Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF7324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7324TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7324TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7324TRPBF - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7325IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7325Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7325PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7325TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8SO
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7325TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7325TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7325TRPBFIOR
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7326IR
на замовлення 232080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7326D2IR07+ SO-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7326D2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7326D2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7326D2PBF
Код товару: 41019
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7326D2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7326D2TRIOR2001 SMD
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7326D2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7326D2TRPBFIR0506+ SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7326D2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7326D2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.56 грн
10+33.89 грн
100+28.34 грн
500+24.47 грн
1000+23.80 грн
2000+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7326TRIOR2001
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7326TRPBFIOR
на замовлення 960000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7327IOR09+ SO-8
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328International RectifierTranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7328TR; IRF7328; IRF7328-GURT; IRF7328TRXTMA1; IRF7328 TIRF7328
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+36.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328International RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328PBF
Код товару: 28319
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 8 А
Rds(on),Om: 0,021 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2675/52
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+28.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328PBFInfineonTransistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328PBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2675 @ 25, Qg, нКл = 78 @ 10 В, Rds = 21 мОм @ 8 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
95+48.16 грн
190+41.27 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328PBFInfineon TechnologiesMOSFETs DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRJGSEMITransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 28mOhm; 8,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7328; IRF7328TR; IRF7328TRXTMA1; SP001555158; SP001565270; SP005828189; IRF7328TR JGSEMI TIRF7328 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRIR08+ LQFP44
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRUMWTransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7328; IRF7328TR; IRF7328TRXTMA1; SP001555158; SP001565270; SP005828189; IRF7328TR UMW TIRF7328 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7328TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOIC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
Dauer-Drainstrom Id: 8A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.64 грн
10+118.94 грн
100+90.43 грн
500+69.14 грн
1000+56.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 35020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
482+73.64 грн
535+66.28 грн
1000+61.12 грн
10000+52.54 грн
Мінімальне замовлення: 482 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFInternational RectifierMosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 8A
на замовлення 11772 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
3+128.72 грн
10+101.18 грн
100+70.53 грн
500+57.61 грн
1000+46.92 грн
2000+44.20 грн
4000+41.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7328TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.43 грн
500+69.14 грн
1000+56.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFInternational RectifierMOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 8A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.01 грн
10+82.71 грн
100+50.00 грн
500+41.90 грн
1000+38.75 грн
4000+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.60 грн
10+84.72 грн
100+56.46 грн
500+43.04 грн
1000+36.73 грн
5000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+71.45 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.46 грн
500+43.04 грн
1000+36.73 грн
5000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.86 грн
10+119.70 грн
50+109.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329PBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V DUAL P-CH HEXFET 17mOhms 38nC
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329PBF
Код товару: 58448
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329PBF 
на замовлення 9080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRInternational Rectifier2xP-MOSFET HEXFET 9.2A 12V 2W 0.17? IRF7329 TIRF7329
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.62 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRInternational Rectifier2xP-MOSFET HEXFET 9.2A 12V 2W 0.17? IRF7329 TIRF7329
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.62 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
611+58.00 грн
1000+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.87 грн
500+34.95 грн
1000+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.34 грн
10+68.23 грн
100+45.60 грн
500+33.69 грн
1000+30.77 грн
2000+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL PCh -12V 9.2A
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.76 грн
10+62.96 грн
100+35.82 грн
500+32.40 грн
1000+29.68 грн
2000+29.05 грн
4000+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.50 грн
13+66.96 грн
100+45.87 грн
500+34.95 грн
1000+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.03 грн
8000+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.57 грн
203+70.13 грн
258+55.04 грн
500+49.08 грн
1000+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.28 грн
14+54.50 грн
25+52.94 грн
50+50.54 грн
100+30.81 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 12V; 9.2A; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.2A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+37.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331PBF
Код товару: 26137
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1340/13
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+18.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V DUAL N-CH HEXFET 30mOhms 13nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7331TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7331TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 20V 7.0A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBF-1Infineon / IRInfineon SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7333IR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7335D1IOR02+ SMD
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7335D1HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7335D1TRIOR2004
на замовлення 185200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7335D1TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7335D1TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7335D1TRPBFIOR
на замовлення 194500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7335SIOR02+ SMD-8
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7336D1TRIRSOP8 04+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7336D1TR
Код товару: 45446
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-14
у наявності: 74 шт
  • 44 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+12.00 грн
10+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7338IRSO-8
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7338PBFInfineon TechnologiesMOSFET 12V DUAL N- & P- CH HEXFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7338PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 9V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7338TRIR0240+ SOP-8
на замовлення 206030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]