Продукція > Si7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 29 30 31 32 33 34 35 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI7904BDN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 3446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.66 грн
10+71.34 грн
100+55.53 грн
500+44.17 грн
1000+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 17.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-GE3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 17.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.66 грн
10+71.34 грн
100+55.53 грн
500+44.17 грн
1000+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 36507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904DVIAHSYQFN10 05+
на замовлення 393 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904DNSI
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904DN-T1
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 100038 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A PPAK 1212
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 935µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.7A, 4.5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 935µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904DY
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7905DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 6.0A 20.8W 60mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7905DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7905DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 6.0A 20.8W 60mohm @ 10V
на замовлення 4153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7905DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7905DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7909DN-T1-E3
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7909DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7909DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7911DN
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7911DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7911DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 728 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7911DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7911DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7911DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7911DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7911DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7913DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7913DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7913DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 2689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7913DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.66 грн
10+105.66 грн
100+84.93 грн
500+65.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7913DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
на замовлення 7489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7913DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 3185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7913DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7913DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7.4 A, 7.4 A, 0.066 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.066ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.066ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7913DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7913DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
на замовлення 7489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7913DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7913DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7.4 A, 7.4 A, 0.066 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.066ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.066ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7913DP
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7918DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922AC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DNVISHAY09+
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-E3
Код товару: 149546
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.16 грн
10+118.35 грн
100+95.13 грн
500+73.35 грн
1000+60.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 34240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.38 грн
10+103.57 грн
100+70.82 грн
500+53.32 грн
1000+52.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7923DNVISHAY07+ TO-92
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7923DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.79 грн
10+101.86 грн
100+81.87 грн
500+63.13 грн
1000+52.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7923DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 6797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7923DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7923DN-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7923DN-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.71 грн
10+127.11 грн
25+123.19 грн
100+98.56 грн
250+87.75 грн
500+72.07 грн
1000+61.24 грн
3000+60.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7923DN-T1-GE3VISHAY09+ SOP16
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7923DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 34266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.59 грн
10+89.10 грн
100+70.94 грн
500+56.33 грн
1000+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7923DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7923DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.4 A, 6.4 A, 0.075 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7923DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.25 грн
6000+46.57 грн
9000+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7923DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 9372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7923DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7923DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.4 A, 6.4 A, 0.075 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7925DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7925DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7925DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.18 грн
6000+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7938DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.03 грн
10+106.29 грн
25+105.24 грн
100+83.28 грн
250+73.08 грн
500+60.32 грн
1000+54.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+100.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-ch. 40V 60A SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.34 грн
6000+57.88 грн
12000+57.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 19989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.88 грн
10+93.80 грн
100+63.79 грн
500+47.82 грн
1000+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7938DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 46W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+157.15 грн
10+96.18 грн
25+82.08 грн
100+66.33 грн
250+65.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.58 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7940DPVISHAY05+
на замовлення 337 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7940DP-T1
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7940DP-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7940DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7940DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7940DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7941DPVISHAY09+
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7941DP-T1Vishay / SiliconixMOSFET 30V 9.0A 1.4W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7941DP-T1
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7941DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 9.0A 1.4W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7941DP-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7941DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7942AG
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7942DPVISHAY05+
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7942DP-T1
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7942DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7942DP-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7942DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7942DP-T1-E3 - MOSFET, DUAL N-CH, 100V, 3.8A, 150DEG C
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 3.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 1.4
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 29 30 31 32 33 34 35 36  [ Наступна Сторінка >> ]