Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF6709S2TRPBFInfineon / IRMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 7.8mOhms 8.1nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6709S2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6710S2PBFIOR2007
на замовлення 694 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6710S2PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6710S2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6710S2TR1PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6710S2TRPBFInfineon / IRMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 5.9mOhms 8.8nC
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6710S2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 15W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6711STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6711STRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/84A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+77.19 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6712STRPBF - IRF6712 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+54.14 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 4238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+52.09 грн
276+51.30 грн
280+50.51 грн
284+47.95 грн
289+43.68 грн
500+41.26 грн
1000+40.58 грн
3000+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 36W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+76.92 грн
500+73.65 грн
1000+69.55 грн
Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: DirectFET SQ
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+76.92 грн
500+73.65 грн
1000+69.55 грн
Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 4238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.09 грн
25+51.30 грн
50+48.71 грн
100+44.39 грн
250+41.93 грн
500+41.26 грн
1000+40.58 грн
3000+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6713STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6713STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6713STRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/95A DIRECTFT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Bulk
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+107.40 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
331+106.83 грн
500+102.29 грн
1000+96.60 грн
Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTRPBFInfineon / IRMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 29nC
на замовлення 4753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
331+106.83 грн
500+102.29 грн
1000+96.60 грн
Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6714MTRPBF - IRF6714 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 57902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
331+106.83 грн
500+102.29 грн
1000+96.60 грн
Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.35 грн
10+102.56 грн
25+94.36 грн
100+88.37 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 56738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+99.30 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+102.56 грн
150+94.36 грн
154+91.64 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.06 грн
500+147.00 грн
1000+138.77 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6715MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 1600 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.65 грн
10+224.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+153.85 грн
10+142.06 грн
25+141.30 грн
50+135.42 грн
100+124.61 грн
250+118.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+153.85 грн
100+141.30 грн
101+135.42 грн
102+124.61 грн
250+118.89 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6715MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 1600 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6716MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6716MTRPBFInternational RectifierDescription: IRF6716 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 13 V
на замовлення 86468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+93.25 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6716MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: IRF6716 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
на замовлення 89960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+93.25 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6716MTRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6716MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 25V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 39nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTR1PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTR1PBF
Код товару: 34497
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 1250 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+100.04 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBFInfineon
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 13 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 15268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.90 грн
10+276.31 грн
25+273.58 грн
100+215.19 грн
250+197.32 грн
500+159.83 грн
1000+147.97 грн
3000+147.57 грн
6000+136.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 1250 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+355.06 грн
45+316.67 грн
50+313.07 грн
100+246.37 грн
200+215.27 грн
500+183.01 грн
1000+169.64 грн
2000+159.37 грн
4800+155.25 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 13 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.25 грн
10+168.77 грн
100+118.12 грн
500+91.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6718L2PBFIOR2007
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6718L2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET L6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 61A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Ta), 270A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6718L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET L6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 61A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Ta), 270A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6718L2TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6718L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 270 A, 500 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 83
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6718L2TRPBF
Код товару: 98275
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6718L2TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6718L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 270 A, 500 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 270
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 83
Bauform - Transistor: DirectFET L6
Anzahl der Pins: 13
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6718L2TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 0.7mOhms 64nC
на замовлення 6161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6720S2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 17W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6720S2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 17W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6720S2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6721STR1PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6721STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6721STR1PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6721STRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
597+59.16 грн
1000+54.56 грн
Мінімальне замовлення: 597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6721STRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6721STRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
597+59.16 грн
1000+54.56 грн
Мінімальне замовлення: 597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6721STRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 5959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
597+59.16 грн
1000+54.56 грн
Мінімальне замовлення: 597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6721STRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
597+59.16 грн
1000+54.56 грн
Мінімальне замовлення: 597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6721STRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
517+41.84 грн
Мінімальне замовлення: 517 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6722MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6722MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6722MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A 7-Pin Direct-FET MP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6722MTRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6722MTRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+64.33 грн
Мінімальне замовлення: 332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6722STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6722STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6722STRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6723M2DTR1PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6723M2DTR1PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6723M2DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]