Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD78CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.33 грн
5000+24.93 грн
7500+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGBUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGBUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD800N06NGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD800N06NGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 16A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 16µA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80N04S3-06Infineon TechnologiesDescription: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 52µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80N04S3-06Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 80A DPAK-2 OptiMOS-T
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80N04S306ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80N04S306ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 52µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80N04S306ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80N04S306ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+98.37 грн
500+94.17 грн
1000+88.93 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80N04S306BATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Part Status: Not For New Designs
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80N06S3-09Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L-07Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -80A DPAK-2 OptiMOS-P2
на замовлення 7296 шт:
термін постачання 693-702 дні (днів)
3+139.33 грн
10+114.32 грн
100+78.70 грн
250+73.18 грн
500+66.76 грн
1000+56.68 грн
2500+52.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+59.07 грн
1000+55.79 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -80A DPAK-2 OptiMOS-P2
на замовлення 9999 шт:
термін постачання 693-702 дні (днів)
3+115.17 грн
10+92.89 грн
100+62.75 грн
500+53.23 грн
1000+43.35 грн
2500+40.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+59.07 грн
1000+55.79 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.59 грн
10+77.85 грн
100+52.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD80P03P4L07ATMA1 - IPD80P03 - 20V-150V P-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
435+56.94 грн
Мінімальне замовлення: 435 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.01 грн
500+40.09 грн
1000+34.24 грн
5000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+59.07 грн
1000+55.79 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.13 грн
5000+32.43 грн
7500+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.37 грн
11+74.10 грн
100+55.01 грн
500+40.09 грн
1000+34.24 грн
5000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+59.07 грн
1000+55.79 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.41 грн
5000+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.81 грн
5000+47.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+59.07 грн
1000+55.79 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+68.16 грн
212+66.98 грн
215+66.04 грн
500+63.45 грн
1000+58.64 грн
2000+56.09 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.41 грн
5000+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.17 грн
10+71.35 грн
100+52.99 грн
500+39.57 грн
1000+36.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 21997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.78 грн
10+73.75 грн
100+47.08 грн
500+38.59 грн
1000+35.69 грн
2500+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 800V 5.7A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEInfineon technologies
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 4244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.13 грн
10+83.09 грн
100+56.13 грн
500+41.84 грн
1000+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 800V 5.7A DPAK-2
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.17 грн
10+80.98 грн
100+51.57 грн
500+41.01 грн
1000+37.90 грн
2500+34.93 грн
5000+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.48 грн
12+37.64 грн
100+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.00 грн
500+49.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.17 грн
5000+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.31 грн
12+68.94 грн
100+53.72 грн
500+43.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.27 грн
5000+48.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
708+50.12 грн
1000+47.34 грн
Мінімальне замовлення: 708 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 8737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.15 грн
10+57.00 грн
100+38.66 грн
500+30.93 грн
1000+27.68 грн
2500+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 310000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.12 грн
500+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+97.22 грн
158+90.25 грн
209+68.04 грн
221+61.96 грн
500+49.05 грн
2500+46.98 грн
5000+42.01 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 11nC
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.86 грн
6+74.12 грн
10+65.48 грн
50+46.12 грн
100+39.72 грн
250+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
708+50.12 грн
1000+47.34 грн
Мінімальне замовлення: 708 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.37 грн
12+67.41 грн
100+47.12 грн
500+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.62 грн
10+64.17 грн
100+42.78 грн
500+31.54 грн
1000+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4CEInfineon technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.96 грн
10+64.92 грн
100+49.50 грн
500+37.29 грн
1000+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.06 грн
500+42.25 грн
1000+37.55 грн
5000+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 800V 3.9A DPAK-2
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.95 грн
10+72.40 грн
25+59.37 грн
100+44.73 грн
250+43.28 грн
500+36.04 грн
1000+32.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.53 грн
10+88.59 грн
100+59.12 грн
500+43.38 грн
1000+36.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7Rochester Electronics, LLCDescription: 800V, 1.4OHM, N-CHANNEL MOSFET,
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.85 грн
5000+34.21 грн
7500+33.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.22 грн
18+44.78 грн
100+36.48 грн
500+30.59 грн
1000+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.78 грн
5000+34.13 грн
7500+33.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.00 грн
25+36.37 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.01 грн
10+54.43 грн
15+50.69 грн
25+46.37 грн
75+38.31 грн
100+36.56 грн
500+33.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 15209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.30 грн
10+58.56 грн
100+38.88 грн
500+28.56 грн
1000+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 3344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.54 грн
11+29.45 грн
500+25.47 грн
2500+22.30 грн
5000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+44.18 грн
323+43.94 грн
1000+43.83 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+44.32 грн
1000+41.86 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.48 грн
500+30.59 грн
1000+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.95 грн
5000+22.26 грн
7500+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R280P7Infineon / IRMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R280P7Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+270.18 грн
55+259.88 грн
100+251.07 грн
250+234.76 грн
500+211.45 грн
1000+198.03 грн
2500+193.66 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+174.82 грн
500+165.38 грн
1000+157.11 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.46 грн
10+155.26 грн
25+111.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+151.20 грн
102+140.28 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R280P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.68 грн
10+155.44 грн
100+112.76 грн
500+91.24 грн
1000+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+286.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+110.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R280P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V
на замовлення 5906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.76 грн
10+197.81 грн
100+138.54 грн
500+106.27 грн
1000+98.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+174.82 грн
500+165.38 грн
1000+157.11 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]