Продукція > DMT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMT26M0LDG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT26M0LDG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 25V 11.6A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.24W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 33.8A (Tc), 20.1A (Ta), 52.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 13V, 4016pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 2mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9nC @ 10V, 57.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type F)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT26M0LDG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 25V 11.6A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.24W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 33.8A (Tc), 20.1A (Ta), 52.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 13V, 4016pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 2mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9nC @ 10V, 57.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type F)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2D22K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.0022uF 200/250Vdc
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2D22K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 2200PF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2D47K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 4700PF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P1K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.1UF 10% 250VDC RADIAL
Size / Dimension: 0.819" L x 0.354" W (20.80mm x 9.00mm)
Capacitance: 0.1 µF
Voltage Rating - AC: 125V
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Termination: PC Pins
Lead Spacing: 0.669" (17.00mm)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Mounting Type: Through Hole
Height - Seated (Max): 0.606" (15.40mm)
Voltage Rating - DC: 250V
Package / Case: Radial
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.17 грн
10+101.14 грн
500+61.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P1K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .1UF 200V 10%
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P1K-FCORNELL DUBILIERDescription: CORNELL DUBILIER - DMT2P1K-F - CAPACITOR POLYESTER FILM 0.1UF, 200V, 10%, RADIAL
tariffCode: 85322500
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P22K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.22uF 200V 10%
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P22K-FKnowles / Illinois CapacitorFilm Capacitors 0.22uF 200V 10%
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P22K-FKnowles / Cornell Dubilier (CDE)Film Capacitors 0.22uF 200V 10%
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P22K-FCornell Dubilier KnowlesDescription: CAP FILM 0.22UF 10% 250VDC RAD
Size / Dimension: 0.945" L x 0.413" W (24.00mm x 10.50mm)
Capacitance: 0.22 µF
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.724" (18.38mm)
Voltage Rating - DC: 250V
Voltage Rating - AC: 125V
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Termination: PC Pins
Lead Spacing: 0.795" (20.20mm)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: Radial
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.17 грн
10+160.84 грн
50+127.36 грн
100+109.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P33K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.33UF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P47K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.47uF 200V 10%
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P47K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.47UF 10% 250VDC RAD
Size / Dimension: 1.110" L x 0.531" W (28.20mm x 13.50mm)
Capacitance: 0.47 µF
Height - Seated (Max): 0.822" (20.87mm)
Voltage Rating - DC: 250V
Voltage Rating - AC: 125V
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Termination: PC Pins
Lead Spacing: 0.921" (23.40mm)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: Radial
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.40 грн
10+380.26 грн
100+296.39 грн
1000+233.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P68KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P68K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2S1K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .01uF 200/250Vdc
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2S1K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 10000PF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2S47K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.047uF 200V 10%
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2S47K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.047UF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-138-6LCoilcraftPower Inductors - Leaded 138uH Unshld 6A 70mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-1439-1.5LCoilcraftPower Inductors - Leaded 1.439 mH Unshld 1.5A 1.176Ohms
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-257-4.9LCoilcraftPower Inductors - Leaded 257uH Unshld 4.9A 150mOhms
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-35-12LCoilcraftPower Inductors - Leaded 35uH Unshld 12A 19mOhms
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-402-3.7LCoilcraftPower Inductors - Leaded 402uH Unshld - 3.7A 279mOhms
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-695-2.4LCoilcraftPower Inductors - Leaded 695uH Unshld 2.4A 550mOhms
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-77-8LCoilcraftPower Inductors - Leaded 77uH Unshld - 8A 40mOhms
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3002LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3002LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 2.4W
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 100A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.20 грн
6000+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.21 грн
4000+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+52.61 грн
100+34.67 грн
500+25.28 грн
1000+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 2.4W
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 100A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.18 грн
6000+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFGQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 2.4W
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 100A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1714000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.19 грн
4000+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LFG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17A; Idm: 180A; 2.7W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -16...20V
Gate charge: 43.7nC
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 2.7W
Drain current: 17A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 180A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 21A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.81 грн
10+64.31 грн
100+42.77 грн
500+31.44 грн
1000+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 21A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh FET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LDK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46.2 A, 5500 µohm, VDFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: VDFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.73 грн
500+13.59 грн
1000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 17.1A/46.2A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 46.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+31.93 грн
100+20.59 грн
500+14.72 грн
1000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDK-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 17.1A/46.2A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 46.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LDK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46.2 A, 5500 µohm, VDFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: VDFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.76 грн
27+31.05 грн
100+20.73 грн
500+13.59 грн
1000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 25A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 25A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.60 грн
4000+16.46 грн
6000+15.72 грн
10000+13.97 грн
14000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 12.5A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.30 грн
10+31.93 грн
100+20.58 грн
500+14.74 грн
1000+13.27 грн
2000+12.03 грн
5000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.1 A, 5800 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.65 грн
500+17.51 грн
1000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 12.5A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.32 грн
6000+11.77 грн
9000+11.23 грн
15000+9.96 грн
21000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.1 A, 5800 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.93 грн
26+32.03 грн
100+23.65 грн
500+17.51 грн
1000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.66 грн
100+21.74 грн
500+15.58 грн
1000+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-13Diodes IncorporatedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LFDFQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.1 A, 5800 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.17 грн
500+16.91 грн
1000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LFDFQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.1 A, 5800 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.14 грн
24+35.11 грн
100+23.17 грн
500+16.91 грн
1000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 12.5A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.8A; Idm: 80A; 27.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 27.8W
Drain current: 12.8A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.55 грн
6000+18.30 грн
9000+17.55 грн
15000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+52.61 грн
100+34.64 грн
500+25.26 грн
1000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.8A; Idm: 80A; 27.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 27.8W
Drain current: 12.8A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 17850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.44 грн
10+51.55 грн
100+33.90 грн
500+24.70 грн
1000+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 5600 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.54 грн
18+46.98 грн
100+33.08 грн
500+24.61 грн
1000+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.57 грн
6000+19.21 грн
9000+18.41 грн
15000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 45A; Idm: 90A; 2W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 90A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 5600 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.08 грн
500+24.61 грн
1000+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 188000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.23 грн
4000+17.03 грн
6000+16.26 грн
10000+14.46 грн
14000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFVQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFVQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 45A; Idm: 90A; 2W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 90A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.87 грн
10+50.72 грн
100+33.32 грн
500+24.26 грн
1000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFVQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LPB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 11A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc), 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11.5A, 10V, 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type S)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LPB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]