Продукція > SUM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SUM40N05-19L-E3
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N10-30Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SUM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N10-30
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N10-30-E3
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N10-30-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N10-30-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N15-38Vishay SiliconixSUM40N15-38 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N15-38-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 40A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N15-38-E3Vishay / SiliconixMOSFET 150V 40A 166W 38mohm @ 10V
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58Vishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SUM45N25-58-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58VishayТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 250V 45A 375W 58mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM45N25-58-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3VishayMOSFET N-CH 250V 45A TO263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+414.88 грн
10+267.28 грн
100+192.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3CT-NDVishayТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM47N10
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM47N10-24L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM47N10-24L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM48RMXLBP2USchneider ElectricUPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Modular 48V Extended Run Battery Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM48RMXLBP2UAPC by Schneider ElectricUPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Modular 48V Extended Run Battery Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50010E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+201.37 грн
10+189.47 грн
100+172.15 грн
250+163.11 грн
500+143.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50010E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 150A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Strip
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+307.89 грн
10+196.05 грн
100+139.00 грн
800+102.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50010E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds; 20V Vgs TO-263
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50010EL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 150A 375W 175C
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50010EL-GE3VishayMOSFETs 60V Vds 150A 375W 175C
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50010EL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM50010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 1730 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1730µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds TrenchFET TO-263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50N03
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50N03-13LC
на замовлення 19975 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50N03-13LC-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 50A 83W w/Sense Terminal
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50N06-16L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1325 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50P10-42-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 36A TO263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50UF
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM52N20-39P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 52A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM5550ASUM04+ TSSOP-28P
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55N03-16P-E3
на замовлення 860 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19LVISHAY09+ DIP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19LVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SUM5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 55A 125W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+150.45 грн
3200+138.14 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 55A D2PAK Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+421.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+109.75 грн
1600+100.16 грн
2400+100.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM55P06-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+100.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3SiliconixTrans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK SUM55P06-19L-E3 TSUM55P06-19l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+69.44 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P0619LVISHAY
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+340.36 грн
57+250.17 грн
100+204.18 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 227nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+98.15 грн
1600+89.35 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM60020E-GE3 - MOSFET, N-CH, 80V, 150A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.36 грн
10+250.17 грн
100+204.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 N-CH 80V 150A
на замовлення 13060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 80V TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.71 грн
10+172.11 грн
100+121.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60030E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3200 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60030E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.62 грн
10+178.78 грн
100+132.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60030E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 80V (D-S) TrenchFET
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60030E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+100.91 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60030E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3200 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60030E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM60061EL-GE3 - MOSFET, P-CH, 80V, 150A, TO-263
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3Vishay SiliconixP-Channel 80 V 150A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V
на замовлення 8494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.29 грн
10+285.22 грн
100+208.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+554.37 грн
35+404.14 грн
100+344.86 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+177.13 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 P-CH 80V 150A
на замовлення 10949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -150A; Idm: -250A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -150A
Pulsed drain current: -250A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 218nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+554.37 грн
10+404.14 грн
100+344.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N02-3M9P-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 60A 120W 3.9mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N02-3M9P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N04-05C
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N04-05T-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 60A 200W w/Sensing Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N04-06T
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N04-06T-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 60A 200W w/Sensing Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N04-12
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N04-12LTVishay / SiliconixMOSFET 40V 60A 110W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N04-12LT
на замовлення 5852 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N04-12LT-E3
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N04-12LT-E3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 60A 110W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]