Продукція > APT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 49 56 63 70 72  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
APT66M60B2Microchip / MicrosemiMOSFET FG, MOSFET, 600V, TO-247 T-MAX
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT66M60B2MICROSEMIT-MAX/N-CHANNEL POWER MOSFET - MOS8 APT66M60
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT66M60B2Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 1135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT66M60B2Microchip TechnologyMOSFET MOSFET MOS8 600 V 66 A TO-247 MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT66M60LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 70A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 1135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT66M60LMicrochip TechnologyMOSFET MOSFET MOS8 600 V 66 A TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT6784MOTOROLA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT68GA60BMicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT68GA60B
Код товару: 133965
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT68GA60BMicrochip TechnologyDescription: IGBT 600V 121A 520W TO-247
Power - Max: 520 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 202 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 121 A
Part Status: Active
Gate Charge: 298 nC
Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 715µJ (on), 607µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/133ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Type: Standard
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+628.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT68GA60B2D40Microchip TechnologyDescription: IGBT 600V 121A 520W TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT68GA60B2D40Microchip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247 T-MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT68GA60B2D40MICROSEMITO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 8 - COMBI APT68GA60
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT68GA60LD40Microchip TechnologyDescription: IGBT 600V 121A 520W TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT68GA60LD40Microchip / MicrosemiIGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-264
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT68GA60LD40Microchip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 68 A TO-264
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+712.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT6M100KMicrosemiTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT6M100KMicrochip TechnologyMOSFETs Power MOSFET - MOS8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT6M100KMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 1000V 6A TO220
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 [K]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT70GR120B2Microchip TechnologyIGBTs IGBT MOS 8 1200 V 70 A TO-247 MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT70GR120B2Microchip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 160A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/278ns
Switching Energy: 3.82mJ (on), 2.58mJ (off)
Test Condition: 600V, 70A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 544 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 961 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT70GR120JMicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT70GR120JMicrochip TechnologyIGBTs IGBT MOS 8 1200 V 70 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT70GR120JMicrosemi Power Products GroupDescription: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT70GR120JD60Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 112 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 543 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.26 nF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2774.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT70GR120JD60Microchip TechnologyIGBTs IGBT MOS 8 1200 V 70 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT70GR120JD60MICROSEMIISOTOP/Ultra Fast NPT - IGBT APT70GR120
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT70GR120LMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 160A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-264
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/278ns
Switching Energy: 3.82mJ (on), 2.58mJ (off)
Test Condition: 600V, 70A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 544 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 961 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT70GR120LMicrochip TechnologyIGBTs IGBT MOS 8 1200 V 70 A TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT70GR120L
Код товару: 130770
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT70GR65BMicrosemiIGBT 650V 134A 595W TO-247 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT70GR65BMicrochip TechnologyDescription: IGBT 650V 134A 595W TO-247
Power - Max: 595 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Part Status: Active
Gate Charge: 305 nC
Test Condition: 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
Switching Energy: 1.51mJ (on), 1.46mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/170ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+579.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT70GR65BMicrochip TechnologyIGBTs IGBT MOS 8 650 V 70 A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT70GR65B2DU40MicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT70GR65B2SCD30Microchip / MicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT70GR65B2SCD30Microsemi CorporationDescription: IGBT NPT 650V 134A TMAX
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/170ns
Test Condition: 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 305 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 595 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT70SM70BMicrosemi
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT70SM70BMicrosemiMOSFET Power MOSFET - SiC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT70SM70SMicrosemiMOSFET Power MOSFET - SiC
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DF170HJMicrochip TechnologyDescription: BRIDGE RECT 1P 1.7KV 75A SOT227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DF170HJMicrochip TechnologyRectifiers DOR CC0067
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DL120HJMicrochip TechnologyDescription: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 75A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DL120HJMicrochip TechnologyBridge Rectifiers PM-DIODE-FRED-D-SOT227
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2007.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DL60HJMicrosemi CorporationDescription: BRIDGE RECT 1P 600V 75A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DQ100BGMicrosemiRectifiers Fast Recovery Epitaxial Diode - DQ
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DQ100BGMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DQ100BGMicrochip TechnologyRectifier Diode Switching 1KV 75A 250ns 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DQ120BGMicrochip TechnologyDescription: DIODE STD 1200V 75A TO247 [B]
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 325 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.1 V @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.36 грн
100+161.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DQ120BGMicrosemiTO-247/75 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DQ120BGMicrochip TechnologyRectifiers FRED DQ 1200 V 75 A TO-247
на замовлення 9626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.85 грн
10+208.79 грн
25+167.06 грн
100+156.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DQ120BGMICROSEMITO-247/75 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE APT75DQ120
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DQ120BGMicrochip / MicrosemiRectifiers FG, FRED, 1200V, TO-247, RoHS
