Продукція > UJ3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
UJ32-C-V-G-FMT-4-P24CUI DEVICESUJ32-C-V-G-FMT-4-P24
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+85.88 грн
1000+73.75 грн
3000+67.67 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-FMT-4-P24Same Sky (Formerly CUI Devices)Description: CONN RCPT USB 3.2 TYPE C 24POS
Packaging: Box
Voltage - Rated: 48VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 3121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+57.29 грн
25+53.62 грн
50+47.93 грн
100+45.65 грн
250+42.78 грн
500+40.07 грн
1000+38.16 грн
2500+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-FMT-4-P24Same SkyUSB Connectors Type C, 3.2, Vertical, Gold plated 3u, F Splint Mount, PCB 1.0mm ,24 pin, EMI
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-SMT-P24-TRSame SkyUSB Connectors Type C, 3.2, Vertical, Gold Plated 1u, Surface Mount, 15mm, 24 pin, T&R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-SMT-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: CONN RCP USB 3.2 TYPE C SMD PCB
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 30VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Plug
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.82 грн
10+110.20 грн
25+103.22 грн
50+92.24 грн
100+87.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-SMT-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: CONN RCP USB 3.2 TYPE C SMD PCB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 30VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Plug
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+92.56 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-SMT-TRSame SkyUSB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Vertical Gold Flash Surface Mount
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-SMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: CONN RCPT USB 3.2 TYPE C SMD PCB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+130.72 грн
300+119.87 грн
450+116.49 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-SMT-TRSAME SKYDescription: SAME SKY - UJ32-C-V-G-SMT-TR - USB-Steckverbinder, USB C, USB 3.2 Gen 2x2, Buchse, 24 -polig, Oberflächenmontage, Vertikal
tariffCode: 85366930
rohsCompliant: YES
USB-Steckverbinder: USB C
USB-Version: USB 3.2 Gen 2x2
Kontaktüberzug: Hauchvergoldete Kontakte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
isCanonical: Y
Ausführung: Buchse
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Anzahl der Positionen: 24-polig
Ausrichtung: Vertikal
euEccn: NLR
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-SMT-TRSame Sky®Category: USB & IEEE1394 connectors
Description: Connector: USB C; socket; on PCBs; SMT; vertical; USB 3.2 Gen 2x2
Type of connector: USB C
Connector: socket
Mechanical mounting: on PCBs
Electrical mounting: SMT
Spatial orientation: vertical
Version: USB 3.2 Gen 2x2
Contact plating: gold flash
Current rating: 5A
Rated voltage: 20V
Insulation colour: black
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-SMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: CONN RCPT USB 3.2 TYPE C SMD PCB
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.55 грн
10+152.47 грн
25+142.90 грн
50+127.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-SMT-TRSAME SKYConn USB 3.2 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder ST SMD 24 Terminal 1 Port T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-2-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: CONN RCPT USB 3.2 TYPE C SMD PCB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-2-P24-TRSame SkyUSB Connectors Type C, 3.2, Vertical, Gold Plated 5u, Through Hole, 12mm, 24 pin, T&R
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-2-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: CONN RCPT USB 3.2 TYPE C SMD PCB
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.31 грн
10+162.28 грн
25+152.07 грн
50+135.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-5-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: CONN RCPT USB 3.2 TYPE C SMD PCB
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 48VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+55.33 грн
25+51.87 грн
50+46.34 грн
100+44.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-5-P24-TRSame SkyUSB Connectors Type C, 3.2, Vertical, Gold plated 3u, Through Hole,9.2mm, 24 pin
на замовлення 2136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-5-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: CONN RCPT USB 3.2 TYPE C SMD PCB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 48VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+43.91 грн
900+40.27 грн
1350+39.13 грн
2250+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-6-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: CONN RCPT USB 3.2 TYPE C SMD PCB
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 48VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.33 грн
10+58.50 грн
25+54.80 грн
50+48.95 грн
100+46.62 грн
250+43.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-6-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: CONN RCPT USB 3.2 TYPE C SMD PCB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 48VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+45.45 грн
1200+41.67 грн
1800+40.50 грн
3000+36.66 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-6-P24-TRSame SkyUSB Connectors Type C, 3.2, Vertical, Gold Plated 3u, Through Hole, 6.4mm, Spring, 24 pin, T&R
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-7-P24-TRSame SkyUSB Connectors Type C, 3.2, Vertical, Gold plated 3u, Through Hole,10.35mm, 24 pin, T&R
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-7-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: CONN RCPT USB 3.2 TYPE C SMD PCB
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 48VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+57.29 грн
25+53.62 грн
50+47.93 грн
100+45.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-7-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: CONN RCPT USB 3.2 TYPE C SMD PCB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 48VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+45.41 грн
900+41.64 грн
1350+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-8-P24-TRSame SkyUSB Connectors Type C, 3.2, Vertical, Gold plated 3u, Through Hole, 24 pin, T&R
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-8-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: CONN RCPT USB 3.2 TYPE C SMD PCB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 48VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+70.38 грн
800+64.54 грн
1200+62.72 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-8-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: CONN RCPT USB 3.2 TYPE C SMD PCB
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 48VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.38 грн
10+87.93 грн
25+82.45 грн
50+73.67 грн
100+70.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-9-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: CONN RCPT USB 3.2 TYPE C SMD PCB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 48VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+45.41 грн
900+41.64 грн
