Продукція > BUK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK9M28-80EX | Nexperia | MOSFETs SOT1210 N CHAN 80V | на замовлення 4850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M28-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 33A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M28-80EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M28-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33 A, 0.02 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 2885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M28-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 33A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M28-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M28-80EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M28-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33 A, 0.02 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 2885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M28-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 33A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M31-60ELX | Nexperia USA Inc. | Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 21 MOHM L Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.6mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1867 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | на замовлення 2513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M31-60ELX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M31-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0165 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.82V euEccn: NLR Verlustleistung: 70.2W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M31-60ELX | Nexperia USA Inc. | Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 21 MOHM L Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1867 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.6mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M31-60ELX | Nexperia | MOSFETs SOT1210 N-CH 60V 35A | на замовлення 1523 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M31-60ELX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M31-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0165 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 70.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.82V euEccn: NLR Verlustleistung: 70.2W Bauform - Transistor: LFPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M34-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 29A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M34-100EX | Nexperia | MOSFETs N-channel 80 V, 35 mohm logic level MOSFET in LFPAK33 | на замовлення 17404 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M34-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 29A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M34-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 29A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2844 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M34-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 29A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M34-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 29A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M34-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 29A LFPAK33 Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2844 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.7 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M35-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 26A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M35-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK33 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M35-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 26A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M35-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M35-80EX | Nexperia | MOSFETs N-channel 40 V, 3.3 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 | на замовлення 6720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M3R3-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M3R3-40HX | NXP | N-MOSFET (Gate Level LL) 40V 3.3mOhm 80A 1.48K/W BUK9M3R3-40H TBUK9m3r3-40h кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M3R3-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3766 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M3R3-40HX | Nexperia | MOSFETs N-channel 60 V, 42 mohm logic level MOSFET in LFPAK33 | на замовлення 21913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M3R3-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3766 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 1699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M42-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M42-60EX | Nexperia | MOSFETs SOT1210 N-CH 60V 22A | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M42-60EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M42-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.037 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M42-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M42-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M42-60EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M42-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.037 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M42-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M42-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M43-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK33 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 4126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M43-100EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M43-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 26 A, 0.034 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M43-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 25A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M43-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK33 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M43-100EX | Nexperia | MOSFETs SOT1210 100V 25A | на замовлення 661 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M43-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 25A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M43-100EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M43-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 26 A, 0.034 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M48-80LX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M48-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 15 A, 0.048 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M48-80LX | Nexperia | MOSFETs N-channel 80 V, 48 mOhm logic level MOSFET in LFPAK33 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M48-80LX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9M48-80L/SOT1210/MLFPAK Qualification: AEC-Q101 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: LFPAK33 Power Dissipation (Max): 50W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M48-80LX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M48-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 15 A, 0.048 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M48-80LX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9M48-80L/SOT1210/MLFPAK Grade: Automotive Supplier Device Package: LFPAK33 Power Dissipation (Max): 50W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M4R3-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 95A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M4R3-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +16V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M4R3-40HX | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A; 90W Mounting: SMD Case: LFPAK33; SOT1210 Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC On-state resistance: 12mΩ Power dissipation: 90W Drain current: 69A Pulsed drain current: 392A Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M4R3-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +16V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 95A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 1441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M4R3-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M4R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0043 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 90W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: LFPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M4R3-40HX | Nexperia | MOSFETs N-channel 40 V, 52 mohm logic level MOSFET in LFPAK33 | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M52-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M52-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M52-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 17.6A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 31W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 407 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M52-40EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M52-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 17.6 A, 0.0324 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0324ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M52-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M52-40EX | Nexperia | MOSFETs N-channel 60 V, 53 mohm logic level MOSFET in LFPAK33 | на замовлення 2901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M52-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M52-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M52-40EX | NXP | 2xN-MOSFET 40V 17.6A5V,10V 31W AUTOMOTIVE BUK9M52-40EX TBUK9m52-40ex кількість в упаковці: 4 шт | на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M52-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 25500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M52-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 17.6A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 31W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 407 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M52-40EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M52-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 17.6 A, 0.0324 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0324ohm | на замовлення 716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M53-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M53-60EX | Nexperia | MOSFETs SOT1210 N-CH 60V 17A | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M53-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 17A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 6799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M53-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 17A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M53-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 17A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M53-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 17A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M53-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M53-60EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M53-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.037 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M53-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 17A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 6799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M53-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 17A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M53-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 17A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M53-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 17A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M5R0-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M5R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5000 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M5R0-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 85A, 10V Power Dissipation (Max): 83W Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +16V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M5R0-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 85A, 10V Power Dissipation (Max): 83W Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +16V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M5R0-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M5R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5000 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 31 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M5R0-40HX | Nexperia | MOSFETs N-channel 30 V, 5.2 mohm logic level MOSFET in LFPAK33 | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M5R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M5R2-30E115 | Nexperia USA Inc. | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M5R2-30EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M5R2-30EX | Nexperia | MOSFETs SOT1210 N-CH 30V 70A | на замовлення 1123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M5R2-30EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2467 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M5R2-30EX | NXP | 2xN-MOSFET 30V 70A 5V,10V 79W AUTOMOTIVE BUK9M5R2-30EX TBUK9m5r2-30ex кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M5R2-30EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M5R2-30EX | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63A; Idm: 358A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 63A Pulsed drain current: 358A Power dissipation: 79W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 9.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M5R2-30EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2467 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M60-100LX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9M60-100L/SOT1210/MLFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 30µA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1023 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M60-100LX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M60-100LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.06 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V euEccn: NLR Verlustleistung: 50.4W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M60-100LX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9M60-100L/SOT1210/MLFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 30µA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1023 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M60-100LX | Nexperia | N-channel Logic Level MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M60-100LX | Nexperia | MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 2761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M67-60ELX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M67-60ELX | Nexperia USA Inc. | Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 44 MOHM L Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43.8mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

