.80 грн
100+35.44 грн
500+23.48 грн
1000+19.61 грн
5000+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA438EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA438EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 6.0A 11.4W 46mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA439EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA439EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA439EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V .0165Ohm@4.5V 28A P-Ch G-III
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA439EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 86277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.37 грн
14+23.18 грн
100+15.95 грн
500+13.25 грн
1000+11.94 грн
3000+8.77 грн
6000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.05 грн
25+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.44 грн
6000+14.90 грн
9000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.50 грн
14+21.84 грн
100+16.90 грн
500+13.74 грн
1000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 24126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
432+48.16 грн
Мінімальне замовлення: 432 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3
Код товару: 192984
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA440DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.026 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 32366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.79 грн
21+39.71 грн
100+25.53 грн
500+18.10 грн
1000+14.98 грн
5000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.80 грн
6000+12.36 грн
9000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.31 грн
6000+9.59 грн
9000+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA441DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.039 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 7473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.35 грн
500+22.81 грн
1500+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 20 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.30 грн
6000+14.45 грн
9000+13.82 грн
15000+12.30 грн
21000+11.90 грн
30000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA441DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.047 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 4298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.00 грн
50+48.16 грн
100+31.33 грн
500+24.01 грн
1500+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 111109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.69 грн
10+40.33 грн
100+22.85 грн
500+17.60 грн
1000+15.88 грн
3000+13.67 грн
6000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 20 V
на замовлення 32209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.79 грн
10+40.16 грн
100+26.17 грн
500+18.88 грн
1000+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3VishayMOSFET -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA442DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA442DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA442DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA443DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA443DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA443DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA443DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4446DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 20 V
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.93 грн
10+40.46 грн
100+28.00 грн
500+21.96 грн
1000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4446DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA4446DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 31 A, 0.011 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.08 грн
17+48.40 грн
100+32.38 грн
500+22.21 грн
1000+18.02 грн
5000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4446DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4446DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA4446DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 31 A, 0.011 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.38 грн
500+22.21 грн
1000+18.02 грн
5000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA444DJT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs Thin PowerPAK SC-70
на замовлення 5347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA444DJT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA444DJT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA445EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA445EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.90 грн
500+19.74 грн
1000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA445EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 10 V
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.79 грн
10+39.86 грн
100+26.02 грн
500+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA445EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA445EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.40 грн
20+41.72 грн
100+28.91 грн
500+22.44 грн
1000+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA445EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 8939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.94 грн
10+39.77 грн
100+23.61 грн
500+19.74 грн
1000+16.78 грн
3000+16.22 грн
6000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA445EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiA445EDJT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA445EDJT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiA445EDJT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
на замовлення 66877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.56 грн
11+30.01 грн
100+17.74 грн
500+13.53 грн
1000+12.01 грн
3000+10.42 грн
6000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiA445EDJT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
11+27.45 грн
100+19.11 грн
500+14.00 грн
1000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA445EDJT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA446DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 7.7 A, 0.145 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 7.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 19
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 46406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.96 грн
10+42.16 грн
100+24.71 грн
500+19.67 грн
1000+17.74 грн
3000+14.91 грн
6000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.27 грн
6000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+36.70 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.30 грн
6000+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.34 грн
6000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+39.79 грн
100+25.97 грн
500+18.78 грн
1000+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+36.70 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1042 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 5742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.94 грн
3000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.45 грн
6000+11.89 грн
9000+11.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]