Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN8R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.00 грн
6000+63.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115NexperiaMOSFETs PSMN8R3-40YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115NexperiaMOSFET N-CH 40V 70A LFPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.12 грн
6000+63.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 20 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.51 грн
4500+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 6600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 2606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100ES,127NexperiaPSMN8R5-100ES,127
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.29 грн
500+152.04 грн
1000+143.79 грн
10000+129.56 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100ESFQNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+149.69 грн
1000+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100ESFQNexperiaMOSFET PSMN8R5-100ESF SOT226/I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100ESFQNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+149.69 грн
1000+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100ESFQNXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PSMN8R5 - NEXTPOWER 100
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 183W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3181 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: I2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+132.69 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100ESFQNXP SemiconductorsPSMN8R5-100ESFQ
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+185.04 грн
500+166.19 грн
1000+153.22 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100ESQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100ESQNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R5-100ESQ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 584 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100ESQNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
414+85.46 грн
500+76.90 грн
1000+70.93 грн
Мінімальне замовлення: 414 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100ESQNexperiaMOSFET PSMN8R5-100ES/I2PAK/STANDARD M
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100PSFQNexperiaMOSFET PSMN8R5-100PSF SOT78/SIL3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100PSFQNXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PSMN8R5 - NEXTPOWER 100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100PSQNexperiaMOSFET PSMN8R5-100PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 4006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100PSQNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R5-100PSQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0064 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100PSQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5512 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100XSQNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 49A TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-108ESNexperiaMOSFET N-Channel 100V 8.5mohm Fet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-108ESQNXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 108V 100A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+182.69 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-108ESQNXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40HSXNexperiaMOSFETs PSMN8R5-40HS/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 3252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R5-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0085 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.84 грн
10+94.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R5-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0085 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40HSXNexperiaPSMN8R5-40HSX
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.36 грн
500+121.40 грн
1000+111.53 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1814 pF @ 20 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.34 грн
3000+16.14 грн
4500+15.36 грн
7500+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.90 грн
3000+24.66 грн
7500+24.42 грн
10500+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1814 pF @ 20 V
на замовлення 8990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+41.44 грн
100+26.92 грн
500+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MLDXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 60A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.66 грн
3000+25.40 грн
7500+25.16 грн
10500+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 20 V
на замовлення 3764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.17 грн
10+48.00 грн
100+31.47 грн
500+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.64 грн
29+26.26 грн
100+16.46 грн
250+15.07 грн
500+11.08 грн
1000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
562+62.97 грн
1000+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 562 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
539+26.26 грн
829+17.07 грн
838+16.88 грн
1095+12.47 грн
1298+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 539 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.71 грн
3000+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 60A
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R5-40MSDX - Leistungs-MOSFET, NextPower-S3, n-Kanal, 40 V, 60 A, 7400 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.12V
Verlustleistung: 59W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R5-40MSDX - Leistungs-MOSFET, NextPower-S3, n-Kanal, 40 V, 60 A, 7400 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.12V
Verlustleistung: 59W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YSNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 30 V
на замовлення 28821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.36 грн
10+90.35 грн
50+68.07 грн
100+57.13 грн
500+42.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.32 грн
36+21.12 грн
37+20.91 грн
100+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 30 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.70 грн
4500+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115NexperiaMOSFETs PSMN8R5-60YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 76A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 303A
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.38 грн
10+67.09 грн
25+62.06 грн
100+58.71 грн
250+52.83 грн
500+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-100YSFQNexperia USA Inc.Description: PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-100YSFXNexperiaMOSFETs PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+263.85 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-100YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R7-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0072 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-100YSFXNexperia USA Inc.Description: PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 22320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+170.90 грн
500+162.65 грн
1000+153.22 грн
10000+138.66 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+263.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+90.96 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+62.82 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.36 грн
500+157.94 грн
1000+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3200+69.41 грн
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.84 грн
10+112.69 грн
50+85.82 грн
100+72.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+80.10 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118NexperiaMOSFETs PSMN8R7-80BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+75.15 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R7-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+60.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80PSNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.58 грн
10+127.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 6806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+133.18 грн
500+119.04 грн
1000+110.18 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+332.82 грн
10+216.00 грн
100+148.77 грн
500+115.83 грн
1000+102.33 грн
2500+93.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80PS,127
Код товару: 152615
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80PS,127NexperiaMOSFET PSMN8R7-80PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 3793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R9-100BSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R9-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 296W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R9-100BSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R9-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 296W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 296W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R9-100BSEJNexperiaMOSFETs PSMN8R9-100BSE/SOT404/D2PAK
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R9-100BSEJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 108A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-25MLC,115NexperiaMOSFETs PSMN9R0-25MLC/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-25MLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 55A; Idm: 219A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 219A
Power dissipation: 45W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-25MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 55A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.65mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-25MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 55A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-25MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 55A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-25MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 55A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.65mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-25YLC,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 25V 46A LL LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-25YLC,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 25V 46A LL LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-25YLC,115Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-30LL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1193 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-30LL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1193 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-30YL
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50  [ Наступна Сторінка >> ]