Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 44 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.69 грн
6000+10.54 грн
9000+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803
Код товару: 28228
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803IR08+ DIP4
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803D2IR
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803D2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803D2HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803D2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803D2PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH 112mOhm HEXFET -40V VDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803D2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803D2TRIR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803D2TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803D2TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.4A 112mOhm 25nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803D2TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5803D2TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.112
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803D2TRPBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803D2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803D2TRPBFIOR09+
на замовлення 80043 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803PBFInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRInfineonTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 190mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF5803 TIRF5803
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.68 грн
100+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -40V -3.4A 112mOhm 25nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 316 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.38 грн
15+29.29 грн
50+19.81 грн
100+17.10 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 3,4 A, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1110 @ 25, Qg, нКл = 37 @ 10 В, Rds = 112 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TSOP-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 1975 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF (TSOP6)
Код товару: 54658
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Id, А: 3,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,11 Ом
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5804Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5804IR09+ TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5804Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5804PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5804TRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5804TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5804TR
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5804TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5804TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -40V -2.5A 198mOhm 5.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5805Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5805Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5805PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5805TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5805TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5805TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -30V -3.8A 98mOhm 11nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5805TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2372+14.87 грн
10000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 2372 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5805TRPBF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5805TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5805TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5805TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.098 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5805TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5805TRPBF-INFInfineon TechnologiesDescription: IRF5805 - TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5806Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5806TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5806TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -20V -4A 86mOhm 8.3nC
на замовлення 16549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5806TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2133+16.55 грн
10000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 2133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5810Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5810Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 960mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5810TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 960mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5810TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 960mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5810TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5810TRPBFIR
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5850Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5850Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5850PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5850TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 960mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5850TRIR09+
на замовлення 97318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5850TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5850TRPBFInternational RectifierTSOP-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5850TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5850TRPBF
Код товару: 34942
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TSOP-6
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Id, А: 1,8/2,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,135 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 320/3,6
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
у наявності: 17 шт
  • 7 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
3+8.00 грн
10+7.00 грн
100+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5850TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 960mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5851
Код товару: 23586
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TSOP-6
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 2,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,09 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 400/4
Примітка: N+P
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5851Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6TSOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5851Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5851PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5851TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6TSOP
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 960mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5851TR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5851TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5851TRPBFInternational RectifierTSOP6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5851TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 20V 2.7A Micro 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5851TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5852Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5852
Код товару: 104324
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TSOP-6
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 2,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,09 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 400/4
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+20.00 грн
10+8.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5852PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5852TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 960mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5852TRBF
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5852TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5852TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 20V 2.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5852TRPBFInternational RectifierTSOP-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5852TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 960mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF59430MPBFIOR2007
на замовлення 644 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5M3205SCVInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5M3205SCVInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5M3205SCXInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5M3205SCXInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5M3415Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5M3415International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5M3415SCVInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5M3415SCVInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5M3415SCXInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5M3710Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 44 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]