Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF5802TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 900 мА, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 88 @ 25, Qg, нКл = 6,8 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 540 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TSOP-6 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 724 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 6990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF5802TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 0.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 150V Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 1771 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF5803 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 Packaging: Tube Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5803 Код товару: 28228
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF5803 | IR | 08+ DIP4 | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5803D2 | IR | на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF5803D2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5803D2HR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5803D2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1330 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5803D2PBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH 112mOhm HEXFET -40V VDSS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5803D2TR | IR | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF5803D2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5803D2TRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5803D2TRPBF | International Rectifier | SO-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5803D2TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5803D2TRPBF | IOR | 09+ | на замовлення 80043 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5803D2TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF5803D2TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 3.4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.112 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5803D2TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.4A 112mOhm 25nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5803PBF | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5803TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5803TR | Infineon | Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 190mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF5803 TIRF5803 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF5803TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 15735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF5803TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5803TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF5803TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5803TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 3,4 A, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1110 @ 25, Qg, нКл = 37 @ 10 В, Rds = 112 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TSOP-6 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 1975 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF5803TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: -3.4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -40V Type of transistor: P-MOSFET | на замовлення 316 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF5803TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5803TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF5803TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5803TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -40V -3.4A 112mOhm 25nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5803TRPBF (TSOP6) Код товару: 54658
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні Напруга сток-витік Uds, В: 40 В Струм стоку Id, А: 3,4 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,11 Ом | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF5804 | IR | 09+ TO-220 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5804 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5804 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6 FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5804PBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5804TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5804TR | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF5804TR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5804TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5804TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh -40V -2.5A 198mOhm 5.7nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5805 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6 Packaging: Tube Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5805 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5805PBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5805TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5805TRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5805TRPBF | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF5805TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5805TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF5805TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.098 ohm, TSOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 3.8 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 2 Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5805TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh -30V -3.8A 98mOhm 11nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5805TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5805TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.8A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF5805TRPBF-INF | Infineon Technologies | Description: IRF5805 - TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5806 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6 Packaging: Tube Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5806TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Vgs (Max): ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5806TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh -20V -4A 86mOhm 8.3nC | на замовлення 16549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5806TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF5810 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 16V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 960mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5810 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5810TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 16V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 960mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5810TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.9A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5810TRPBF | IR | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF5810TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 16V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 960mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: 6-TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5850 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5850 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 960mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5850PBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5850TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 960mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5850TR | IR | 09+ | на замовлення 97318 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5850TRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5850TRPBF Код товару: 34942
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TSOP-6 Напруга сток-витік Uds, В: 20 В Струм стоку Id, А: 1,8/2,2 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,135 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 320/3,6 Примітка: 2P Монтаж: SMD | у наявності: 20 шт
|
| ||||||||||||
| IRF5850TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 960mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5850TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.9A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5850TRPBF | International Rectifier | TSOP-6 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5851 Код товару: 23586
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TSOP-6 Напруга сток-витік Uds, В: 20 В Струм стоку Idd, А: 2,7 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,09 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 400/4 Примітка: N+P Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| IRF5851 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6TSOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 960mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5851 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5851PBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5851TR | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF5851TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6TSOP Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2.2A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 960mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5851TRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5851TRPBF | International Rectifier | TSOP6 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5851TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 20V 2.7A Micro 6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5851TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 960mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5851TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 20V 2.7A Micro 6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5852 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 960mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5852 Код товару: 104324
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TSOP-6 Напруга сток-витік Uds, В: 20 В Струм стоку Idd, А: 2,7 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,09 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 400/4 Монтаж: SMD УКТЗЕД: 8541290010 | на замовлення: 1 шт
|
| ||||||||||||
| IRF5852PBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5852TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 960mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5852TRBF | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF5852TRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5852TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 960mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5852TRPBF | International Rectifier | TSOP-6 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5852TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 2.7A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |