Продукція > UJ3

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
UJ32-C-V-G-TH-6-P24-TRSame SkyUSB Connectors Type C, 3.2, Vertical, Gold Plated 3u, Through Hole, 6.4mm, Spring, 24 pin, T&R
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-6-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: USB JACK, TYPE C, 3.2, VERTICAL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 48VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+54.87 грн
25+51.42 грн
50+45.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-6-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: USB JACK, TYPE C, 3.2, VERTICAL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 48VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-7-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: USB JACK, TYPE C, 3.2, VERTICAL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 48VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-7-P24-TRSame SkyUSB Connectors Type C, 3.2, Vertical, Gold plated 3u, Through Hole,10.35mm, 24 pin, T&R
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-7-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: USB JACK, TYPE C, 3.2, VERTICAL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 48VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+53.74 грн
25+50.42 грн
50+45.06 грн
100+42.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-8-P24-TRSame SkyUSB Connectors Type C, 3.2, Vertical, Gold plated 3u, Through Hole, 24 pin, T&R
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-8-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: USB JACK, TYPE C, 3.2, VERTICAL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 48VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+62.31 грн
800+57.14 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-8-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: USB JACK, TYPE C, 3.2, VERTICAL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 48VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.63 грн
10+77.82 грн
25+73.00 грн
50+65.22 грн
100+62.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-9-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: USB JACK, TYPE C, 3.2, VERTICAL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 48VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+53.74 грн
25+50.42 грн
50+45.06 грн
100+42.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-9-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: USB JACK, TYPE C, 3.2, VERTICAL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 48VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+42.69 грн
900+39.14 грн
1350+38.04 грн
2250+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-9-P24-TRSame SkyUSB Connectors Type C, 3.2, Vertical, Gold plated 3u, Through Hole, 24 pin, T&R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ33BR133AL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3507A
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ360094
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ360135
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ360150
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ360166ICSSSOP
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ360262
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ360510
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ360608
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ360738
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ360820
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ361098
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ361154
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ361217
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065025K3SQorvo / UnitedSiCSiC MOSFETs 650V/ 25mOhm, SiC JFET, G3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3onsemiSiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-3
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3Qorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/30mOhm, SiC, CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1683.63 грн
10+1172.26 грн
100+1096.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3ONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1799.64 грн
5+1563.91 грн
10+1328.19 грн
50+1208.41 грн
100+1093.16 грн
250+1070.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3Qorvo (UnitedSiC)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Power dissipation: 250W
Drain current: 47A
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
Drain-source voltage: 650V
Kind of transistor: cascode
Version: ESD
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 27mΩ
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1863.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3QorvoSiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+930.13 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3ONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1328.19 грн
50+1208.41 грн
100+1093.16 грн
250+1070.17 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1819.96 грн
5+1491.57 грн
10+1163.18 грн
50+1043.11 грн
100+928.04 грн
250+909.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030K3SQorvoSiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030K3SUnited Silicon CarbideTrans MOSFET N-CH SiC 650V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1149.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030K3SonsemiSiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO247-3
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030K3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 6317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1739.28 грн
30+1069.86 грн
120+937.60 грн
510+873.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030T3SQorvoSiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030T3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1594.28 грн
50+930.51 грн
100+911.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030T3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1870.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030T3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/30mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065075K3SQorvo / UnitedSiCSiC MOSFETs 650V/ 75mOhm, SiC JFET, G3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3Qorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3Qorvo (UnitedSiC)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 18.2A
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 18.2A
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 115W
Pulsed drain current: 65A
Drain-source voltage: 650V
Version: ESD
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Kind of transistor: cascode
Polarisation: unipolar
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+617.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+376.45 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3ONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3QorvoSiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 5690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.32 грн
10+413.40 грн
100+362.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3ONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3onsemiSiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080K3S---MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080K3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080K3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 42223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+750.89 грн
30+432.39 грн
120+368.58 грн
510+324.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+790.09 грн
5+631.58 грн
10+473.08 грн
50+427.21 грн
100+383.90 грн
250+372.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080K3SonsemiSiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-3
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080K3SONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 23A
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 190W
Pulsed drain current: 65A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Kind of transistor: cascode
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080T3SonsemiSiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO220-3
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080T3SONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 23A
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 190W
Pulsed drain current: 65A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Kind of transistor: cascode
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080T3SQorvoSiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080T3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 6191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+468.72 грн
50+365.21 грн
100+338.22 грн
500+317.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080T3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+719.37 грн
5+560.05 грн
10+399.92 грн
50+362.30 грн
100+326.07 грн
250+319.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3S
Код товару: 193437
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3SonsemiSiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO247-3
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 8991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2277.77 грн
30+1445.01 грн
120+1428.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/40mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2647.44 грн
5+2311.73 грн
10+1976.03 грн
50+1787.33 грн
100+1605.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3SUSCiTransistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 47A UJ3C120040K3S TUJ3C120040k3s
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1+2258.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3SQorvoSiC MOSFETs 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120070K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 34.5A TO247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1175.72 грн
30+795.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120070K3SQorvoSiC MOSFETs 1200V/70mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120070K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.5 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 254.2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1450.93 грн
5+1186.75 грн
10+922.58 грн
50+831.02 грн
100+667.46 грн
250+654.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120070K4SonsemiDescription: 1200V/70MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120070K4SQorvoSiC MOSFETs 1200V/70mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120070K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.5 A, 1.2 kV, 70 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 70mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1193.26 грн
5+1151.80 грн
10+1110.35 грн
50+958.58 грн
100+817.95 грн
250+751.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120080K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1118.50 грн
30+713.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120080K3SonsemiSiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO247-3
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120080K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 254.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1599.68 грн
5+1302.18 грн
10+1004.68 грн
50+914.04 грн
100+825.62 грн
250+808.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120080K3S
Код товару: 175759
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120080K3SQorvoSiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120150K3SQorvoSiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120150K3SonsemiSiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO2
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120150K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/150mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120150K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+869.25 грн
30+506.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120150K3SQORVODescription: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+603.94 грн
5+564.93 грн
10+525.10 грн
50+466.46 грн
100+411.07 грн
250+391.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06504TSonsemiSiC Schottky Diodes 650V/4ASICDIODEG3TO22
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06504TSonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 118pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 22758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.81 грн
25+89.06 грн
100+76.76 грн
250+65.92 грн
500+61.84 грн
1000+59.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06504TSONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3D06504TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 9.3 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9.3nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.60 грн
10+114.61 грн
100+104.04 грн
500+79.25 грн
1000+67.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06504TSQorvoSiC Schottky Diodes 650V/4A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06506TSonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 196pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 57301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
25+114.43 грн
100+98.48 грн
250+84.95 грн
500+79.51 грн
1000+76.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06506TSQorvoSiC Schottky Diodes 650V/6A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06506TSQORVODescription: QORVO - UJ3D06506TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.62 грн
10+123.55 грн
100+105.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06506TSonsemiSiC Schottky Diodes 650V/6ASICDIODEG3TO220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06508TSQorvoSiC Schottky Diodes 650V/8A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06508TSonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 28073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.90 грн
25+133.96 грн
100+115.86 грн
250+99.90 грн
500+93.10 грн
1000+90.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06508TSonsemiSiC Schottky Diodes 650V/8ASICDIODEG3TO22
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06508TSQORVODescription: QORVO - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.24 грн
10+108.92 грн
100+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06510TSonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 327pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 11657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.84 грн
25+152.07 грн
100+131.07 грн
250+113.49 грн
500+106.01 грн
1000+101.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]