Продукція > NTM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 12 15 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTMD5836NLR2GonsemiMOSFET NFET SO8-D 40V 10 25mOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD5836NLR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD5838NLR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD5838NLR2GonsemiMOSFETs NFETDPAK40V100A3.7M OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD5838NLR2GON Semiconductor2N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 7,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 785 @ 20, Qg, нКл = 17 @ 10 В, Rds = 25 мОм @ 7 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD5838NLR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD5838NLR2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.4 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Anzahl der Pins: 8
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: NSOIC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02
Dauer-Drainstrom Id: 7.4
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0162
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 2.1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 20085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD5838NLR2G
Код товару: 204296
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD5838NLR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD5838NLR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD5838NLR2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.4 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.4
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: NSOIC
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 20085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD5838NLR2GDiodesTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6601NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
на замовлення 59844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+2416.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6601NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02ON07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02D2
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02R2onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02R2MOTSOP-8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02R2ON SemiconductorMOSFET 20V 6A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.92A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 730mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02R2GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02R2GonsemiMOSFETs NFET 20V 0.035R TR
на замовлення 4719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.92A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 730mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.27 грн
10+56.53 грн
100+37.32 грн
500+27.27 грн
1000+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03MOT95+ SOP
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03onsemionsemi NFET SO8 30V 6A 32MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N0382
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.29W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 53550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
956+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 956 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2ON04+
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2onsemiMOSFETs 30V 6A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 52300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1441+24.55 грн
10000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 1441 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2G
Код товару: 94669
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2GON Semiconductor
на замовлення 52570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
756+46.78 грн
1000+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 756 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2GonsemiMOSFET NFET 30V SPCL TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
756+46.78 грн
1000+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 756 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.29W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
756+46.78 грн
1000+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 756 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2GOSonsemiMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Arrays - MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N04R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 32V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.29W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N04R2GonsemiMOSFET NFET SO8 40V 5.8A 0.027R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N04R2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD6N04R2G - NTMD6N04R2G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N04R2G
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02ON07+ SO-8
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02onsemionsemi PFET SO8 20V 6A 33MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02DR2G
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2onsemiMOSFET 20V 6A P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2onsemiDescription: MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2GON-SemiconductorTransistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6,2A; 1,28W; -55°C ~ 150°C; NTMD6P02R2G TNTMD6p02
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2GonsemiMOSFETs 20V 6A P-Channel
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 750mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 750mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2SGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMED2P01R2G
на замовлення 923 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMF1N05MOT09+ SO-8
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMF4708NT1G
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMF4N02MOT09+ SO-8
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFC013NP10M5LonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 100V 9A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W (Ta), 102W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 60A (Tc), 5A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345pF @ 50V, 2443pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 8.5A, 10V, 36mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V, 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 158µA, 4V @ 158µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (5x6)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFC013NP10M5LonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Dual N- & P-Channel, SO8FL, 100 V, 13.4 mohm, 60 A, -100 V, 32 mohm, -36 A MOSFET - Power, Dual N- & P-Channel, SO8FL, 100 V, 13.4 mohm, 60 A, -100 V, 32 mohm, -36 A
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFC013NP10M5LonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 100V 9A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W (Ta), 102W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 60A (Tc), 5A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345pF @ 50V, 2443pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 8.5A, 10V, 36mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V, 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 158µA, 4V @ 158µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (5x6)
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.50 грн
10+149.52 грн
100+104.40 грн
500+85.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD001N03P9ONN
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD001N03P9onsemiMOSFETs FET 30V 1.2 MOHM PQFN56MP
на замовлення 2917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD001N03P9onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 43nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 1mOhm @ 40A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224pF @ 15V, 6575pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 57A (Tc), 25A (Ta), 165A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 960mW (Ta), 25W (Tc), 1.04W (Ta), 41W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD001N03P9onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 25W (Tc), 1.04W (Ta), 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 57A (Tc), 25A (Ta), 165A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224pF @ 15V, 6575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 1mOhm @ 40A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 43nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.60 грн
10+120.61 грн
100+83.01 грн
500+65.54 грн
1000+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD016N06ConsemiON Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.20 грн
10+95.25 грн
50+72.01 грн
100+60.53 грн
500+48.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD016N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD016N06CT1GONN
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD020N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.28 грн
10+93.14 грн
50+70.38 грн
100+59.15 грн
500+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
на замовлення 10420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.52 грн
10+66.95 грн
50+49.89 грн
100+41.66 грн
500+30.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD024N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.42 грн
3000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+36.20 грн
3000+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD030N06CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD030N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD030N06CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.66 грн
11+69.22 грн
100+67.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 11845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.84 грн
10+75.93 грн
50+56.97 грн
100+47.71 грн
500+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD0D9N02P1EonsemiDescription: IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 340µA, 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V, 30nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, 720µOhm @ 41A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 30A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 25V
Power - Max: 960mW (Ta), 1.04W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD1D1N02XonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 14A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 27W (Tc), 1W (Ta), 44W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc), 27A (Ta), 178A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 12V, 4265pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, 0.87mOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 59nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 240µA, 2.1V @ 850µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 5485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.85 грн
10+169.52 грн
100+118.77 грн
500+92.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD1D1N02XonsemiMOSFET Dual Power MOSFETs, N-Channel, 25V, 3.0mohm/75A, 0.87mohm/178A, Asymmetric, Power Clip Dual 5x6 25V, N-Channel, Power MOSFETs, Power Clip Dual 5x6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD1D1N02XonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 14A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 27W (Tc), 1W (Ta), 44W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc), 27A (Ta), 178A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 12V, 4265pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, 0.87mOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 59nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 240µA, 2.1V @ 850µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+83.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD1D4N02P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2V @ 800µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD1D4N02P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2V @ 800µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.47 грн
10+137.60 грн
100+95.47 грн
500+76.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD1D6N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 23W (Tc), 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 32A (Ta), 109A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 6430pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 1.6mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 87nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.13 грн
6000+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD1D6N03P8onsemiMOSFETs PT8 N-CH DUAL 30V
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD1D6N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 23W (Tc), 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 32A (Ta), 109A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 6430pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 1.6mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 87nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 26965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.52 грн
10+104.31 грн
50+79.13 грн
100+66.64 грн
500+53.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD2D4N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 23W (Tc), 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 25A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 3825pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 2.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 55nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.65 грн
10+87.48 грн
50+65.95 грн
100+55.37 грн
500+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD2D4N03P8onsemiMOSFETs PT8 N-CH DUAL 30V
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD2D4N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 23W (Tc), 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 25A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 3825pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 2.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 55nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.35 грн
6000+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4901NFonsemionsemi NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4901NFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4901NFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 17.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4901NFT1G
Код товару: 91879
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 12 15 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]