Продукція > SI7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI7850DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7850DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.3 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.12 грн
6000+53.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+84.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+191.91 грн
101+140.88 грн
113+125.35 грн
500+96.27 грн
1000+82.21 грн
1500+76.07 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+83.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 6.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 22mΩ
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+191.97 грн
5+142.61 грн
10+125.20 грн
50+92.03 грн
100+82.08 грн
500+64.67 грн
1000+59.70 грн
1500+58.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
si7852SIBGA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852-DP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V 30A 62.5W 17mohm @ 10V
на замовлення 12921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+92.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 30A; Idm: 60A; 40W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 17mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 30A
Power dissipation: 40W
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 80V
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
на замовлення 3901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.52 грн
10+176.78 грн
100+123.82 грн
500+94.98 грн
1000+88.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-E3Vishay SiliconixN-Channel 80-V (D-S) MOSFET, PowerPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.78 грн
10+112.79 грн
25+112.21 грн
50+107.64 грн
100+89.10 грн
250+83.25 грн
500+78.03 грн
1000+69.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.78 грн
126+112.79 грн
127+107.64 грн
142+89.10 грн
250+83.25 грн
500+78.03 грн
1000+69.13 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V 30A 62.5W 17mohm @ 10V
на замовлення 4674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.62 грн
10+138.35 грн
100+95.56 грн
500+72.52 грн
1000+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DPVISHAYQFN8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 16108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.94 грн
10+180.81 грн
100+126.93 грн
500+99.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: 7.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 16.5mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.33 грн
10+127.57 грн
25+126.82 грн
100+121.47 грн
250+111.80 грн
500+106.68 грн
1000+105.96 грн
3000+105.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.86 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+90.56 грн
6000+86.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+97.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7852DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 7.6 A, 0.0165 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+96.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7852DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.94 грн
10+180.81 грн
100+126.93 грн
500+99.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+109.56 грн
6000+108.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+108.92 грн
6000+108.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: 7.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 16.5mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3Vishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 7,6 А, Qg, нКл = 41 @ 10 В, Rds = 16,5 мОм, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 1,9, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PPAK-8(SOIC) Очікується: 20 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DPT1E3VISHAY10+ SOT23-..
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
si7856SIBGA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7856ADP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7856ADP-T1
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7856ADP-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7856ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7856ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7856DPSI04+
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7856DP-T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7856DP-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7856DP-TI-E3
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1VishayN-кан. MOSFET 12V, 18A, 1.9Вт, 0.004Ом, POWER PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+84.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3VishaySI7858ADP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 12V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3VishaySI7858ADP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 12V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 12V 29A 0.0026Ohm
на замовлення 25790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 6 V
на замовлення 5150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.53 грн
10+149.76 грн
100+119.21 грн
500+94.66 грн
1000+80.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 12V 29A 5.4W 2.6mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.27 грн
10+195.66 грн
100+157.24 грн
500+121.24 грн
1000+103.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858BDP-T1-GE3
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 6 V
на замовлення 27418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.76 грн
10+95.74 грн
100+65.02 грн
500+48.67 грн
1000+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+83.84 грн
170+83.55 грн
172+82.66 грн
196+69.60 грн
250+63.80 грн
500+52.29 грн
1000+49.74 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858BDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 2000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 6 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.89 грн
6000+39.56 грн
9000+38.19 грн
15000+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858BDP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.75 грн
10+83.84 грн
25+83.56 грн
50+79.71 грн
100+64.45 грн
250+61.25 грн
500+52.29 грн
1000+49.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858BDP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858BDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 2000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858DP-T1
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7858DP-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7860
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7860A
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7860ADPVISHAY09+
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7860ADP-T1
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7860ADP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 16A 4.8W 9.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7860ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7860ADP-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7860ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7860ADP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 16A 4.8W 9.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7860DPVISHAY10+ SOT-353
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7860DP-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIR462DP-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7860DP-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIR462DP-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7860DP-T1
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7860DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7860DP-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7860DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIR462DP-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36  [ Наступна Сторінка >> ]