Продукція > NSS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NSS30100LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat
на замовлення 3537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.69 грн
15+22.15 грн
100+11.32 грн
1000+7.46 грн
3000+7.18 грн
9000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 310 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 5351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
17+18.55 грн
100+12.52 грн
500+9.14 грн
1000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.56 грн
28+27.25 грн
33+23.14 грн
100+14.70 грн
250+13.47 грн
500+12.81 грн
1000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.03 грн
500+10.25 грн
1000+7.94 грн
5000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
613+23.14 грн
930+15.24 грн
940+15.09 грн
949+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GON09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 30V Low VCEsat
на замовлення 19761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.61 грн
18+18.58 грн
100+8.84 грн
1000+7.94 грн
3000+6.35 грн
9000+6.21 грн
24000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.90 грн
6000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.65 грн
29+26.51 грн
100+13.83 грн
250+12.68 грн
500+12.05 грн
1000+8.36 грн
3000+8.07 грн
6000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GONN
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Power - Max: 310 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
17+18.55 грн
100+12.52 грн
500+9.14 грн
1000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
535+26.51 грн
989+14.35 грн
999+14.20 грн
1009+13.56 грн
1454+8.71 грн
3000+8.07 грн
6000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 535 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS30101LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1
на замовлення 33500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 2A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 535 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 2A 1180mW 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.08 грн
10+39.85 грн
100+22.51 грн
500+17.33 грн
1000+15.60 грн
3000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GON09+
на замовлення 6751 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 2A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 535 mW
на замовлення 5377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
10+37.47 грн
100+24.37 грн
500+17.57 грн
1000+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 2A; 1.75W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 300...900
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1
на замовлення 12814 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 35V Low VCEsat
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 635 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A 13500mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GONSSOP8
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8TIGonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 635 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A 1000mW 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+11.64 грн
70+10.92 грн
71+10.75 грн
100+9.29 грн
250+8.57 грн
500+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A 1000mW 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GON07+;
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 35V Low VCEsat
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.94 грн
10+37.71 грн
100+24.58 грн
500+19.26 грн
1000+15.05 грн
3000+12.77 грн
9000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3CS-WHBussmann / EatonDIN Rail Terminal Blocks TB W/COMBO SCREW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3CS-WHEaton BussmannDescription: TERM BLOCK W/COMBO SCREW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3PP-WHBussmann / EatonDIN Rail Terminal Blocks TERM BLK W PP WHITE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.07 грн
500+8.60 грн
1500+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.47 грн
26+29.30 грн
100+18.44 грн
500+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 2A; 0.71W; SOT23,TO236AB
Polarisation: bipolar
Case: SOT23; TO236AB
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.71W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 100MHz
Current gain: 250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.78 грн
10+38.34 грн
100+21.12 грн
500+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+36.73 грн
50+22.63 грн
100+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
957+37.04 грн
1038+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 957 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT WDFN6 2*2 LOW VCE (SAT) TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 38280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
957+37.04 грн
1038+34.16 грн
10000+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 957 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON Semiconductor
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 159923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
957+37.04 грн
1038+34.16 грн
10000+30.46 грн
100000+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 957 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Current gain: 200
Application: automotive industry
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.38 грн
17+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.14 грн
500+11.59 грн
1500+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.31 грн
23+33.55 грн
25+31.87 грн
100+20.61 грн
250+18.13 грн
500+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 40V 4.0A
на замовлення 65062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.28 грн
13+25.64 грн
100+14.22 грн
500+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.67 грн
50+21.26 грн
100+15.14 грн
500+11.59 грн
1500+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.38 грн
13+23.93 грн
100+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
445+31.87 грн
664+21.38 грн
698+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300onsemionsemi PNP SOT223 BIP POWER TRAN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 175hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.08 грн
500+35.00 грн
1000+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300CTWGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 175hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.37 грн
12+72.24 грн
100+48.08 грн
500+35.00 грн
1000+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT PNP LFPAK4 BIP POWER TRAN
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.51 грн
10+65.42 грн
100+37.69 грн
500+29.82 грн
1000+27.75 грн
3000+23.54 грн
6000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300CTWGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.86 грн
10+59.53 грн
100+39.63 грн
500+29.15 грн
1000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2onsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Power - Max: 653mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: 8-SOIC
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 1158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2ONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300DDR2 - TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.99 грн
5000+20.48 грн
7500+19.63 грн
12500+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GON Semiconductor
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.45 грн
10+60.65 грн
100+34.93 грн
500+27.27 грн
1000+24.78 грн
2500+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 14697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.76 грн
10+53.17 грн
100+35.16 грн
500+25.74 грн
1000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDG
на замовлення 5388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.06 грн
10+61.61 грн
100+35.41 грн
500+27.68 грн
1000+24.30 грн
2500+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GON Semiconductor
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.54 грн
10+54.00 грн
100+35.70 грн
500+26.16 грн
1000+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON
на замовлення 41500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+39.56 грн
100+25.69 грн
500+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 40V 3.0A
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.41 грн
10+34.53 грн
100+20.57 грн
500+16.36 грн
1000+14.22 грн
2000+12.98 грн
5000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.46 грн
22+37.05 грн
50+31.81 грн
200+24.68 грн
500+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.45 грн
2000+16.15 грн
3000+15.32 грн
5000+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.15 грн
43+17.60 грн
100+16.69 грн
250+15.21 грн
500+14.36 грн
1000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.81 грн
200+24.68 грн
500+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+30.89 грн
100+19.95 грн
500+14.28 грн
1000+12.86 грн
2000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3G
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 40V 3.0A
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.50 грн
10+33.11 грн
100+19.05 грн
500+14.84 грн
1000+12.15 грн
4000+11.46 грн
8000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300UT001
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301onsemi NPN 40V LOW SAT SOT223 BP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT LFPAK4 BP
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.51 грн
10+65.42 грн
100+37.69 грн
500+29.82 грн
1000+27.75 грн
3000+23.54 грн
6000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]