Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF7342IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342International RectifierHEXFETDUALP-CH/-55V/3,4A/0,105Ohm/SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342D2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342D2PBFInternational RectifierMOSFET P-Channe/-55V/3,4A/0,105 Ohm/SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342D2PBF
Код товару: 28747
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 3,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,105 Ом
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342D2PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7342D2PBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 3.4 A, 0.105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342D2PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.4A 105mOhm 26nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342D2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342D2TRPBFIRSOP8 07+08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342PBFInternational RectifierHEXFETDUALP-CH/-55V/3,4A/0,105Ohm/SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342PBF
Код товару: 29394
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 3,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,105 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 690/26
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+28.00 грн
10+25.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342PBFInfineon TechnologiesMOSFETs DUAL -55V P-CH 20V VGS 55V BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342PBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,4 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342QTRPBFIOR
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRInfineonTransistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342TR; IRF7342; IRF7342-GURT; IRF7342 smd; IRF7342TR; IRF7342TR TIRF7342
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRUMWTransistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342; IRF7342TR; SP001571984; SP001566208; IRF7342TR UMW TIRF7342 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRUMWDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TR
Код товару: 181463
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRInfineonTransistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342TR; IRF7342; IRF7342-GURT; IRF7342 smd; IRF7342TR; IRF7342TR TIRF7342
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFIRF7342TRPBF Микросхемы
на замовлення 95 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
648+54.51 грн
1000+50.28 грн
10000+44.82 грн
Мінімальне замовлення: 648 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+50.27 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+30.14 грн
12000+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineonMOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO Транзистори
на замовлення 45 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
648+54.51 грн
1000+50.28 грн
Мінімальне замовлення: 648 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+49.61 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+40.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF
Код товару: 31772
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 3,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,105 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 690/26
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
у наявності: 140 шт
  • 107 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+30.00 грн
10+27.00 грн
100+24.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+116.69 грн
10+68.14 грн
100+48.17 грн
250+42.49 грн
500+38.77 грн
1000+35.55 грн
2000+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+133.15 грн
154+91.68 грн
198+71.31 грн
220+62.10 грн
500+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 224000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+42.02 грн
12000+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,4 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 700 Од. в
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 224000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+41.46 грн
12000+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+90.62 грн
201+70.38 грн
223+63.51 грн
250+60.63 грн
500+45.55 грн
1000+40.01 грн
3000+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 40537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.09 грн
10+71.31 грн
50+53.35 грн
100+44.62 грн
500+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
на замовлення 36126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+40.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.24 грн
10+92.42 грн
50+71.90 грн
100+62.61 грн
500+43.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+132.04 грн
10+90.62 грн
25+70.38 грн
100+61.25 грн
250+56.14 грн
500+43.73 грн
1000+40.01 грн
3000+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF/IRIR08+;
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343IRF7343 Транзисторы HEXFET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7343PBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 4.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V DUAL N / P CH 20V VGS 55V BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343PBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 55, Id = 4,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4.7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3,4 А,... Транзистори Корпус: SOICN-8
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
95+32.43 грн
190+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343PBF
Код товару: 32395
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 4,7/3,4
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,050 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 95 шт
  • 27 шт - склад
  • 28 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+32.00 грн
10+28.80 грн
100+25.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343PBFIRF7343PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343QTRPBFIOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRHXY MOSFETTransistor N/P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm/115mOhm; 6A/5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7343; IRF7343TR; SP001571976; SP001565516; IRF7343TR HXY MOSFET TIRF7343 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRUMWDescription: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 3.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V, 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V, 90mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V, 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRIR2004
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRUMWTransistor N/P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm/100mOhm; 4,7A/3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7343; IRF7343TR; SP001571976; SP001565516; IRF7343TR UMW TIRF7343 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+119.40 грн
216+65.48 грн
239+59.22 грн
500+46.02 грн
1000+40.08 грн
2500+30.59 грн
12000+28.81 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+89.71 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 42400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.00 грн
12000+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFInternational RectifierMOSFET N/P-CH 55V SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.23 грн
12000+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.40 грн
12+65.48 грн
100+59.22 грн
500+46.02 грн
1000+40.08 грн
2500+30.59 грн
12000+28.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
887+39.81 грн
1000+36.72 грн
Мінімальне замовлення: 887 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF
Код товару: 180205
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOIC-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 4,7/3,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,043/0,095 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 740/690/24/26
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+21.00 грн
10+18.90 грн
100+16.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 55, Id = 4,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3,4 А,... Транзистори Корпус: SOICN-8
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 790 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.98 грн
12000+33.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+35.01 грн
12000+33.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 43724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.14 грн
10+68.72 грн
50+51.24 грн
100+42.79 грн
500+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.23 грн
12000+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 46564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3532 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+110.31 грн
10+66.79 грн
100+43.93 грн
250+38.01 грн
500+34.45 грн
1000+31.41 грн
2000+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF734LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 4.9A I2PAK
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF734PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220AB
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7350IRSO-8
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7350 (IRF7350PBF)
Код товару: 41121
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Примітка: N+P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7350HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7350PBFInfineon / IRMOSFET 100V DUAL N- & P- CH HEXFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7350PBFInternational Rectifier(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,2W,100V,2A,SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7350PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2.1A/1.5A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A, 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7350TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7350TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2.1A/1.5A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A, 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7350TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL N/PCh 100V 2.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7350TRPBFInternational Rectifier(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,2W,100V,2A,SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7350TRPBFIR
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351PBFInternational RectifierMOSFET 60V DUAL N-CH HEXFET 17.8mOhm 24nC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V DUAL N-CH HEXFET 17.8mOhm 24nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351PBF
Код товару: 127438
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351PBF-HXYHXY MOSFETMOSFET 60V 15A 60W 15mOhm@10V 2.5V@250uA 2 N-Channel SOP-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRInfineon2xN -MOSFET HEXFET 8A 60V 2W 0.18Ω IRF7351 TIRF7351
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 486 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+95.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.02 грн
10+98.05 грн
50+74.21 грн
100+62.40 грн
500+49.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+128.65 грн
115+122.91 грн
250+117.98 грн
500+109.65 грн
1000+98.22 грн
2500+91.50 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 8A 17.8mOhm 24nC Dual
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]