Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD70R1K4CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.13 грн
5000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD70R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.91 грн
500+24.75 грн
1000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SInfineon / IRMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.99 грн
5000+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.80 грн
500+26.77 грн
1000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+16.35 грн
50+15.23 грн
100+13.80 грн
250+12.65 грн
500+11.83 грн
1000+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.37 грн
5000+15.37 грн
7500+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1565+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 1565 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 18283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.08 грн
11+30.41 грн
100+19.81 грн
500+16.50 грн
1000+14.01 грн
2500+11.53 грн
5000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.23 грн
50+67.25 грн
100+41.80 грн
500+26.77 грн
1000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
931+15.23 грн
991+14.31 грн
1001+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 931 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+41.73 грн
100+27.19 грн
500+19.64 грн
1000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 22.7W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.48 грн
15+28.00 грн
50+22.60 грн
100+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1126+31.48 грн
10000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 1126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1126+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 1126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1126+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 1126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1126+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 1126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD70R2K0CEAUMA1 - IPD70R2K0 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1056+23.44 грн
Мінімальне замовлення: 1056 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1126+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 1126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SInfineon
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SInfineon / IRMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7S
Код товару: 184520
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+105.18 грн
211+67.43 грн
290+48.93 грн
500+38.55 грн
1000+32.40 грн
2500+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK IPD70R360P7S TIPD70r360p7s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.12 грн
7+60.83 грн
10+50.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.38 грн
18+42.35 грн
25+40.98 грн
100+34.14 грн
250+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1InfineonMOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600CEInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.84 грн
10+84.95 грн
100+57.30 грн
500+47.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600CEAUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD70R600CEAUMA1 - IPD70R600 - 700V, 0.6OHM, N-CHANEL POWER
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 632 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
622+56.98 грн
1000+52.55 грн
10000+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
622+56.98 грн
1000+52.55 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SInfineon
на замовлення 255000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SInfineon / IRMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.37 грн
50+43.97 грн
100+35.60 грн
500+28.72 грн
1000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
454+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 454 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.60 грн
42+18.30 грн
100+17.38 грн
250+15.83 грн
500+14.94 грн
1000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1
Код товару: 143681
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 11320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.78 грн
10+44.65 грн
100+29.26 грн
500+21.25 грн
1000+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 6425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.80 грн
13+25.25 грн
100+17.88 грн
500+16.29 грн
1000+15.46 грн
2500+14.22 грн
25000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1156+30.67 грн
10000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 1156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.60 грн
500+28.72 грн
1000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1InfineonMOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.36 грн
5000+22.13 грн
7500+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
775+18.30 грн
787+18.02 грн
800+17.73 грн
814+16.81 грн
1000+15.31 грн
Мінімальне замовлення: 775 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.34 грн
5000+16.28 грн
7500+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.42 грн
5000+22.18 грн
7500+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SInfineon / IRMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SInfineon
на замовлення 147500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 30.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 30.5W
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Gate-source voltage: ±16V
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+64.43 грн
12+35.81 грн
100+25.43 грн
500+19.28 грн
1000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD70R900P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.35 грн
18+46.55 грн
100+33.26 грн
500+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+49.06 грн
100+31.99 грн
500+23.12 грн
1000+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 19321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.73 грн
10+43.90 грн
100+25.40 грн
500+19.61 грн
1000+17.67 грн
2500+14.84 грн
5000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD70R900P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.26 грн
500+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1 (70S900P7)
Код товару: 201266
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R950CEInfineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R950CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R950CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R950CEAUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD70R950CEAUMA1 - IPD70R950 - POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R950CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.94 грн
5000+48.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R950CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R950CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.94 грн
5000+48.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD75N04S4-06Infineon TechnologiesDescription: IPD75N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD75N04S4-06Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.45 грн
10+60.81 грн
100+35.07 грн
500+27.48 грн
1000+24.99 грн
2500+22.30 грн
5000+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD75N04S406Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD75N04S406ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD75N04S406ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.29 грн
13+64.51 грн
100+42.85 грн
500+28.64 грн
1000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD75N04S406ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.97 грн
10+57.14 грн
100+37.89 грн
500+27.81 грн
1000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD75N04S406ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD75N04S406ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD75N04S406ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.85 грн
500+28.64 грн
1000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10N GInfineon
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1InfineonN-MOSFET 100V 13A 31W 78mΩ IDP78CN10NG TO252-3 TIPD78cn10n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.13 грн
5000+28.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.33 грн
5000+24.93 грн
7500+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.77 грн
50+41.96 грн
100+34.15 грн
500+27.82 грн
1000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.77 грн
5000+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V
на замовлення 10918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+50.93 грн
100+33.44 грн
500+24.34 грн
1000+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.98 грн
10+37.79 грн
100+24.09 грн
500+19.81 грн
1000+18.36 грн
2500+16.98 грн
5000+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.33 грн
5000+24.93 грн
7500+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+97.41 грн
240+59.08 грн
341+41.59 грн
500+35.24 грн
1000+29.67 грн
2500+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.49 грн
21+36.33 грн
25+35.97 грн
100+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.72 грн
5000+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.15 грн
500+27.82 грн
1000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.74 грн
13+58.68 грн
100+41.31 грн
500+34.99 грн
1000+29.46 грн
2500+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]