Продукція > Si7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI7850DP-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 6.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 22mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
на замовлення 2709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.73 грн
10+137.29 грн
50+104.94 грн
100+88.69 грн
500+71.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7850DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.3 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+83.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 6.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 22mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+83.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 14842 шт:
термін постачання 411-420 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+191.48 грн
101+140.56 грн
113+125.07 грн
500+96.05 грн
1000+82.03 грн
1500+75.90 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
si7852SIBGA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852-DP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V 30A 62.5W 17mohm @ 10V
на замовлення 12921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+94.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 30A; Idm: 60A; 40W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 17mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 30A
Power dissipation: 40W
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 80V
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-E3Vishay SiliconixN-Channel 80-V (D-S) MOSFET, PowerPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
на замовлення 3901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.40 грн
10+180.48 грн
100+126.42 грн
500+96.97 грн
1000+90.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.27 грн
10+141.25 грн
100+97.56 грн
500+74.04 грн
1000+68.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.50 грн
10+112.54 грн
25+111.96 грн
50+107.40 грн
100+88.91 грн
250+83.07 грн
500+77.86 грн
1000+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+68.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V 30A 62.5W 17mohm @ 10V
на замовлення 4674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.50 грн
126+112.54 грн
127+107.40 грн
142+88.91 грн
250+83.07 грн
500+77.86 грн
1000+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DPVISHAYQFN8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+96.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: 7.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 16.5mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 15712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.22 грн
10+191.07 грн
50+148.03 грн
100+125.91 грн
500+105.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.04 грн
10+127.29 грн
25+126.54 грн
100+121.20 грн
250+111.55 грн
500+106.44 грн
1000+105.72 грн
3000+105.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.59 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7852DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 7.6 A, 0.0165 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+95.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+96.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7852DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.0165 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
на замовлення 3464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 6934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.82 грн
10+180.26 грн
50+139.65 грн
100+118.79 грн
500+99.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+109.31 грн
6000+108.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3Vishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 7,6 А, Qg, нКл = 41 @ 10 В, Rds = 16,5 мОм, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 1,9, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PPAK-8(SOIC) Очікується: 20 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: 7.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 16.5mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+90.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+108.68 грн
6000+107.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DPT1E3VISHAY10+ SOT23-..
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
si7856SIBGA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7856ADP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7856ADP-T1
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7856ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7856ADP-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7856ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7856DPSI04+
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7856DP-T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7856DP-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7856DP-TI-E3
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1VishayN-кан. MOSFET 12V, 18A, 1.9Вт, 0.004Ом, POWER PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+86.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3VishaySI7858ADP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 12V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 12V 29A 0.0026Ohm
на замовлення 25790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3VishaySI7858ADP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 12V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 6 V
на замовлення 5150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.46 грн
10+152.91 грн
100+121.71 грн
500+96.65 грн
1000+82.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.02 грн
10+199.76 грн
100+160.54 грн
500+123.78 грн
1000+106.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 12V 29A 5.4W 2.6mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 6 V
на замовлення 15798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.26 грн
10+106.58 грн
50+80.76 грн
100+67.94 грн
500+54.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858BDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 2000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858BDP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+83.66 грн
170+83.36 грн
172+82.48 грн
196+69.45 грн
250+63.66 грн
500+52.17 грн
1000+49.63 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 6 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.87 грн
9000+42.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858BDP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858BDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 2000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858BDP-T1-GE3
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.54 грн
10+83.66 грн
25+83.37 грн
50+79.53 грн
100+64.30 грн
250+61.11 грн
500+52.17 грн
1000+49.63 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858DP-T1
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7858DP-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7860
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7860A
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7860ADPVISHAY09+
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7860ADP-T1
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7860ADP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 16A 4.8W 9.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7860ADP-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7860ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7860ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7860ADP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 16A 4.8W 9.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7860DPVISHAY10+ SOT-353
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7860DP-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIR462DP-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7860DP-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIR462DP-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7860DP-T1
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7860DP-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7860DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36  [ Наступна Сторінка >> ]