Продукція > DMT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMT12H090LFDF4-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V X2-DFN2020-6 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT12H090LFDF4-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V X2-DFN2020-6 T&R 3K | на замовлення 1717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT12H090LFDF4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT12H7M9SPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT15H017LPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT15H017LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 58 A, 0.0175 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 1.3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm | на замовлення 376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT15H017LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMT15H017LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | на замовлення 2192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT15H017LPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT15H017LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 58 A, 0.0175 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 1.3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm | на замовлення 376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT15H017LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMT15H017LPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT15H017LPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT15H017SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T& Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2344 pF @ 75 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT15H017SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT15H035SCT | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V 250V TO220AB TUBE 50PCS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT15H035SCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V | на замовлення 5450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMT15H053SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T& Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 814 pF @ 75 V | на замовлення 12733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMT15H053SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&R 2.5K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT15H053SPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT15H053SPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 814 pF @ 75 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT15H053SPSWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT15H053SPSWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 814 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMT15H053SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 150V 5.2A/15A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 814 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT15H053SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V SO-8 T&R 2.5K | на замовлення 1356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT15H053SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 150V 5.2A/15A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 814 pF @ 75 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT15H067SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 150V 4.5A/13A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 75 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT15H067SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V SO-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT15H067SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 150V 4.5A/13A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 75 V | на замовлення 2088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMT1D15K-F | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 1500PF 10% 100VDC RAD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1D1K | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1D1K-F | Knowles / Cornell Dubilier (CDE) | Film Capacitors 0.0010uF 100Vdc | на замовлення 143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1D1K-F | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD Tolerance: ±10% Packaging: Bulk Package / Case: Radial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: General Purpose Lead Spacing: 0.394" (10.00mm) Termination: PC Pins Dielectric Material: Polyester, Metallized Voltage Rating - AC: 65V Voltage Rating - DC: 100V Height - Seated (Max): 0.448" (11.37mm) Capacitance: 1000 pF Size / Dimension: 0.512" L x 0.197" W (13.00mm x 5.00mm) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1D1K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors .0010uF 100Vdc | на замовлення 721 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1D22K | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1D22K-F | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1D22K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors .0022uF 100Vdc | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1D33K | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 3300PF 10% 100VDC RAD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1D47K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors .0047uF 100Vdc | на замовлення 363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1D47K-F | Cornell Dubilier Knowles | Description: CAP FILM 4700PF 10% 100VDC RAD Tolerance: ±10% Packaging: Bulk Package / Case: Radial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: General Purpose Lead Spacing: 0.394" (10.00mm) Termination: PC Pins Dielectric Material: Polyester, Metallized Voltage Rating - AC: 65V Voltage Rating - DC: 100V Height - Seated (Max): 0.448" (11.37mm) Capacitance: 4700 pF Size / Dimension: 0.512" L x 0.209" W (13.00mm x 5.30mm) | на замовлення 2998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMT1D68K | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 6800PF 10% 100VDC RAD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1D68K-F | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 6800PF 10% 100VDC RAD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1D68K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors .0068uF 100Vdc | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1P15K-F | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 0.15UF 10% 100VDC RAD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1P1K-F | Cornell Dubilier Knowles | Description: CAP FILM 0.1UF 10% 100VDC RADIAL Tolerance: ±10% Packaging: Bulk Package / Case: Radial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: General Purpose Lead Spacing: 0.543" (13.80mm) Termination: PC Pins Dielectric Material: Polyester, Metallized Voltage Rating - AC: 65V Voltage Rating - DC: 100V Height - Seated (Max): 0.539" (13.68mm) Capacitance: 0.1 µF Size / Dimension: 0.681" L x 0.291" W (17.30mm x 7.40mm) | на замовлення 1541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMT1P1K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors .1UF 100V 10% | на замовлення 313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1P22K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors .22uF 100Vdc | на замовлення 529 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1P22K-F | Cornell Dubilier Knowles | Description: CAP FILM 0.22UF 10% 100VDC RAD Tolerance: ±10% Packaging: Bulk Package / Case: Radial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: General Purpose Lead Spacing: 0.669" (17.00mm) Termination: PC Pins Dielectric Material: Polyester, Metallized Voltage Rating - AC: 65V Voltage Rating - DC: 100V Height - Seated (Max): 0.614" (15.60mm) Capacitance: 0.22 µF Size / Dimension: 0.819" L x 0.358" W (20.80mm x 9.10mm) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1P33K | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 0.33UF 10% 100VDC RAD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1P33K-F | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 0.33UF 10% 100VDC RAD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1P33K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors 100Vdc .33uF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1P47K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors .47uF 100Vdc | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1P47K-F | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 0.47UF 10% 100VDC RAD | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1P68K-F | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 0.68UF 10% 100VDC RAD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1S15K | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 0.015UF 10% 100VDC RAD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1S15K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors 0.015uF 100Vdc | на замовлення 169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1S15K-F | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 0.015UF 10% 100VDC RAD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1S1K-F | Cornell Dubilier Knowles | Description: CAP FILM 10000PF 10% 100VDC RAD Tolerance: ±10% Packaging: Bulk Package / Case: Radial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: General Purpose Lead Spacing: 0.394" (10.00mm) Termination: PC Pins Dielectric Material: Polyester, Metallized Voltage Rating - AC: 65V Voltage Rating - DC: 100V Height - Seated (Max): 0.448" (11.37mm) Capacitance: 10000 pF Size / Dimension: 0.512" L x 0.220" W (13.00mm x 5.60mm) | на замовлення 518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMT1S1K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors .01UF 100V 10% | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1S22K | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 0.022UF 10% 100VDC RAD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1S22K-F | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 0.022UF 10% 100VDC RAD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1S22K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors .022uF 100Vdc | на замовлення 755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1S33K | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 0.033UF 10% 100VDC RAD Tolerance: ±10% Packaging: Bulk Package / Case: Radial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: General Purpose Lead Spacing: 0.402" (10.20mm) Termination: PC Pins Dielectric Material: Polyester, Metallized Voltage Rating - AC: 65V Voltage Rating - DC: 100V Height - Seated (Max): 0.444" (11.27mm) Capacitance: 0.033 µF Size / Dimension: 0.559" L x 0.248" W (14.20mm x 6.30mm) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1S33K-F | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 0.033UF 10% 100VDC RAD Tolerance: ±10% Packaging: Bulk Package / Case: Radial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: General Purpose Lead Spacing: 0.402" (10.20mm) Termination: PC Pins Dielectric Material: Polyester, Metallized Voltage Rating - AC: 65V Voltage Rating - DC: 100V Height - Seated (Max): 0.444" (11.27mm) Capacitance: 0.033 µF Size / Dimension: 0.559" L x 0.248" W (14.20mm x 6.30mm) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1S33K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors 0.033uF 100Vdc | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1S47K-F | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 0.047UF 10% 100VDC RAD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1S47K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors 0.047uF 100V 10% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1S68K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors .068uF 100Vdc | на замовлення 473 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1S68K-F | Cornell Dubilier Knowles | Description: CAP FILM 0.068UF 10% 100VDC RAD Tolerance: ±10% Packaging: Bulk Package / Case: Radial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: General Purpose Lead Spacing: 0.421" (10.70mm) Termination: PC Pins Dielectric Material: Polyester, Metallized Voltage Rating - AC: 65V Voltage Rating - DC: 100V Height - Seated (Max): 0.554" (14.06mm) Capacitance: 0.068 µF Size / Dimension: 0.559" L x 0.276" W (14.20mm x 7.00mm) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMT1W1K-F | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 1UF 10% 100VDC RADIAL Tolerance: ±10% Packaging: Bulk Package / Case: Radial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: General Purpose Lead Spacing: 1.169" (29.70mm) Termination: PC Pins Dielectric Material: Polyester, Metallized Voltage Rating - AC: 65V Voltage Rating - DC: 100V Height - Seated (Max): 0.824" (20.92mm) Capacitance: 1 µF Size / Dimension: 1.331" L x 0.520" W (33.80mm x 13.20mm) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1W1K-F | Knowles / Illinois Capacitor | Film Capacitors 1uF 100V 10% | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT1W1K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors 1uF 100V 10% | на замовлення 994 шт: термін постачання 225-234 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT2-134-4.8L | Coilcraft | Fixed Inductors 134uH Unshld 4.8A 100mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT2-149-3.8L | Coilcraft | Power Inductors - Leaded 149uH Unshld 3.8A 130mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT2-20-12L | Coilcraft | Power Inductors - Leaded 20uH Unshld 12A 20mOhms | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT2-200-3.8L | Coilcraft | Power Inductors - Leaded 200uH Unshld 3.8A 190mOhms | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT2-26-11L | Coilcraft | Power Inductors - Leaded 26uH Unshld 11A 20mOhms | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT2-273-2.4L | Coilcraft | Power Inductors - Leaded 273uH Unshld 2.4A 260mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT2-380-2.4L | Coilcraft | Power Inductors - Leaded 380uH Shld 2.4A 380mOhms | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT2-47-8.2L | Coilcraft | Power Inductors - Leaded 47uH Shld 8.2A 40mOhms | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT2-49-8L | Coilcraft | Fixed Inductors 49uH Unshld 8A 40mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT2-567-1.5L | Coilcraft | Power Inductors - Leaded 567uH Unshld 1.5A 560mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT2-79-6L | Coilcraft | Fixed Inductors 79uH Unshld 6A 70mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT2-796-1.5L | Coilcraft | Fixed Inductors 796uH Unshld 1.5A 790mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT2-80-6.3L | Coilcraft | Power Inductors - Leaded 80uH Unshld 6.3A 50mOhms | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT2004UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT2004UFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 24V 14.1A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT2004UFDF-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 24V 14.1A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT2004UFDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 24V 14.1A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT2004UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 3766 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT2004UFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT2004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 14.1 A, 4800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 24V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V Verlustleistung: 12.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm | на замовлення 2109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT2004UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 24V 14.1A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMT2004UFDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 24V 14.1A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT2004UFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT2004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 14.1 A, 4800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 24V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V Verlustleistung: 12.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm | на замовлення 2109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT2004UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 24V 14.1A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMT2004UFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT2004UFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT2004UFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMT2004UFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT2004UFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMT2004UFV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMT2004UFV-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