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DQ120DMicrochip TechnologyDescription: FRED DQ 1200 V 75 A DIE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DQ120DMicrochip TechnologyRectifiers FRED DQ 1200 V 75 A DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DQ120SGMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 75A D3PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DQ60B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DQ60BGMicrochip TechnologyDiode Switching 600V 75A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DQ60BGMicrochip TechnologyDiode Switching 600V 75A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1335.28 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DQ60BG
Код товару: 170636
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DQ60BGMICROSEMITO247/FAST RECOVERY EPITAXIAL DIODE - DQ APT75DQ60
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DQ60BGMicrochip TechnologyDiode Switching 600V 75A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+276.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DQ60BGMicrochip / MicrosemiRectifiers FG, FRED, 600V, TO-247, RoHS
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DQ60BGMicrochip TechnologyDiode Switching 600V 75A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DQ60BGMicrochip TechnologyDescription: DIODE STD 600V 75A TO247 [B]
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
на замовлення 18318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.19 грн
100+135.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DQ60DMicrochip TechnologyRectifiers FRED DQ 600 V 75 A DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DQ60S
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DQ60SGMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 75A D3PAK
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 75 A
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D3Pak
Current - Average Rectified (Io): 75A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75DQ60SGMicrochip TechnologyRectifiers FG, FRED, 600V, 75A, D3, TO-268, RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75F50B2Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75F50B2Microchip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 500V, TO-247 T-MAX
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT75F50LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 75A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 (L)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75F50LMicrochip TechnologyMOSFET FREDFET MOS8 500 V 75 A TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN120B2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT 1200V 200A 833W TMAX
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN120B2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 75 A TO-247 MAX
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN120B2GMICROSEMITMAX/200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT APT75GN120
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN120JMICROSEMIAPT75GN120J APT75GN120
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN120JMicrosemi CorporationDescription: IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN120JDQ3Microchip / MicrosemiIGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 1200V, 75A, SOT-227
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN120JDQ3Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Power - Max: 379 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 124 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Tube
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.8 nF @ 25 V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2465.03 грн
100+1926.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN120JDQ3MICROSEMIISOTOP/IGBT APT75GN120
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN120JDQ3Microchip TechnologyTrans IGBT Module N-CH 1200V 124A 379mW 4-Pin SOT-227 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN120JDQ3GMicrosemi CorporationDescription: IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN120JNQ3APT57A/1200V/IGBT/1U
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN120LGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 200A 833W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1920.15 грн
10+1764.13 грн
25+1718.67 грн
50+1614.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN120LGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 200A 833W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN120LGMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 75 A TO-264
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1131.58 грн
10+1113.04 грн
25+932.65 грн
100+820.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN120LGMicrochip TechnologyDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 200A TO264
Test Condition: 800V, 75A, 1Ohm, 15V
Switching Energy: 8620µJ (on), 11400µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/620ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Power - Max: 833 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Part Status: Active
Gate Charge: 425 nC
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1089.62 грн
100+852.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN120LGMICROSEMITO264/1200 V FIELD STOP TRENCH GATE LOW APT75GN120
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN60B2DQ3GMicrosemi CorporationDescription: IGBT 600V 155A 536W TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN60BDQ2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN60BDQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT TRENCH FS 600V 155A TO-247
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 536 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 155 A
Gate Charge: 485 nC
Test Condition: 400V, 75A, 1Ohm, 15V
Switching Energy: 2.5mJ (on), 2.14mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/385ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Input Type: Standard
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+678.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN60BGMicrochip TechnologyDescription: IGBT TRENCH FS 600V 155A TO247
Power - Max: 536 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 155 A
Gate Charge: 485 nC
Test Condition: 400V, 75A, 1Ohm, 15V
Switching Energy: 2500µJ (on), 2140µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/385ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+472.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN60BGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 155A 536mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN60BGMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 75 A TO-247
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.02 грн
10+472.37 грн
25+392.11 грн
100+352.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN60LDQ3GMicrochip TechnologyDescription: IGBT TRENCH FS 600V 155A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-264 (L)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/385ns
Switching Energy: 2500µJ (on), 2140µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 485 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 155 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 536 W
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+688.10 грн
100+537.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN60LDQ3GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 155A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN60LDQ3GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 155A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1589.21 грн
25+1274.63 грн
50+1232.81 грн
100+1115.59 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN60LDQ3GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN60LDQ3GMicrosemiIGBT 600V 155A 536W TO264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GN60LDQ3GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 155A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 49 56 63 70 72  [ Наступна Сторінка >> ]