Продукція > IS4
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43DR86400C-3DBI | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz DDR2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-3DBI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-3DBI-TR | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz DDR2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-3DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 242 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-3DBL | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM | на замовлення 82 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-3DBL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-3DBL-TR | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-3DBLI | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-3DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 242 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-3DBLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-3DBLI-TR | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-25DBLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) | Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR86400D-25DBLI - DRAM, 64M x 8 Bit, 400ps, parallele Schnittstelle, BGA-60 DRAM-Ausführung: DDR2 Bauform - Speicherbaustein: BGA DRAM-Dichte: 512 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 400 Versorgungsspannung, nom.: 1.8 IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40 Taktfrequenz: 400 Anzahl der Pins: 60 Produktpalette: IS43DR Betriebstemperatur, max.: 85 Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 8 bit SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-25DBLI | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64M x 8 DDR2 | на замовлення 242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-25DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 242 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-25DBLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-25DBLI-TR | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 400Mhz a. CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT, T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-3DBI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512MB 333MHZ CL5 60BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 242 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-3DBI | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-3DBI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512MB 333MHZ CL5 60BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-3DBI-TR | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-3DBL | ISSI | DRAM 512M, 1.8V 64Mx8 DDR2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-3DBL-TR | ISSI | DRAM 512M, 1.8V 64Mx8 DDR2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-3DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 242 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-3DBLI | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2 | на замовлення 478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-3DBLI-TR | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-3DBLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400E-25DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA Memory Organization: 64M x 8 Access Time: 400 ps Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Part Status: Active Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 400 MHz Technology: SDRAM - DDR2 Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 60-TFBGA Packaging: Tray DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS43DR86400E-25DBL | ISSI | DRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V | на замовлення 158 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400E-25DBL-TR | ISSI | DRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400E-25DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 242 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400E-25DBLI | ISSI | DRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V | на замовлення 498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400E-25DBLI-TR | ISSI | DRAM 512M, 18V, DDR2, 64Mx8, 400Mhz a. CL5, 60 ball BGA (8mmx105mm) RoHS, IT, T&R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400E-3DBL | ISSI | DRAM 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V | на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400E-3DBL-TR | ISSI | DRAM 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400E-3DBLI | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT | на замовлення 289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400E-3DBLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI | Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43DR86400E-3DBLI - DRAM, 333MHZ, 512MBIT, BGA-60 tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 512Mbit Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 333MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8bit directShipCharge: 25 | на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS43DR86400E-3DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA Packaging: Tray Package / Case: 60-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 333 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 450 ps Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS43DR86400E-3DBLI-TR | ISSI | DRAM 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16128B-18BL | ISSI | DRAM LPDDR2 2Gb 533MHz 128Mx16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16128B-18BL-TR | ISSI | DRAM LPDDR2 2Gb 533MHz 128Mx16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16128B-18BLI | ISSI | DRAM LPDDR2 2Gb 533MHz 128Mx16 IT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16128B-18BLI-TR | ISSI | DRAM LPDDR2 2Gb 533MHz 128Mx16 IT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16128B-25BL | ISSI | DRAM LPDDR2 2Gb 400MHz 128Mx16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16128B-25BL-TR | ISSI | DRAM LPDDR2 2Gb 400MHz 128Mx16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16128B-25BLI | ISSI | DRAM LPDDR2 2Gb 400MHz 128Mx16 IT | на замовлення 444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16128B-25BLI-TR | ISSI | DRAM LPDDR2 2Gb 400MHz 128Mx16 IT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16128C-18BLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) | Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD16128C-18BLI - DRAM, Mobile LPDDR2 S4, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, 533 MHz, BGA, 134 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 2Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 533MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 134Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS43LD16128C-18BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 134-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 533 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: HSUL_12 Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 128M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS43LD16160B-25BLI | ISSI | DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 171 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16160B-25BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 134TFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 16M x 16 Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 400 MHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 256Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 134-TFBGA Packaging: Tray | на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS43LD16160B-25BLI-TR | ISSI | DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16320A-25BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 134TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 134-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS43LD16320A-25BLI | ISSI | DRAM 512M 1.2/1.8V 32Mx16 400MHz 134ball BGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16320A-25BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 134TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16320A-25BLI-TR | ISSI | DRAM 512M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 32Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16640A-25BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16640A-25BL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16640A-25BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16640A-25BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16640A-3BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 171 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16640A-3BL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16640A-3BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 