Продукція > SUP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SUP53P06-20-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+326.71 грн
10+196.69 грн
50+194.71 грн
100+160.75 грн
500+134.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP53P06-20-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+320.25 грн
10+206.91 грн
50+204.87 грн
100+167.11 грн
500+138.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP53P06-20-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+326.71 грн
72+196.69 грн
73+194.71 грн
100+160.75 грн
500+134.36 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP53P06-20-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+358.05 грн
10+205.63 грн
50+203.58 грн
100+166.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP53P06-20-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 53A 104.2W 19.5mohm @ 10V
на замовлення 2273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP53P06-20-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+317.65 грн
69+205.23 грн
70+203.21 грн
100+165.75 грн
500+137.60 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP53P06-20-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP53P06-20-E3 транзистор
Код товару: 216282
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP53P06-20-GE3Vishay / SiliconixMOSFET P-Channel 60-V (D-S)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP53P06-20-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20 - 33VishayТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20-33Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SUP5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20-33
Код товару: 31579
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20-33VishayТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20-33-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+269.16 грн
65+220.72 грн
87+162.82 грн
88+155.41 грн
111+113.92 грн
500+108.32 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20-33-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+201.83 грн
5+165.95 грн
10+155.77 грн
25+134.11 грн
50+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20-33-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.70 грн
95+150.42 грн
147+96.82 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20-33-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.80 грн
10+260.93 грн
50+205.04 грн
100+175.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20-33-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+359.06 грн
44+322.09 грн
50+298.33 грн
100+254.58 грн
500+203.90 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20-33-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V 57A 300W
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20-33-E3
Код товару: 172747
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20-33-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20-33-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUP57N20-33-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 57 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20-33-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+269.58 грн
10+221.06 грн
25+163.07 грн
50+155.65 грн
100+114.09 грн
500+108.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP5853D-3TR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP6-SRCPHYTektronix License; MIPI C-PHY CSI/DSI protocol decode and search; Node Locked
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP6-SRCPHY-FLTektronix License; MIPI C-PHY CSI/DSI protocol decode and search; Floating
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP6-SRDPHYTektronix License; MIPI D-PHY CSI/DSI protocol decode and search; Node Locked
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP6-SRDPHY-FLTektronix License; MIPI D-PHY CSI/DSI protocol decode and search; Floating
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60020E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.69 грн
50+136.00 грн
100+123.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60020E-GE3VishayMOSFET N-CH 80V TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60020E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60020E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60020E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 N-CH 80V 150A
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60020E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60030E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60030E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs TO-220
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60030E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60030E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60030E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60030E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60061EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60061EL-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TO-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60061EL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 5800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60061EL-GE3
Код товару: 214189
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60061EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60061EL-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -150A; Idm: -250A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -150A
Pulsed drain current: -250A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60061EL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 P-CH 80V 150A
на замовлення 9985 шт:
термін постачання 281-290 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60N02-4M5P-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUP85N03-3M6P-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60N02-4M5P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60N06VISHAY09+
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60N06-08
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60N06-12PVishayTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60N06-12P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.25W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60N06-12P-E3
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60N06-12P-GE3
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60N06-12P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.25W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60N06-14
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60N06-18Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 60A 120W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60N06-18VISHAY09+
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60N06-18 (мікросхеми різні)
Код товару: 47627
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
УКТЗЕД: 8541 29 00 90
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60N06-18-E3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SUP9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60N06-18-E3Vishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 60 А, Ptot, Вт = 120, Тип монт. = вивідний, Rds = 18 мОм, Tексп, °C = -55...+175,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60N10-16
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60N10-16L
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60N10-16L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60N10-16L-E3
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60N10-18P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP65P04VISHAY07+ 220
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP65P04-15
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP65P04-15-E3
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP65P04-15-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 65A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP65P06
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP65P06-20Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUP53P06-20-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP65P06-20VISHAY
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP65P06-20-E3TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP65P06-20-VIS
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP65P0620VISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP65P0620E3Vishay
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70030E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70030E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.18mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.50 грн
50+167.15 грн
100+149.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70030E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70030E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds; 20V Vgs TO-220AB
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70030E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP70030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 3180 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3180µohm
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70030E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70040E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70040E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+157.24 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70040E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70040E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-220
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70040E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP70040E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70040E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70040E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+157.74 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70040E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.80 грн
10+183.79 грн
50+142.53 грн
100+121.30 грн
500+99.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70040E-GE3-XVishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70042E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 278W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70042E-GE3VishayVishay N-CHANNEL 100-V (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70042E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 150A Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70042E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6490 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70042E-GE3VishayMOSFETs TO220 100V 150A N-CH MOSFET
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70060E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.55 грн
50+88.82 грн
100+80.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.