Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF7104PBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 15, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 1 А, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
95+20.59 грн
190+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104PBF
Код товару: 23932
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 2,3 A
Rds(on),Om: 0,25 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 67 шт
  • 42 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+18.00 грн
10+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRUMWDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.13 грн
17+49.45 грн
100+35.36 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A
на замовлення 4305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.90 грн
10+77.33 грн
100+44.55 грн
500+34.98 грн
1000+29.89 грн
2000+27.16 грн
4000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+105.34 грн
194+73.12 грн
271+52.32 грн
500+39.52 грн
1000+34.52 грн
2000+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+30.60 грн
8000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.26 грн
20+38.83 грн
100+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFIRF7104TRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal
на замовлення 108 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.84 грн
10+58.32 грн
100+38.56 грн
500+28.23 грн
1000+25.67 грн
2000+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+30.75 грн
8000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105International Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 25, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 15, Qg, нКл = 27 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Id2 = 2,3 А,... Транзистори Корпус: SOICN-8 О
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105
Код товару: 32592
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 25 V
Idd,A: 3,5 (2.3) A
Rds(on), Ohm: 0,1(0,25) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9,4
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 141 шт
  • 116 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+16.00 грн
10+14.40 грн
100+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105PBF
Код товару: 113418
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 25 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9.4
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 14 шт
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
2+18.00 грн
10+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105PBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 25, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 15, Qg, нКл = 27 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Id2 = 2,3 A,... Транзистори Корпус: SOICN-8 О
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105PBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V DUAL N / P CH 20 VGS MAX V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105PBFInternational Rectifier(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,2W,25V,2A,SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105PBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 25, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 15, Qg, нКл = 27 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, I2 = 2,3 А,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRInternational Rectifier(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,2W,25V,2A,SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRJSMSEMITransistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm/58mOhm; 7,2A/6,8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR JSMICRO TIRF7105 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRUMWDescription: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 2.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V, 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V, 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRIRC07+;
на замовлення 588000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRHXY MOSFETTransistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 30mOhm/77mOhm; 6A/5,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR HXY MOSFET TIRF7105 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRUMWTransistor N/P-Channel MOSFET; 25V; 20V; 160mOhm/400mOhm; 3,5A/2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR UMW TIRF7105 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TR/IRIR08+;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFIRF7105TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.09 грн
8000+17.02 грн
12000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 54977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1169+30.33 грн
10000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 1169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 25895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.68 грн
50+48.96 грн
250+32.10 грн
1000+21.56 грн
2000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 25V 3.5A
на замовлення 4019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.76 грн
10+59.42 грн
100+34.01 грн
500+26.74 грн
1000+22.83 грн
2000+20.74 грн
4000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+54.98 грн
262+54.20 грн
264+53.70 грн
365+37.51 грн
588+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.98 грн
19+41.01 грн
25+40.61 грн
100+31.23 грн
250+28.63 грн
500+23.58 грн
1000+22.49 грн
3000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 19045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.34 грн
10+47.73 грн
100+31.28 грн
500+22.71 грн
1000+20.57 грн
2000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+40.61 грн
438+32.39 грн
443+32.06 грн
516+26.53 грн
1000+23.42 грн
3000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 881 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.03 грн
11+41.02 грн
50+28.66 грн
100+24.38 грн
250+19.67 грн
500+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF
Код товару: 140019
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 25895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.96 грн
250+32.10 грн
1000+21.56 грн
2000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7106Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7106IRF
на замовлення 8865 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7106Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7108IRF
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710BONSEMIDescription: ONSEMI - IRF710B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710BON SemiconductorIRF710B
на замовлення 31050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1713+20.70 грн
10000+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 1713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 31593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1137+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 1137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 4306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.83 грн
50+64.71 грн
100+57.88 грн
500+43.07 грн
1000+39.46 грн
2000+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+67.88 грн
211+67.22 грн
257+55.27 грн
500+45.25 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+12.45 грн
100+12.32 грн
500+11.76 грн
1000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.55 грн
50+66.89 грн
100+55.01 грн
500+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.89 грн
11+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF
Код товару: 22637
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+13.50 грн
100+12.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+166.70 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 400V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.42 грн
10+78.70 грн
100+46.92 грн
500+36.87 грн
1000+31.49 грн
2000+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1127+12.58 грн
1139+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 1127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.5 A, 3.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.01 грн
12+69.65 грн
100+60.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 400V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.68 грн
10+56.13 грн
100+38.27 грн
500+32.47 грн
1000+31.98 грн
2000+29.40 грн
5000+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+101.59 грн
2000+87.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF710PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 3.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.98 грн
15+55.32 грн
100+44.07 грн
500+34.95 грн
1000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 2437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.83 грн
50+64.71 грн
100+57.88 грн
500+43.07 грн
1000+39.46 грн
2000+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+101.59 грн
2000+87.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710RHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 400V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.71 грн
10+86.73 грн
100+64.24 грн
500+51.67 грн
1000+45.81 грн
2000+43.99 грн
5000+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.61 грн
50+81.52 грн
100+73.20 грн
500+55.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710SPBFMOSFET N-Ch 400V 2A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.29 грн
10+73.55 грн
50+60.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710STRLPBFMOSFET N-Ch 400V 2A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 626 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.14 грн
10+55.73 грн
100+44.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+101.34 грн
177+80.31 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 400V 2.0 Amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710STRLPBF
Код товару: 180068
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710STRRPBFVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 400V 2.0 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF711HARRISIRF711
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.80 грн
1000+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF711Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 6031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+49.35 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF711HARRISIRF711
на замовлення 4779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.80 грн
1000+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF712Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF712RHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF712S2497Harris CorporationDescription: 1.7A, 400V, 5OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+49.35 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF712S2497HARRISIRF712S2497
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.80 грн
1000+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7130TR
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7134TR04+ SOP
на замовлення 4010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]