Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 12 16 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMA908PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3957 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 23650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.90 грн
6000+21.31 грн
9000+20.44 грн
15000+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA908PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA908PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0125 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA910PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 9.4A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA910PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 10 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+44.05 грн
100+28.82 грн
500+20.87 грн
1000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA910PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 10 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.91 грн
6000+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA910PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 9.4A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA910PZonsemi / FairchildMOSFETs P-CHAN -20V -9.4A
на замовлення 4349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.48 грн
10+65.34 грн
100+38.73 грн
500+30.79 грн
1000+28.23 грн
3000+24.78 грн
6000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2307NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+88.65 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2307NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 6MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
на замовлення 8875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.18 грн
10+65.21 грн
100+43.31 грн
500+31.82 грн
1000+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2307NZonsemi / FairchildMOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.41 грн
10+54.30 грн
100+36.73 грн
500+31.13 грн
1000+25.34 грн
3000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2307NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.65 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2307NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 6MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.08 грн
6000+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2307NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2308PZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2308PZonsemiMOSFETs Dual Com Drain -20V P-Channel Pwr Trench
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.93 грн
10+127.02 грн
100+78.01 грн
500+64.68 грн
1000+57.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2308PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2308PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+97.45 грн
500+72.47 грн
1000+61.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2308PZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.62 грн
10+115.62 грн
100+79.63 грн
500+61.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2308PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2308PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.40 грн
10+131.28 грн
100+97.45 грн
500+72.47 грн
1000+61.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3800NONSEMIDescription: ONSEMI - FDMB3800N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.48 грн
11+78.61 грн
100+58.47 грн
500+46.74 грн
1000+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3800NFAIRCHILD
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3800NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.44 грн
6000+23.66 грн
9000+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3800Nonsemi / FairchildMOSFETs 30V Dual N-Channel PwrTrch MOSFET
на замовлення 14012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.51 грн
10+61.53 грн
100+36.86 грн
500+29.82 грн
1000+27.20 грн
3000+24.71 грн
6000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3800NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active
на замовлення 10662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.19 грн
10+60.95 грн
100+40.59 грн
500+29.89 грн
1000+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3900ANonsemi / FairchildMOSFET 25V Dual N-Chanenl
на замовлення 4929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+70.42 грн
100+46.94 грн
500+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3900ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.37 грн
10+81.96 грн
100+62.86 грн
500+47.91 грн
1000+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3900ANONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 7A; Idm: 28A; 1.6W; MicroFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3900ANON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3900ANON Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3900ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3900ANON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP
на замовлення 3427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB506PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 10 V
на замовлення 5237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+48.87 грн
Мінімальне замовлення: 452 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB668PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 10 V
на замовлення 10643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB668PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+147.66 грн
500+133.48 грн
1000+122.85 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+86.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LConsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+86.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+147.66 грн
500+133.48 грн
1000+122.85 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+147.66 грн
500+133.48 грн
1000+122.85 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LConsemiMOSFETs 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET
на замовлення 6276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.29 грн
10+142.90 грн
100+85.60 грн
500+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 14293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+147.66 грн
500+133.48 грн
1000+122.85 грн
10000+105.37 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LConsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 40 V
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.49 грн
10+122.87 грн
100+84.94 грн
500+66.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 42A; Idm: 330A; 57W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 57W
Case: PQFN8
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V
на замовлення 15582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.70 грн
10+174.63 грн
100+123.07 грн
500+104.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC007N08LCDC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+321.35 грн
10+212.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDCON Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDCON SemiconductorFDMC007N08LCDC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 15A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+422.51 грн
10+277.84 грн
100+195.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDConsemiMOSFETs FET 80V 64A 6.8 mOhm
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+322.16 грн
10+207.21 грн
100+134.62 грн
500+108.38 грн
1000+105.62 грн
3000+98.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+94.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 41A; Idm: 339A; 57W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 339A
Power dissipation: 57W
Case: PQFN8
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC007N08LCDC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDCON SemiconductorFDMC007N08LCDC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 15A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+67.38 грн
216+65.69 грн
221+61.93 грн
250+57.22 грн
Мінімальне замовлення: 211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDCON SemiconductorFDMC007N08LCDC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 15A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N30Donsemi / FairchildMOSFETs Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.62 грн
10+60.73 грн
100+39.28 грн
500+31.69 грн
1000+28.23 грн
3000+24.85 грн
6000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N30DonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.9W, 2.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.62 грн
10+64.47 грн
100+42.88 грн
500+31.54 грн
1000+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N30DON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N30DonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC008N08CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC008N08CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+126.39 грн
500+113.76 грн
1000+104.90 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC008N08Consemi / FairchildMOSFETs 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET
на замовлення 3802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.94 грн
10+107.97 грн
100+66.76 грн
500+54.81 грн
1000+52.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC008N08ConsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.16 грн
10+120.86 грн
100+82.98 грн
500+62.67 грн
1000+57.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC008N08CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+126.39 грн
500+113.76 грн
1000+104.90 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC008N08ConsemiMOSFETs 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.54 грн
10+127.82 грн
100+78.01 грн
500+71.11 грн
1000+57.44 грн
3000+53.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC008N08CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+126.39 грн
500+113.76 грн
1000+104.90 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC008N08ConsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC010N08ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.34 грн
10+186.29 грн
100+131.08 грн
500+100.90 грн
1000+93.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC010N08ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+103.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC010N08CONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC010N08C - FET 80V 10.0 MOHM IN 3X3CLIP/ REEL 65AC4694
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC010N08ConsemiMOSFETs PTNG 80/20V IN 51A 10 mOhm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC010N08CON Semiconductor
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC010N08LConsemiDescription: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC010N08LConsemiMOSFET FET 80V 51A 10.9 mOhm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03onsemiMOSFETs PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.50 грн
10+111.94 грн
100+66.48 грн
500+59.37 грн
3000+38.04 грн
6000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 8738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+82.97 грн
500+74.68 грн
1000+68.87 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC012N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 0.00123 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.56 грн
10+124.84 грн
100+107.12 грн
500+89.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 8738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+116.61 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+82.97 грн
500+74.68 грн
1000+68.87 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03ONN
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.36 грн
10+177.17 грн
100+124.39 грн
500+97.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+82.97 грн
500+74.68 грн
1000+68.87 грн
10000+59.21 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+82.97 грн
500+74.68 грн
1000+68.87 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC012N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 0.00123 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.12 грн
500+89.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+82.97 грн
500+74.68 грн
1000+68.87 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC013P030ZonsemiDescription: P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET -30
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5785 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+120.38 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC013P030ZON Semiconductor / FairchildMOSFET P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -54A, 7.0m
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC013P030ZON SemiconductorFDMC013P030Z ON Semiconductor Transistors MOSFETs P-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0202SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC0202S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1456+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 1456 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0202SFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 14629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1211+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 1211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0205ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC0205 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 188630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1780+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 1780 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0205Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
на замовлення 188630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 1480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0208ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC0208 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1456+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 1456 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0208Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 12 16 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]