Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMB2307NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 6MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.28 грн
6000+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2307NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+88.45 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2307NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.45 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2308PZonsemiMOSFETs Dual Com Drain -20V P-Channel Pwr Trench
на замовлення 4125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2308PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2308PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2308PZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.33 грн
10+116.69 грн
100+80.36 грн
500+61.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2308PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2308PZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2308PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3800NONSEMIDescription: ONSEMI - FDMB3800N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3800NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active
на замовлення 10662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.11 грн
10+61.51 грн
100+40.96 грн
500+30.16 грн
1000+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3800Nonsemi / FairchildMOSFETs 30V Dual N-Channel PwrTrch MOSFET
на замовлення 14012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3800NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.68 грн
6000+23.88 грн
9000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3900ANON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3900ANonsemi / FairchildMOSFET 25V Dual N-Chanenl
на замовлення 4929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3900ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3900ANON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP
на замовлення 3427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3900ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.16 грн
10+81.78 грн
100+62.72 грн
500+47.81 грн
1000+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB506PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 10 V
на замовлення 5237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+49.32 грн
Мінімальне замовлення: 452 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB668PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB668PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 10 V
на замовлення 10643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LConsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+147.33 грн
500+133.18 грн
1000+122.58 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 14293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+147.33 грн
500+133.18 грн
1000+122.58 грн
10000+105.13 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 42A; Idm: 330A; 57W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 57W
Case: PQFN8
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+147.33 грн
500+133.18 грн
1000+122.58 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LConsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 40 V
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.09 грн
10+142.96 грн
50+109.79 грн
100+93.00 грн
500+75.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+86.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LConsemiMOSFETs 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET
на замовлення 6276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+86.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+147.33 грн
500+133.18 грн
1000+122.58 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 41A; Idm: 339A; 57W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 339A
Power dissipation: 57W
Case: PQFN8
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC007N08LCDC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDCON SemiconductorFDMC007N08LCDC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 15A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+67.23 грн
216+65.54 грн
221+61.79 грн
250+57.10 грн
Мінімальне замовлення: 211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDCON SemiconductorFDMC007N08LCDC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 15A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+95.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDConsemiMOSFETs FET 80V 64A 6.8 mOhm
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC007N08LCDC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDCON SemiconductorFDMC007N08LCDC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 15A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+421.57 грн
10+277.22 грн
100+195.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V
на замовлення 15582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.25 грн
10+176.24 грн
100+124.21 грн
500+105.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N30Donsemi / FairchildMOSFETs Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N30DonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.9W, 2.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.60 грн
10+65.06 грн
100+43.27 грн
500+31.83 грн
1000+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N30DonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N30DON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC008N08CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+126.11 грн
500+113.51 грн
1000+104.67 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC008N08CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+126.11 грн
500+113.51 грн
1000+104.67 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC008N08Consemi / FairchildMOSFETs 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET
на замовлення 3802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC008N08ConsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.95 грн
10+121.97 грн
100+83.74 грн
500+63.25 грн
1000+58.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC008N08CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC008N08CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+126.11 грн
500+113.51 грн
1000+104.67 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC008N08ConsemiMOSFETs 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC008N08ConsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC010N08CONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC010N08C - FET 80V 10.0 MOHM IN 3X3CLIP/ REEL 65AC4694
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC010N08ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+104.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC010N08ConsemiMOSFETs PTNG 80/20V IN 51A 10 mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC010N08ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.07 грн
10+188.02 грн
100+132.29 грн
500+101.84 грн
1000+94.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC010N08LConsemiDescription: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC010N08LConsemiMOSFET FET 80V 51A 10.9 mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+82.79 грн
500+74.52 грн
1000+68.72 грн
10000+59.08 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03onsemiMOSFETs PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET
на замовлення 2572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+82.79 грн
500+74.52 грн
1000+68.72 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.49 грн
10+92.61 грн
100+62.66 грн
500+46.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+82.79 грн
500+74.52 грн
1000+68.72 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC012N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 0.00123 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 8738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+82.79 грн
500+74.52 грн
1000+68.72 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 8738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+116.35 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+82.79 грн
500+74.52 грн
1000+68.72 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC012N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 0.00123 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC013P030ZON SemiconductorFDMC013P030Z ON Semiconductor Transistors MOSFETs P-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC013P030ZON Semiconductor / FairchildMOSFET P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -54A, 7.0m
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC013P030ZonsemiDescription: P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET -30
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5785 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+121.49 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0202SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC0202S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1456 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0202SFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 14629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1211+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 1211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0205Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
на замовлення 188630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 1480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0205ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC0205 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 188630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1780 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0208ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC0208 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1456 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0208Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0222Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 2049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0222ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC0222 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0223Fairchild SemiconductorDescription: RF MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 6940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 1665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0225ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC0225 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 200580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0225Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
на замовлення 200580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 2049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0228ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC0228 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0228Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 2049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0310ASonsemiMOSFETs PT8 NCH 30V/20V S ML
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0310ASONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; Idm: 100A; 36W; MLP8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 36W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0310ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/21A 8MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0310AS-F127onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.53 грн
6000+22.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0310AS-F127ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0310AS-F127onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.38 грн
10+65.29 грн
50+48.74 грн
100+40.72 грн
500+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0310AS-F127ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
720+49.17 грн
1000+45.34 грн
Мінімальне замовлення: 720 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0310AS-F127ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; Idm: 100A; 36W; MLP8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 36W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0310AS-F127onsemiMOSFETs Computing MOSFET
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.