Продукція > APT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APT50M85B2VFR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| APT50M85B2VR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| APT50M85JVFR | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules FG, FREDFET, 500V, 0.085_OHM, SOT-227 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT50M85JVFR | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT50M85JVR | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT50M85JVR | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT50M85JVR | Microchip Technology / Atmel | Discrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 500V, 0.085_OHM, SOT-227 | на замовлення 269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| APT50M85JVR | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT50M85JVR | Microchip Technology | MOSFET Modules MOSFET MOS5 500 V 85 mOhm SOT-227 | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| APT50M85LVFR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| APT50M85LVR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| APT50MC120JCU2 | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT50MC120JCU2 | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET N-CH 1200V SOT227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT50N50 | APT | MODULE | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT50N50JVR | APT | MODULE | на замовлення 87 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT50N60JCCU2 | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT50N60JCCU2 | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SOT227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT50N60JCCU2 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 50A SOT227 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-227 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT50N60JCU2 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 52A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Supplier Device Package: SOT-227 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT50SCE65B | Microsemi Corporation | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 50A TO247 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT50SM120B | Microchip / Microsemi | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT50SM120J | Microchip / Microsemi | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT50SM120S | Microchip / Microsemi | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT51F50J | Microchip Technology | MOSFET Modules FREDFET MOS8 500 V 51 A SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT51F50J | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: ISOTOP® Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| APT51M50J | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT51M50J | Microchip Technology | MOSFET Modules MOSFET MOS8 500 V 51 A SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT53F80J | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules FG, FREDFET, 800V, SOT-227 | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| APT53F80J | MICROSEMI | ISOTOP-4/53 A, 800 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT53F80 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT53F80J | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 57A ISOTOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17550 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: ISOTOP® Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 43A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| APT53N60BC6 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 53A TO247 Supplier Device Package: TO-247 [B] Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.72mA Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT53N60BC6 | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 53 A TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT53N60SC6 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 53A D3PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D3Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.72mA Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT53N60SC6 | Microchip / Microsemi | MOSFET Power MOSFET - CoolMOS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 58 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT541-227-0001 | APT | на замовлення 16 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| APT546-227-6257 | APT | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| APT54GA60B | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 8 Single 600 V 54 A TO-247 | на замовлення 66 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| APT54GA60B | Microchip Technology | Description: IGBT 600V 96A 416W TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT54GA60B | Microchip / Microsemi | IGBT Transistors FG, IGBT, 600V, TO-247 | на замовлення 85 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT54GA60BD30 | Microchip / Microsemi | IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247 | на замовлення 122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT54GA60BD30 | Microchip Technology | Description: IGBT 600V 96A 416W TO247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT54GA60BD30 | MICROSEMI | TO-247 [B]INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 8 - COMBI кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT54GA60BD30 | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 54 A TO-247 | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| APT5510JFLL | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 550V 44A ISOTOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT5518BFLLG | Microchip Technology | Microchip Technology | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT5518BFLLG | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 550V 31A TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT55M50JFLL | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 550V 77A ISOTOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT55M65JFLL | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 550V 63A ISOTOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT56F50B2 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Power Dissipation (Max): 780W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Variant Packaging: Tube | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| APT56F50B2 | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 500V 56A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT56F50B2 | Microsemi | MOSFET Power FREDFET - MOS8 | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT56F50L | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS 8 500 V 56 A TO-264 | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| APT56F50L | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 56A TO264 Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-264 [L] Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Power Dissipation (Max): 780W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT56F60B2 | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS8 600 V 56 A TO-247 MAX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT56F60B2 | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT56F60B2 | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 600V 60A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT56F60B2 | Microsemi | MOSFET Power FREDFET - MOS8 | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT56F60L | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS8 600 V 56 A TO-264 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT56F60L | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-264 (L) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT56H50J | APT | 56A/500V/MOS/1U | на замовлення 149 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT56M50B2 | Microchip Technology | MOSFET FG, MOSFET, 500V, TO-247 T-MAX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT56M50B2 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 47 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT56M50B2 | Microchip / Microsemi | MOSFET FG, MOSFET, 500V, TO-247 T-MAX | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT56M50L | Microchip / Microsemi | MOSFET FG, MOSFET, 500V, TO-264 | на замовлення 84 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT56M50L | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 56A TO264 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-264 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Power Dissipation (Max): 780W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Packaging: Tube | на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| APT56M50L | Microchip Technology | MOSFET MOSFET MOS8 500 V 56 A TO-264 | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| APT56M60B2 | Microchip / Microsemi | MOSFET FG, MOSFET, 600V, TO-247 T-MAX | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT56M60B2 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT56M60B2 | Microchip Technology | MOSFET MOSFET MOS8 600 V 56 A TO-247 MAX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT56M60L | Microchip Technology | MOSFET MOSFET MOS8 600 V 56 A TO-264 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT56M60L | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-264 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT56M60L | Microchip / Microsemi | MOSFET FG, MOSFET, 600V, TO-264 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT58F50J | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT58F50J | Microsemi | Trans MOSFET N-CH 500V 58A 4-Pin SOT-227 Tube | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| APT58M50J | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT58M50J | Microsemi | Trans MOSFET N-CH Si 500V 58A 4-Pin SOT-227 Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| APT58M50J | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power MOSFET - MOS8 | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT58M50JCU2 | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET N-CH 500V 59A SOT227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT58M50JCU2 | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules CC0062 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT58M50JCU3 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 58A SOT227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT58M50JU2 | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET N-CH 500V 58A SOT227 | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT58M50JU2 | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules CC0063 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 34 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT58M50JU3 | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - Mosfet | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT58M50JU3 | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules DOR CC0092 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 34 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT58M50JU3 | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT58M80J | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 60A SOT227 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17550 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: SOT-227 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 43A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| APT58M80J | MICROSEMI | SOT227/POWER MOSFET - MOS8 APT58M80 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT58M80J | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 800V, SOT-227 | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT58MJ50J | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT5F100K | Microchip Technology | MOSFETs Power FREDFET - MOS8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT5F100K | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 1000V 5A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1409 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220 [K] Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Power Dissipation (Max): 225W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT5SM170B | Microsemi Corporation | Description: SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2.5A, 20V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 500µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 249 pF @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT6010B2FLLG | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS7 600 V 10 Ohm TO-247 MAX | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT6010B2FLLG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 27A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6710 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT6010B2LL | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| APT6010B2LLG | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT6010B2LLG | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET MOS7 600 V 10 Ohm TO-247 MAX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT6010B2LLG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6710 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Power Dissipation (Max): 690W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 27A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Variant Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT6010JFLL | Microchip Technology | MOSFET Modules FREDFET MOS7 600 V 10 Ohm SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT6010JFLL | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 47A ISOTOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6710 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Supplier Device Package: ISOTOP® Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 23.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. |

