Продукція > SIS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIS447DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 11274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.85 грн
25+50.35 грн
50+45.43 грн
100+34.77 грн
250+33.14 грн
500+30.07 грн
1000+27.58 грн
3000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS447DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
10+54.04 грн
100+37.38 грн
500+29.31 грн
1000+24.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS447DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 11274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+50.85 грн
281+50.35 грн
301+47.12 грн
364+37.55 грн
366+34.52 грн
500+30.07 грн
1000+27.58 грн
3000+25.68 грн
6000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS447DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS447DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 7100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 9733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.81 грн
500+31.85 грн
1000+26.82 грн
5000+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS447DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 13736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS448DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS452DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS452DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 4171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS452DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS454DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS454DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 18326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS454DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS454DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 3700 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.93 грн
10+86.16 грн
100+57.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS454DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.52 грн
10+67.25 грн
100+44.77 грн
500+32.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS454DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS454DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS456DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS456DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 35A N-CH MOSFET
на замовлення 3853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS456DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4604DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS4604DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44.4 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 9451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.32 грн
500+31.85 грн
1000+26.41 грн
5000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4604DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 14.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4604DN-T1-GE3VishayMOSFETs POWRPK N CHAN 60V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4604DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 44.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.92 грн
6000+22.24 грн
9000+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4604DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS4604DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44.4 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 9451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.66 грн
13+64.70 грн
100+43.32 грн
500+31.85 грн
1000+26.41 грн
5000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4604DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 44.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+58.42 грн
100+38.73 грн
500+28.38 грн
1000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4604LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 45.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
на замовлення 14527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+49.59 грн
100+38.58 грн
500+30.69 грн
1000+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4604LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS4604LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45.9 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 5437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.28 грн
12+68.85 грн
100+49.58 грн
500+38.04 грн
1000+27.73 грн
3000+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4604LDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 15.1A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.33 грн
18+43.01 грн
25+42.57 грн
50+28.70 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4604LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 45.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.04 грн
6000+23.88 грн
9000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4604LDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 15.1A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4604LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS4604LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45.9 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 5437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.58 грн
500+38.04 грн
1000+27.73 грн
3000+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4604LDN-T1-GE3VishayMOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 15.1A
на замовлення 5491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4608DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS4608DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35.7 A, 0.0099 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.54 грн
14+58.12 грн
100+39.02 грн
500+26.49 грн
1000+21.81 грн
5000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4608DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 35.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
на замовлення 5855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.35 грн
10+50.50 грн
100+34.93 грн
500+27.39 грн
1000+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4608DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS4608DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35.7 A, 0.0099 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.02 грн
500+26.49 грн
1000+21.81 грн
5000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4608DN-T1-GE3VishayMOSFET N-CHANNEL 60 V MOSFET PWRPAK
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4608DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 12.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.42 грн
23+33.21 грн
25+32.88 грн
50+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4608DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 35.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4608DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 12.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4608LDN-T1-GE3VishayMOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 12.6A
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4608LDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 12.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4608LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS4608LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36.2 A, 0.0094 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.41 грн
13+63.08 грн
100+42.02 грн
500+28.53 грн
1000+23.55 грн
5000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4608LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 36.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+54.19 грн
100+37.51 грн
500+29.42 грн
1000+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4608LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS4608LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36.2 A, 0.0094 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.02 грн
500+28.53 грн
1000+23.55 грн
5000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4608LDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 12.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.32 грн
19+41.19 грн
25+40.77 грн
50+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4608LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 36.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4634LDNVishaySIS4634LDN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4634LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.72 грн
6000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4634LDN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; 19.8W; PowerPAK® 1212-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 19.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.1nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4634LDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23, 24 mohm a. 10V, 32 mohm a. 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4634LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
10+41.06 грн
100+28.46 грн
500+22.32 грн
1000+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4634LDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS463EDC-T1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DNVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3
Код товару: 148149
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS468DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.016 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 43111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.78 грн
500+45.44 грн
1000+38.18 грн
5000+33.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS468DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
на замовлення 37336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.00 грн
10+87.79 грн
100+59.66 грн
500+41.66 грн
1000+35.18 грн
5000+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 4453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.52 грн
10+85.52 грн
100+57.54 грн
500+42.75 грн
1000+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS472ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS472ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.23 грн
26+31.70 грн
100+23.65 грн
500+17.21 грн
1000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS472ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+35.63 грн
100+23.07 грн
500+16.55 грн
1000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS472ADN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS472ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS472ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS472ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.65 грн
500+17.21 грн
1000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS472BDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 4247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS472BDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS472BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 19.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 9465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.54 грн
16+52.83 грн
100+34.55 грн
500+24.76 грн
1000+21.46 грн
5000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS472BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/38.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.68 грн
10+36.38 грн
100+25.29 грн
500+18.54 грн
1000+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS472BDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS472BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/38.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS472BDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS472BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.27 грн
500+23.17 грн
1000+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS472DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.60 грн
10+40.68 грн
100+28.15 грн
500+22.07 грн
1000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS472DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS472DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.51 грн
6000+16.89 грн
9000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DNVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.34 грн
6000+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS476DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.93 грн
10+86.16 грн
100+57.55 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 7691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.36 грн
10+72.46 грн
100+48.59 грн
500+36.01 грн
1000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 63895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS478DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS478DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS478DN-T1-GE3
на замовлення 6140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS478DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS488DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
на замовлення 35937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.60 грн
10+64.69 грн
100+43.02 грн
500+31.65 грн
1000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS488DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS488DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 5500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.55 грн
12+72.02 грн
100+51.62 грн
500+37.51 грн
1000+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS488DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SIS4
на замовлення 64949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS488DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 40V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS488DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.97 грн
6000+25.02 грн
9000+24.04 грн
15000+21.54 грн
21000+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS488DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 40V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS488DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS488DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 5500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]