Продукція > SQD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQD40081EL_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.32 грн
10+85.35 грн
100+66.89 грн
500+52.82 грн
1000+44.19 грн
2000+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 71W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.75 грн
500+56.16 грн
1000+48.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+106.79 грн
134+105.98 грн
135+105.17 грн
136+100.63 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+97.54 грн
193+73.40 грн
500+58.57 грн
1000+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.60 грн
10+106.79 грн
25+105.98 грн
50+101.41 грн
100+93.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40081EL_GE3 транзистор
Код товару: 196931
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD400A60SANREX
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD400A60NSANREXH3-4
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD400A60SSAMREXMODULE
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD400AA-120SAMREXMODULE
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD400AA100SAMREXMODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD400AA100(120)SanRex07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD400AA120SAMREXMODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD400BA60SAMREXMODULE
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40131EL_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40131EL_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD40131EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0115 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 62W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
на замовлення 10913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.25 грн
50+90.23 грн
100+66.17 грн
500+51.02 грн
1000+46.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40131EL_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.18 грн
10+90.97 грн
25+90.07 грн
50+85.98 грн
100+59.54 грн
250+56.59 грн
500+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40131EL_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; 62W; DPAK,TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40131EL_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.60 грн
10+82.72 грн
100+55.73 грн
500+41.43 грн
1000+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40131EL_GE3Vishay
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40131EL_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40131EL_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD40131EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0115 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 62W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
на замовлення 10913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.17 грн
500+51.02 грн
1000+46.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40131EL_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+38.73 грн
4000+34.66 грн
6000+33.32 грн
10000+29.85 грн
14000+29.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40131EL_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 30890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N04-10A-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH D-S 40V 42A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N04-10A-GE3
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N06-14L-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQD4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N06-14L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N06-14L_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 55V 40A 75W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 28822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N06-14L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.00 грн
4000+46.76 грн
6000+45.08 грн
10000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N06-14L_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N06-14L_GE3
Код товару: 204493
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N06-14L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.22 грн
10+107.25 грн
100+73.25 грн
500+55.08 грн
1000+50.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N06-14L_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N06-14L_T4GE3VishayN-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N06-14L_T4GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N06-14L_T4GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N06-25L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N10-25-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQD4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N10-25-T4_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO252AA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N10-25-T4_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQD7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N10-25_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N10-25_GE3
Код товару: 200347
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N10-25_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQD7
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N10-25_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N10-25_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.07 грн
10+305.99 грн
100+227.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.18 грн
500+101.14 грн
1000+87.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.58 грн
10+146.81 грн
100+102.28 грн
500+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+132.38 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -100V -30A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 20559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+96.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.47 грн
10+176.39 грн
100+125.18 грн
500+101.14 грн
1000+87.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+75.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+165.35 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.92 грн
10+154.69 грн
100+138.86 грн
250+129.37 грн
500+104.78 грн
1000+95.35 грн
2000+83.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+132.38 грн
10+126.44 грн
25+125.22 грн
100+109.56 грн
250+99.43 грн
500+88.17 грн
1000+86.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3
Код товару: 179445
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD45N05-20L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 50A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD45P03-12-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD45P03-12-T4_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD45P03-12-T4_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -30V Vds 20V Vgs TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD45P03-12-T4_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD45P03-12_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD45P03-12_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 7603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.72 грн
500+54.87 грн
1000+50.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD45P03-12_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 50A 71W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 6108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD45P03-12_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3495 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.28 грн
10+111.48 грн
100+76.24 грн
500+57.40 грн
1000+53.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD45P03-12_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD45P03-12_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 7503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.77 грн
50+121.11 грн
100+82.10 грн
500+62.04 грн
1000+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD45P03-12_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3495 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+54.25 грн
4000+48.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50034EVishayTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.66 грн
25+60.55 грн
50+58.30 грн
100+53.90 грн
250+51.65 грн
500+51.56 грн
1000+51.49 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50034EL_GE3VishayN-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50034EL_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD50034EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.78 грн
500+73.16 грн
2000+68.35 грн
4000+63.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50034EL_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.71 грн
10+110.12 грн
100+75.11 грн
500+56.43 грн
1000+51.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50034EL_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD50034EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.52 грн
10+120.30 грн
100+107.30 грн
500+88.31 грн
1000+80.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50034EL_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50034EL_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50034E_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50034E_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Nch 60V Vds 20V Vgs TO-252
на замовлення 24896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50034E_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.22 грн
10+91.25 грн
100+70.94 грн
500+56.43 грн
1000+45.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50034E_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD50034E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.37 грн
10+104.04 грн
100+73.64 грн
500+52.83 грн
1000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50A100SANREX
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50A90SAMREXMODULE
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50AA100SANREX
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50AB100SanRex07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50AB90SANREX
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50B90SANREX
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50BB90SAMREXMODULE
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50CB100SANREX
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N02-04-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH D-S 20V 50A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N03-06P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N03-09-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N03-3M1L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-09H-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-4M5L_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SQD1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-4M5L_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 7961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.80 грн
500+78.50 грн
1000+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-4M5L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-4M5L_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 7961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.89 грн
10+141.44 грн
100+113.80 грн
500+78.50 грн
1000+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-4M5L_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-4M5L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6-T4GE3VishayP-Channel Power MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]