Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF7341TRPBF
Код товару: 25204
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 4,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 217 шт
  • 171 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 28 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 13 шт
  • 13 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+33.00 грн
10+29.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.68 грн
8000+30.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 55V 4.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 4,7 A, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 29063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.68 грн
10+50.53 грн
100+33.18 грн
500+24.13 грн
1000+21.88 грн
2000+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.68 грн
8000+30.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 55V 4.7A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+104.77 грн
197+71.85 грн
283+49.93 грн
500+38.15 грн
1000+32.06 грн
2000+28.11 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+80.84 грн
265+53.34 грн
500+41.54 грн
1000+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs PLANAR FET
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.66 грн
8000+30.33 грн
12000+29.15 грн
20000+26.83 грн
28000+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1InfineonIRF7341TRPBFXTMA1 N-MOSFET;польовий;55В;4,7А;SO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.64 грн
10+80.84 грн
100+53.34 грн
500+40.05 грн
1000+33.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.49 грн
8000+30.18 грн
12000+29.00 грн
20000+26.70 грн
28000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.41 грн
10+50.71 грн
100+33.39 грн
500+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.68 грн
10+50.61 грн
100+33.24 грн
500+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
870+40.59 грн
1000+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 870 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342International RectifierHEXFETDUALP-CH/-55V/3,4A/0,105Ohm/SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342D2PBF
Код товару: 28747
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 3,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,105 Ом
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342D2PBFInternational RectifierMOSFET P-Channe/-55V/3,4A/0,105 Ohm/SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342D2PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7342D2PBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 3.4 A, 0.105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342D2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342D2PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.4A 105mOhm 26nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342D2TRPBFIRSOP8 07+08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342D2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342PBFInfineon TechnologiesMOSFETs DUAL -55V P-CH 20V VGS 55V BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342PBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,4 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342PBF
Код товару: 29394
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 3,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,105 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 690/26
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+28.00 грн
10+25.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342PBFInternational RectifierHEXFETDUALP-CH/-55V/3,4A/0,105Ohm/SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342QTRPBFIOR
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRInfineonTransistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342TR; IRF7342; IRF7342-GURT; IRF7342 smd; IRF7342TR; IRF7342TR TIRF7342
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TR
Код товару: 181463
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRUMWTransistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342; IRF7342TR; SP001571984; SP001566208; IRF7342TR UMW TIRF7342 UMW
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRInfineonTransistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342TR; IRF7342; IRF7342-GURT; IRF7342 smd; IRF7342TR; IRF7342TR TIRF7342
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRUMWDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.65 грн
10+83.22 грн
25+76.58 грн
100+62.14 грн
250+56.99 грн
500+45.80 грн
1000+41.34 грн
3000+40.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineonMOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO Транзистори
на замовлення 45 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+55.65 грн
1000+51.04 грн
2000+49.45 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.35 грн
10+67.36 грн
100+47.61 грн
250+42.01 грн
500+38.32 грн
1000+35.14 грн
2000+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.86 грн
8000+26.83 грн
12000+25.84 грн
20000+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+55.53 грн
1000+50.92 грн
2000+49.34 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,4 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 700 Од. в
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.39 грн
182+77.76 грн
216+65.36 грн
500+51.95 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 188000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+47.43 грн
8000+46.95 грн
12000+46.48 грн
20000+44.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.39 грн
10+77.76 грн
100+65.36 грн
500+51.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+83.22 грн
185+76.58 грн
219+64.44 грн
250+61.54 грн
500+47.70 грн
1000+41.34 грн
3000+40.49 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF
Код товару: 31772
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 3,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,105 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 690/26
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
у наявності: 160 шт
  • 127 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 30 шт
  • 30 шт - очікується
на замовлення: 7 шт
  • 7 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+30.00 грн
10+27.00 грн
100+24.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFIRF7342TRPBF Микросхемы
на замовлення 95 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
на замовлення 38936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 74230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.75 грн
10+70.64 грн
100+47.11 грн
500+34.75 грн
1000+31.70 грн
2000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 188000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+47.32 грн
8000+46.83 грн
12000+46.38 грн
20000+44.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF/IRIR08+;
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343IRF7343 Транзисторы HEXFET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7343PBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 4.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343PBF
Код товару: 32395
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 4,7/3,4
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,050 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 102 шт
  • 31 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+32.00 грн
10+28.80 грн
100+25.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343PBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 55, Id = 4,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4.7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3,4 А,... Транзистори Корпус: SOICN-8
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
95+32.43 грн
190+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V DUAL N / P CH 20V VGS 55V BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343PBFIRF7343PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343QTRPBFIOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRInternational RectifierTransistor 2xN/P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm/170mOhm; 4,7A/3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF7343 smd TIRF7343
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRUMWTransistor N/P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm/100mOhm; 4,7A/3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7343; IRF7343TR; SP001571976; SP001565516; IRF7343TR UMW TIRF7343 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRIR2004
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRUMWDescription: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 3.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V, 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V, 90mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V, 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRHXY MOSFETTransistor N/P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm/115mOhm; 6A/5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7343; IRF7343TR; SP001571976; SP001565516; IRF7343TR HXY MOSFET TIRF7343 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 55, Id = 4,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3,4 А,... Транзистори Корпус: SOICN-8
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 790 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 172000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+42.21 грн
8000+39.39 грн
12000+37.95 грн
20000+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.76 грн
8000+23.99 грн
12000+23.09 грн
20000+20.72 грн
28000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.88 грн
12000+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
641+55.07 грн
1000+50.78 грн
Мінімальне замовлення: 641 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.06 грн
10+78.98 грн
100+55.79 грн
500+43.27 грн
1000+34.03 грн
2500+28.43 грн
12000+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.06 грн
179+78.98 грн
253+55.79 грн
500+43.27 грн
1000+34.03 грн
2500+28.43 грн
12000+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFInternational RectifierMOSFET N/P-CH 55V SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 48493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.88 грн
12000+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5553 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+109.04 грн
10+66.02 грн
100+43.43 грн
250+37.57 грн
500+34.06 грн
1000+31.04 грн
2000+28.53 грн
4000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 78408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.58 грн
10+64.24 грн
100+42.63 грн
500+31.31 грн
1000+28.51 грн
2000+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 172000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+87.32 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF
Код товару: 180205
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOIC-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 4,7/3,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,043/0,095 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 740/690/24/26
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+21.00 грн
10+18.90 грн
100+16.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF734LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 4.9A I2PAK
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF734PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220AB
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7350IRSO-8
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7350 (IRF7350PBF)
Код товару: 41121
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Примітка: N+P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7350HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]