171 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16640A-3BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16640C-18BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 171 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16640C-18BLI | ISSI | DRAM 1G 64Mx16 533MHz LPDDR2 1.2/1.8V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16640C-18BLI-TR | ISSI | DRAM 1G 64Mx16 533MHz LPDDR2 1.2/1.8V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16640C-25BLI | ISSI | DRAM 1G 64Mx16 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16640C-25BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 134-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Memory Organization: 64M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS43LD16640C-25BLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) | Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD16640C-25BLI - SDRAM, 64M x 16 Bit, parallele Schnittstelle, FBGA-134 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4 Bauform - Speicherbaustein: FBGA DRAM-Dichte: 1 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.2 IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40 Taktfrequenz: 400 Seitengröße: - Anzahl der Pins: 134 Produktpalette: IS43LD Betriebstemperatur, max.: 85 Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 16 bit SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16640C-25BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 134-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Memory Organization: 64M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS43LD16640C-25BLI-TR | ISSI | DRAM 1G 64Mx16 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD16640C-25BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 134-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Memory Organization: 64M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS43LD16640D-18BLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI | Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43LD16640D-18BLI - DRAM, Mobile LPDDR2 S4, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 533 MHz, BGA, 134 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 533MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 134Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS43LD16640D-18BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA Memory Organization: 64M x 16 Access Time: 5.5 ns Memory Interface: HSUL_12 Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Part Status: Active Supplier Device Package: 134-VFBGA (10x11.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 533 MHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 1Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 134-VFBGA Packaging: Tray | на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS43LD32128A-25BPLI | ISSI | DRAM | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD32128A-25BPLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168VFBGA Packaging: Tray Package / Case: 168-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Memory Organization: 128M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-18BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 4GBIT HSUL 134TFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 128M x 32 Access Time: 5.5 ns Memory Interface: HSUL_12 Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 533 MHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 134-TFBGA Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 171 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-18BLI | ISSI | DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT | на замовлення 902 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-18BLI-TR | ISSI | DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-18BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 4GBIT HSUL 134TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 134-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 533 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: HSUL_12 Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 128M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-18BPL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA Packaging: Tray Package / Case: 168-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 533 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: HSUL_12 Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 128M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-18BPL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 168-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 533 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: HSUL_12 Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 128M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-18BPLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 128M x 32 Access Time: 5.5 ns Memory Interface: HSUL_12 Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 533 MHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 168-VFBGA Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 168 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-18BPLI | ISSI | DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT | на замовлення 155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-18BPLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 168-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 533 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: HSUL_12 Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 128M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-18BPLI-TR | ISSI | DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-18BPLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 168-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 533 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: HSUL_12 Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 128M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-25BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 4GBIT HSUL 134TFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 128M x 32 Access Time: 5.5 ns Memory Interface: HSUL_12 Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 400 MHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 134-TFBGA Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 171 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-25BLI | ISSI | DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 171 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-25BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 4GBIT HSUL 134TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 134-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: HSUL_12 Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 128M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-25BLI-TR | ISSI | DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-25BPL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA Packaging: Tray Package / Case: 168-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: HSUL_12 Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 128M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-25BPL | ISSI | DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 168 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-25BPL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 128M x 32 Access Time: 5.5 ns Memory Interface: HSUL_12 Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 400 MHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 168-VFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-25BPL-TR | ISSI | DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-25BPLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168VFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 128M x 32 Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 400 MHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 168-VFBGA Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 168 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-25BPLI | ISSI | DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-25BPLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 168-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: HSUL_12 Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 128M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-25BPLI-TR | ISSI | DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-25BPLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 168-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: HSUL_12 Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 128M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |