Продукція > NGT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NGTB50N120FL2WAGonsemiDescription: NGTB50N120 - IGBT, 1200 V FIELD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N120FL2WGONN
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N120FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 256 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 118ns/282ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 311 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 535 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N120FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB50N120FL2WG - IGBT, 100 A, 2.2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 535
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N120FL2WGOn SemiconductorIGBT 1200V 100A 535W TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N120FL2WGonsemiIGBTs 1200V/50A FAST IGBT FSII
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 417 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60FLWGonsemiIGBTs IGBT, 600 V, 50 A, FS1 Solar/UPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60FLWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/292ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60FWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+367.73 грн
102+348.87 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60FWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+367.73 грн
102+348.87 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60FWGonsemiDescription: IGBT 600V 100A 223W TO247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
на замовлення 10950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+263.71 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60FWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB50N60FWG - IGBT, 600V, 50A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60FWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+367.73 грн
102+348.87 грн
500+331.19 грн
1000+301.18 грн
10000+263.09 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60FWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+367.73 грн
102+348.87 грн
500+331.19 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60FWGonsemiDescription: IGBT 600V 100A 223W TO247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60L2WGOn SemiconductorIGBT N-CH 600V 100A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60L2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 800µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60L2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+454.95 грн
100+432.56 грн
500+408.98 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60L2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB50N60L2WG - IGBT, 600V, 100A, 175°C, 500W, TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60S1WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+328.84 грн
500+312.34 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60S1WGonsemiDescription: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 417 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60S1WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+328.84 грн
500+312.34 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60S1WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB50N60S1WG - IGBT, SINGLE, 600V, 100A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60S1WGonsemiDescription: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 417 W
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+247.61 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60SWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 376 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/144ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60SWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+308.80 грн
500+292.30 грн
1000+276.98 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60SWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 376 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/144ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+221.44 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WAGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB50N65FL2WAG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WAGonsemiDescription: IGBT FS 650V 160A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/123ns
Switching Energy: 420µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 417 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WAG
Код товару: 154577
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WAGON SemiconductorIGBT Transistors 650V/50 FAST IGBT FSII TO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WGONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 208W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WGonsemiIGBTs 600V/50A FAST IGBT FSII T
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB50N65FL2WG - IGBT, 650V 50A FS2 SOLAR/UPS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 417 W
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+531.43 грн
30+296.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65S1WGonsemiIGBTs IGBT, FSII, 650V, 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65S1WGonsemiDescription: IGBT TRENCH 650V 140A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 75ns/128ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB60N60SWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/180ns
Switching Energy: 1.41mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 173 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 298 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB60N60SWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB60N60SWG - 600V-60A IGBT LPT TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB60N60SWGonsemiIGBTs 600V/60A IGBT LPT TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB60N60SWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/180ns
Switching Energy: 1.41mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 173 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 298 W
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+291.21 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB60N60SWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+372.45 грн
100+353.59 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB60N65FL2WGonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 117ns/265ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 318 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 595 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB60N65FL2WGonsemiIGBT Transistors 650V/60A FAST IGBT FSII
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB60N65FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB60N65FL2WG - IGBT, SINGLE, N-CH, 650V, 100A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB60N65FL2WG.ONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB60N65FL2WG. - IGBT, 100 A, 1.64 V, 595 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 595
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.64
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N60FL2onsemionsemi 600V/75A FAST FSII TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N60FL2WGonsemiIGBT Transistors IGBT, 600V 75A FS2 Solar/UPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N60FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 595 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N60Sonsemionsemi FSII 75A 600V WELDING
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N60SWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB75N60SWG - IGBT, SINGLE, 600V, 100A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N60SWGonsemiDescription: IGBT 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 595 W
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+316.27 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N60SWG
Код товару: 184223
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N60SWGonsemiDescription: IGBT 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 595 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N60SWGonsemiIGBT Transistors FSII 75A 600V Welding
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WAGON SemiconductorIGBT Transistors 650V/75 FAST IGBT FSII TO
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WAGonsemiDescription: IGBT FS 650V 200A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/157ns
Switching Energy: 610µJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 536 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 595 W
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+664.67 грн
30+378.00 грн
120+320.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB75N65FL2WG - IGBT, 100 A, 1.75 V, 595 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WGONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 265W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 265W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WGOn SemiconductorIGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WGonsemiIGBTs 650V/75A FAST FSII TO-247
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD13R120F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/25A CN34 FAST RECTI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD13R120F2SWKON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD13R120F2WPON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/25A CN34 FAST REC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD13R120F2WPON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD13T65F2SWKonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD13T65F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650V 30A FS2 bare die
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD13T65F2WPON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650V 30A FS2 bare die
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD13T65F2WPonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD14T65F2SWKonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD14T65F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650V 35A FS2 bare die
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD14T65F2WPON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650V 35A FS2 bare die
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD14T65F2WPonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD15R65F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 650V/50A CC15 FAST RECTIF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD15R65F2SWKON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 650V DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD15R65F2WPonsemiDescription: DIODE GEN PURP 650V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: Standard
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD15R65F2WPonsemiIGBT Transistors 650V/50A CC15 FAST RECTIFIER UNSAWN WAFER SALES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD17R120F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/40A CJ61 FAST RECTI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD17R120F2SWKON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD17R120F2WPON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD17R120F2WPON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/40A CJ61 FAST REC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD17T65F2SWKonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD17T65F2WPON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 600V 40A FS2 bare die
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD17T65F2WPonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD20T120F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/25A CN35 FAST IGBT
на замовлення 19069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD20T120F2SWKonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD20T120F2WPonsemiIGBT Transistors 1200V/25A CN35 FAST IGBT UNSAWN WAFER SALES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD20T120F2WPonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD21T65F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 650V 45A FS2 bare die
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD21T65F2SWKON SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
на замовлення 17461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD21T65F2WPON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 650V 45A FS2 bare die
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.