Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN8R5-40HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R5-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0085 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.20 грн
500+69.70 грн
1000+59.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40HSXNexperiaPSMN8R5-40HSX
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.66 грн
500+121.67 грн
1000+111.77 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.44 грн
10+93.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R5-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0085 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.51 грн
10+144.97 грн
100+90.20 грн
500+69.70 грн
1000+59.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1814 pF @ 20 V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.79 грн
10+40.01 грн
100+26.00 грн
500+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1814 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.96 грн
3000+24.71 грн
7500+24.48 грн
10500+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.71 грн
3000+25.46 грн
7500+25.21 грн
10500+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MLDXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 60A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.99 грн
10+42.95 грн
100+24.37 грн
500+18.71 грн
1000+15.88 грн
1500+14.43 грн
3000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+13.45 грн
58+13.24 грн
59+13.03 грн
100+12.37 грн
250+11.26 грн
500+10.64 грн
1000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R5-40MSDX - Leistungs-MOSFET, NextPower-S3, n-Kanal, 40 V, 60 A, 7400 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.12V
Verlustleistung: 59W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
562+63.11 грн
1000+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 562 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1088+13.03 грн
1106+12.82 грн
1124+12.62 грн
1143+11.96 грн
1161+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 1088 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 20 V
на замовлення 3764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.44 грн
10+47.56 грн
100+31.18 грн
500+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 60A
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.15 грн
10+51.05 грн
100+29.13 грн
500+22.57 грн
1000+19.33 грн
1500+17.67 грн
3000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R5-40MSDX - Leistungs-MOSFET, NextPower-S3, n-Kanal, 40 V, 60 A, 7400 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.12V
Verlustleistung: 59W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.94 грн
10+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.51 грн
3000+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YSNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.57 грн
500+62.07 грн
1000+50.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 303A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.64 грн
10+66.48 грн
25+61.49 грн
100+58.17 грн
250+52.35 грн
500+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.40 грн
36+21.17 грн
37+20.96 грн
100+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 30 V
на замовлення 30334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.36 грн
10+82.12 грн
100+55.30 грн
500+41.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115NexperiaMOSFETs PSMN8R5-60YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.28 грн
10+82.56 грн
50+61.16 грн
100+48.32 грн
500+38.31 грн
1500+33.34 грн
3000+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.38 грн
10+120.81 грн
100+79.90 грн
500+58.56 грн
1000+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 30 V
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.71 грн
3000+35.43 грн
4500+34.00 грн
7500+30.40 грн
10500+29.51 грн
15000+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-100YSFQNexperia USA Inc.Description: PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-100YSFXNexperia USA Inc.Description: PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-100YSFXNexperiaMOSFETs PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.42 грн
10+155.60 грн
100+95.27 грн
500+79.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-100YSFXNexperia USA Inc.Description: PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+209.08 грн
500+197.27 грн
1000+186.64 грн
10000+169.72 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-100YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R7-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0072 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.69 грн
10+128.06 грн
100+107.12 грн
500+80.02 грн
1000+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+62.96 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
500+142.93 грн
1000+134.66 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3200+69.56 грн
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.18 грн
10+111.73 грн
100+76.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R7-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+300.41 грн
10+193.30 грн
100+120.00 грн
500+87.50 грн
1000+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+75.14 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+75.32 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+60.24 грн
1600+53.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118NexperiaMOSFETs PSMN8R7-80BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 5011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.66 грн
10+119.88 грн
100+71.11 грн
500+53.78 грн
800+49.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80PSNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80PS,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; Idm: 361A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 361A
Power dissipation: 170W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+223.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80PS,127
Код товару: 152615
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.70 грн
10+126.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80PS,127NexperiaMOSFET PSMN8R7-80PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 3793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.30 грн
10+105.59 грн
100+79.39 грн
250+78.70 грн
500+71.11 грн
1000+63.72 грн
2500+62.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 6806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+133.48 грн
500+119.31 грн
1000+110.42 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.56 грн
10+216.48 грн
100+149.10 грн
500+116.08 грн
1000+102.56 грн
2500+93.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R9-100BSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R9-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 296W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 296W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+134.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R9-100BSEJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 108A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R9-100BSEJNexperiaMOSFETs SOT404 100V 75A
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.69 грн
10+207.21 грн
100+164.99 грн
500+158.78 грн
800+83.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R9-100BSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R9-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 296W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.24 грн
10+161.88 грн
100+134.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-25MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 55A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-25MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 55A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.65mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-25MLC,115NexperiaMOSFETs PSMN9R0-25MLC/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.50 грн
10+46.76 грн
100+27.41 грн
500+22.09 грн
1000+16.50 грн
1500+10.98 грн
9000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-25MLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 55A; Idm: 219A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 219A
Power dissipation: 45W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-25MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 55A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-25MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 55A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.65mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.70 грн
10+47.94 грн
100+31.78 грн
500+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-25YLC,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 25V 46A LL LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-25YLC,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 25V 46A LL LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-25YLC,115Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-30LL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1193 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-30LL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1193 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-30YL
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-30YL,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-30YL,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-30YL,115Rochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1803 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R1-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK56
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 894 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R1-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 57A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R1-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 894 pF @ 15 V
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.32 грн
10+49.51 грн
50+36.47 грн
100+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R1-30YL,115NexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 57A
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.59 грн
10+62.48 грн
100+33.76 грн
500+23.33 грн
1000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R3-60HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2348pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 4545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.89 грн
10+92.14 грн
100+62.41 грн
500+46.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R3-60HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN9R3-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0093 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0093ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.43 грн
500+72.09 грн
1000+61.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R3-60HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2348pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.17 грн
3000+40.38 грн
4500+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R3-60HSXNexperiaMOSFETs SOT1205 2NCH 60V 40A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R3-60HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN9R3-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0093 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0093ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.76 грн
10+149.80 грн
100+93.43 грн
500+72.09 грн
1000+61.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R3-60HSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin LFPAK-D
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100BS,118NexperiaMOSFETs PSMN9R5-100BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.77 грн
10+129.40 грн
100+80.77 грн
500+62.96 грн
800+58.40 грн
2400+56.33 грн
4800+56.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+197.27 грн
500+186.64 грн
1000+177.19 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4454 pF @ 50 V
на замовлення 5401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.65 грн
10+148.53 грн
50+113.92 грн
100+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4454 pF @ 50 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+81.88 грн
1600+73.57 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100PS
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+219.71 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100PS,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN9R5-100PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 89 A, 0.00816 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00816ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00816ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.26 грн
10+196.52 грн
50+177.19 грн
100+146.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+219.71 грн
500+207.90 грн
1000+197.27 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100PS,127NexperiaMOSFET PSMN9R5-100PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 3282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.62 грн
10+188.15 грн
100+131.16 грн
500+107.69 грн
1000+89.05 грн
2500+83.53 грн
5000+80.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+219.71 грн
500+207.90 грн
1000+197.27 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 89A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4454 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]