Продукція > SiA

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
SIA483ADJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SC70 P-CH 30V 10.6A
на замовлення 75695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.32 грн
10+33.89 грн
100+18.99 грн
500+14.45 грн
1000+13.06 грн
3000+11.10 грн
6000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483ADJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA483ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.02 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 17.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 17.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.36 грн
500+17.25 грн
1000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 10.6A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V
на замовлення 87150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.99 грн
10+32.60 грн
100+21.00 грн
500+15.02 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 67217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.13 грн
12+28.99 грн
100+18.57 грн
500+14.66 грн
1000+11.94 грн
3000+10.06 грн
9000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.83 грн
6000+11.32 грн
9000+10.79 грн
15000+9.58 грн
21000+9.25 грн
30000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA485DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA485DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 46410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.05 грн
10+38.54 грн
100+21.72 грн
500+16.62 грн
3000+15.08 грн
6000+13.41 грн
9000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA485DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA511DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA511DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA513DJ-T1-E3
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA513DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA513DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.84 грн
11+39.76 грн
50+27.65 грн
100+23.70 грн
500+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA517DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.64 грн
500+29.43 грн
1500+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+36.35 грн
500+29.12 грн
Мінімальне замовлення: 390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3
Код товару: 164618
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Транзисторні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 15197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.94 грн
10+41.68 грн
100+23.60 грн
500+18.16 грн
1000+16.34 грн
3000+16.27 грн
6000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 22278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.27 грн
10+36.69 грн
100+23.84 грн
500+17.17 грн
1000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA517DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.20 грн
50+71.61 грн
100+44.64 грн
500+29.43 грн
1500+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.42 грн
6000+13.10 грн
9000+12.33 грн
15000+11.13 грн
21000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3 SIA913ADJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.19 грн
6000+13.45 грн
9000+12.85 грн
15000+11.42 грн
21000+11.05 грн
30000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA519EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.17 грн
500+16.49 грн
1000+13.76 грн
5000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N- & P- Channel 20V MOSFET
на замовлення 72942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.33 грн
10+36.46 грн
100+22.62 грн
500+17.81 грн
1000+16.06 грн
3000+11.73 грн
9000+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 74733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.63 грн
10+37.82 грн
100+24.54 грн
500+17.66 грн
1000+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA519EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 112736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.56 грн
20+41.22 грн
100+26.80 грн
500+19.52 грн
1000+16.34 грн
5000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3
Код товару: 168959
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA5213DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA527DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.44 грн
500+17.40 грн
1000+14.45 грн
5000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 6744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.59 грн
25+31.18 грн
100+24.22 грн
250+20.40 грн
500+17.64 грн
1000+15.92 грн
3000+13.35 грн
6000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.20 грн
10+32.30 грн
100+20.92 грн
500+15.00 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 8V Vgs SC-70 N&P PAIR
на замовлення 14583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.94 грн
10+37.26 грн
100+20.95 грн
500+16.06 грн
1000+14.45 грн
3000+12.36 грн
6000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA527DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.94 грн
22+37.80 грн
100+24.44 грн
500+17.40 грн
1000+14.45 грн
5000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA533EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 55494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.63 грн
10+38.13 грн
100+24.74 грн
500+17.80 грн
1000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA533EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA533EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.56 грн
20+41.22 грн
100+26.80 грн
500+22.32 грн
1000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA533EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA533EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.31 грн
6000+13.56 грн
9000+12.95 грн
15000+11.51 грн
21000+11.13 грн
30000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA533EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 74631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.67 грн
10+37.98 грн
100+21.44 грн
500+16.48 грн
1000+14.80 грн
3000+12.71 грн
6000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA533EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA533EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.58 грн
500+27.16 грн
1000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 12V/20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA537EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.17 грн
16+54.17 грн
100+35.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 12V/20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA537EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.03 грн
500+29.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 12V/20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA777EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 1.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V
Power - Max: 5W, 7.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA778DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA778DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA778DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 12-V & 20-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA778DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA810DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA810DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA810DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA810DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.27 грн
10+36.46 грн
100+23.62 грн
500+16.94 грн
1000+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811ADJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 5746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.94 грн
10+37.26 грн
100+20.95 грн
500+16.06 грн
1000+14.45 грн
3000+14.38 грн
6000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811DJ-T1-E3
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811DJ-T1-GE3
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811DJ-TI-E3
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA813DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA813DJ-T1-GE3VISHAYQFN
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA813DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA813DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA813DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA814DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA814DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA814DJ-T1-GE3
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA817EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.054 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: LITTLE FOOT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.88 грн
500+15.05 грн
1000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.66 грн
6000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 49500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.05 грн
10+38.63 грн
100+21.79 грн
500+16.69 грн
1000+15.01 грн
3000+12.85 грн
6000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA817EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.065 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 6.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: LITTLE FOOT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.57 грн
21+39.18 грн
100+25.42 грн
500+16.64 грн
1000+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
на замовлення 7824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.92 грн
16+19.97 грн
100+16.98 грн
500+14.16 грн
1000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; -30V; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3 SIA923AEDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA850DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA850DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA906EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.78 грн
500+19.82 грн
1000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
на замовлення 80554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.63 грн
10+37.82 грн
100+24.54 грн
500+17.66 грн
1000+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]