1350+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-9-P24-TRSame SkyUSB Connectors Type C, 3.2, Vertical, Gold plated 3u, Through Hole, 24 pin, T&R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ32-C-V-G-TH-9-P24-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: CONN RCPT USB 3.2 TYPE C SMD PCB
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 48VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+57.29 грн
25+53.62 грн
50+47.93 грн
100+45.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ33BR133AL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3507A
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ360094
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ360135
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ360150
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ360166ICSSSOP
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ360262
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ360510
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ360608
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ360738
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ360820
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ361098
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ361154
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ361217
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065025K3SQorvo / UnitedSiCSiC MOSFETs 650V/ 25mOhm, SiC JFET, G3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3Qorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/30mOhm, SiC, CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1736.15 грн
10+1208.94 грн
100+1130.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3QorvoSiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3ONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3onsemiSiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-3
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3ONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3Qorvo (UnitedSiC)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 47A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 230A
Gate charge: 51nC
Version: ESD
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Kind of transistor: cascode
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1822.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030K3SUnited Silicon CarbideTrans MOSFET N-CH SiC 650V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1149.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030K3SQorvoSiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030K3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 3252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1834.13 грн
30+1128.13 грн
60+1052.35 грн
120+927.82 грн
510+920.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030T3SonsemiSiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO220-3
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030T3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1594.28 грн
50+930.51 грн
100+911.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030T3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/30mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030T3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030T3SQorvoSiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065075K3SQorvo / UnitedSiCSiC MOSFETs 650V/ 75mOhm, SiC JFET, G3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3QorvoSiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3ONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 5690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.32 грн
10+413.40 грн
100+362.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3onsemiSiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3Qorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+376.45 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3ONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080K3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080K3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 42223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+750.89 грн
30+432.39 грн
120+368.58 грн
510+324.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080K3SonsemiSiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080K3S---MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080T3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080T3SQorvoSiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080T3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 6191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+468.72 грн
50+365.21 грн
100+338.22 грн
500+317.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080T3SonsemiSiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO220-3
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3SonsemiSiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO247-3
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3SUSCiTransistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 47A UJ3C120040K3S TUJ3C120040k3s
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1+2258.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 5388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2512.91 грн
30+1594.13 грн
60+1496.18 грн
120+1381.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/40mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3S
Код товару: 193437
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3SQorvoSiC MOSFETs 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120070K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.5 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 254.2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120070K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 34.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1175.72 грн
30+795.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120070K3SQorvoSiC MOSFETs 1200V/70mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120070K4SonsemiDescription: 1200V/70MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120070K4SQorvoSiC MOSFETs 1200V/70mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120070K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.5 A, 1.2 kV, 70 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 70mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120080K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1451.62 грн
30+877.51 грн
60+815.67 грн
120+716.69 грн
510+690.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120080K3SonsemiSiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO24
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120080K3S
Код товару: 175759
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120080K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 254.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120150K3SQORVODescription: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120150K3SQorvoSiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120150K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+869.25 грн
30+506.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120150K3SonsemiSiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO2
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.