Продукція > DMT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMT2004UFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+36.98 грн
100+24.03 грн
500+17.31 грн
1000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 80A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.13 грн
5000+15.19 грн
7500+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 80A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+42.12 грн
100+27.50 грн
500+19.92 грн
1000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2005UDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 50A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2005UDV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2005UDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 50A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2005UDV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT26M0LDG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT26M0LDG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 25V 11.6A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.24W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 33.8A (Tc), 20.1A (Ta), 52.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 13V, 4016pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 2mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9nC @ 10V, 57.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type F)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT26M0LDG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 25V 11.6A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.24W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 33.8A (Tc), 20.1A (Ta), 52.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 13V, 4016pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 2mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9nC @ 10V, 57.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type F)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT26M0LDG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2D22K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.0022uF 200/250Vdc
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2D22K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 2200PF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2D47K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 4700PF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P1K-FCORNELL DUBILIERDescription: CORNELL DUBILIER - DMT2P1K-F - CAPACITOR POLYESTER FILM 0.1UF, 200V, 10%, RADIAL
tariffCode: 85322500
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P1K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.1UF 10% 250VDC RADIAL
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.669" (17.00mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 125V
Voltage Rating - DC: 250V
Height - Seated (Max): 0.606" (15.40mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.1 µF
Size / Dimension: 0.819" L x 0.354" W (20.80mm x 9.00mm)
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.17 грн
10+101.14 грн
500+61.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P1K-FKnowles / Illinois CapacitorFilm Capacitors 0.1uF 200V 10%
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P1K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .1UF 200V 10%
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P22K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.22uF 200V 10%
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P22K-FKnowles / Illinois CapacitorFilm Capacitors 0.22uF 200V 10%
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P22K-FCornell Dubilier KnowlesDescription: CAP FILM 0.22UF 10% 250VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.795" (20.20mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 125V
Voltage Rating - DC: 250V
Height - Seated (Max): 0.724" (18.38mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.22 µF
Size / Dimension: 0.945" L x 0.413" W (24.00mm x 10.50mm)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.17 грн
10+160.84 грн
50+127.36 грн
100+109.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P22K-FKnowles / Cornell Dubilier (CDE)Film Capacitors 0.22uF 200V 10%
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P33K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.33UF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P47K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.47UF 10% 250VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.921" (23.40mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 125V
Voltage Rating - DC: 250V
Height - Seated (Max): 0.822" (20.87mm)
Capacitance: 0.47 µF
Size / Dimension: 1.110" L x 0.531" W (28.20mm x 13.50mm)
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.40 грн
10+380.26 грн
100+296.39 грн
1000+233.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P47K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.47uF 200V 10%
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P68KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P68K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2S1K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .01uF 200/250Vdc
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2S1K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 10000PF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2S47K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.047uF 200V 10%
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2S47K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.047UF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-138-6LCoilcraftPower Inductors - Leaded 138uH Unshld 6A 70mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-1439-1.5LCoilcraftPower Inductors - Leaded 1.439 mH Unshld 1.5A 1.176Ohms
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-257-4.9LCoilcraftPower Inductors - Leaded 257uH Unshld 4.9A 150mOhms
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-35-12LCoilcraftPower Inductors - Leaded 35uH Unshld 12A 19mOhms
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-402-3.7LCoilcraftPower Inductors - Leaded 402uH Unshld - 3.7A 279mOhms
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-695-2.4LCoilcraftPower Inductors - Leaded 695uH Unshld 2.4A 550mOhms
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-77-8LCoilcraftPower Inductors - Leaded 77uH Unshld - 8A 40mOhms
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3002LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3002LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.20 грн
6000+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.27 грн
10+56.53 грн
25+47.55 грн
50+39.38 грн
100+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.18 грн
6000+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1714000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.19 грн
4000+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LFG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 21A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.71 грн
10+73.29 грн
25+61.80 грн
50+51.33 грн
100+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 21A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LDK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46.2 A, 5500 µohm, VDFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: VDFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 17.1A/46.2A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 46.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+34.34 грн
25+28.65 грн
50+23.56 грн
100+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDK-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LDK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46.2 A, 5500 µohm, VDFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: VDFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 17.1A/46.2A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 46.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 25A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 25A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.74 грн
30000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.21 грн
25+31.10 грн
50+25.60 грн
100+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W
Power dissipation: 2.1W
Gate charge: 16.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 12.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.29 грн
9000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.1 A, 5800 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: UDFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.1 A, 5800 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
10+38.64 грн
25+32.24 грн
50+26.56 грн
100+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LFDFQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.1 A, 5800 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: UDFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.23 грн
9000+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.27 грн
10+56.53 грн
25+47.52 грн
50+39.34 грн
100+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+55.40 грн
25+46.52 грн
50+38.52 грн
100+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 5600 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 5600 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.85 грн
6000+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFVQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+54.50 грн
25+45.74 грн
50+37.87 грн
100+33.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFVQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LPB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 11A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc), 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11.5A, 10V, 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type S)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.