Продукція > FDP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDP33N25
Код товару: 107817
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.19 грн
10+89.60 грн
100+87.48 грн
500+84.31 грн
1000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+130.21 грн
159+89.60 грн
163+87.49 грн
500+84.32 грн
1000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP34N33Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 330V 34A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632ONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632onsemi / FairchildMOSFETs 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+314.11 грн
10+154.81 грн
100+124.95 грн
500+109.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 6188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.89 грн
50+150.14 грн
100+136.47 грн
500+105.58 грн
1000+98.36 грн
2000+96.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632onsemiMOSFETs 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632 (TO-220AB)
Код товару: 52946
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632_NL
на замовлення 19219 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UONSEMIDescription: ONSEMI - FDP3651U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.59 грн
10+108.73 грн
100+98.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.43 грн
128+110.74 грн
136+104.54 грн
250+94.07 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.43 грн
10+110.74 грн
100+104.54 грн
250+94.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651Uonsemi / FairchildMOSFETs 100V 80A 18 mOHM NCH POWER TREN
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.82 грн
10+113.53 грн
100+86.98 грн
250+84.22 грн
500+71.80 грн
1000+65.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651U
Код товару: 144911
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UonsemiMOSFETs 100V 80A 18 mOHM NCH POWER TREN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3651UonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5522 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.89 грн
50+107.09 грн
100+96.63 грн
500+73.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652onsemi / FairchildMOSFETs 100V 61a 0.016 Ohm
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.99 грн
10+102.41 грн
100+64.68 грн
500+52.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+124.48 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.28 грн
10+99.99 грн
100+73.75 грн
800+57.51 грн
1600+53.52 грн
2400+51.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.53 грн
10+138.07 грн
100+100.98 грн
800+88.71 грн
1600+78.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652_NL
на замовлення 14881 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3652_Qonsemi / FairchildMOSFET 100V 61a 0.016 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 105 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.29 грн
10+114.35 грн
100+78.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3672onsemi / FairchildMOSFETs 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.75 грн
10+111.94 грн
100+80.08 грн
500+68.07 грн
800+54.61 грн
2400+52.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 105V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP3672 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+78.45 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3672FAIRCHILD05+06+
на замовлення 24350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 32
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.39 грн
109+130.21 грн
137+103.51 грн
139+98.82 грн
500+84.78 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682
Код товару: 107819
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+86.75 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682onsemi / FairchildMOSFETs 100V 32a .36Ohm/VGS=1V
на замовлення 16770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.43 грн
10+61.92 грн
100+50.26 грн
500+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.39 грн
10+130.21 грн
25+103.51 грн
100+98.82 грн
500+84.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.29 грн
50+87.13 грн
100+78.42 грн
500+59.28 грн
1000+54.68 грн
2000+50.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+101.99 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682onsemiMOSFETs 100V 32a .36Ohm/VGS=1V
на замовлення 12197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.27 грн
10+75.82 грн
100+59.99 грн
500+54.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682_Qonsemi / FairchildMOSFET 100V 32a .36Ohm/VGS=1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+285.77 грн
56+255.81 грн
58+244.66 грн
105+130.86 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 251W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+113.90 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20FAIRCHILD
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+285.77 грн
10+255.81 грн
25+244.66 грн
100+130.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20onsemi / FairchildMOSFET SINGLE N-CH 200V ULTRAFET TRENCH
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.15 грн
10+205.62 грн
25+168.44 грн
100+146.35 грн
500+124.26 грн
1000+104.24 грн
2000+98.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.056 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 39
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 251
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 251
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP39N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 39A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 251W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 19.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4020P
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4020PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 16A TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4030LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
на замовлення 6570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+53.77 грн
Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4030LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP4030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+62.66 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0onsemiMOSFETs 150V 35a .42 Ohms/VGS=1V
на замовлення 27291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.32 грн
10+111.94 грн
100+86.98 грн
500+71.11 грн
1000+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0ON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 107mOhm; 30A; 150W; -55°C ~ 175°C; FDP42AN15A0 TFDP42an15a0
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
на замовлення 8150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.90 грн
50+104.03 грн
100+93.95 грн
500+71.60 грн
1000+66.28 грн
2000+61.80 грн
5000+60.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0On SemiconductorMOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+165.38 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+207.61 грн
5+151.24 грн
10+132.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0
Код товару: 111207
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0_Qonsemi / FairchildMOSFETs 150V 35a .42 Ohms/VGS=1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15AO
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP46N30
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CON Semiconductor
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+241.92 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 50 V
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.07 грн
50+221.25 грн
100+204.42 грн
500+178.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10ConsemiMOSFETs FET 100V 128A 4.5 mOhm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+335.85 грн
10+279.45 грн
50+197.44 грн
100+182.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP4D5N10CONSEMIDescription: ONSEMI - FDP4D5N10C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+259.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25onsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel MOSFET
на замовлення 8912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.62 грн
10+163.54 грн
100+120.81 грн
500+102.17 грн
1000+86.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 320W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 320W
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+226.41 грн
5+147.91 грн
10+131.29 грн
50+117.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP51N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 51 A, 0.048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.39 грн
10+193.30 грн
100+147.39 грн
500+114.42 грн
1000+98.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25ON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 320W; -55°C ~ 150°C; FDP51N25 TFDP51n25
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+114.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.24 грн
50+98.18 грн
100+93.09 грн
500+82.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+241.46 грн
107+133.06 грн
119+119.86 грн
500+92.47 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+256.92 грн
10+166.72 грн
100+128.06 грн
500+99.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20Fairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 52 А, Ptot, Вт = 357, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2900 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 49 мОм @ 26 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20
Код товару: 129721
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
на замовлення 6828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.72 грн
50+95.14 грн
100+92.21 грн
500+70.25 грн
1000+65.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.72 грн
10+133.76 грн
100+120.49 грн
500+92.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20onsemi / FairchildMOSFETs 200V N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 7663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.49 грн
10+102.41 грн
100+83.53 грн
500+68.90 грн
1000+67.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20ON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C; FDP52N20 TFDP52n20
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+106.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5500Fairchild SemiconductorDescription: N CHANNEL ULTRAFET 55V, 80A, 7M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V
на замовлення 4045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+164.34 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5500onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5500ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5500 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+193.30 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5500-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5500-F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5500-F085onsemi / FairchildMOSFET 55V NCHAN UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP55N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP55N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.60 грн
10+106.31 грн
100+69.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP55N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP55N06onsemi / FairchildMOSFET SINGLE N-CH 60V ULTRAFET TRENCH
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.72 грн
10+121.47 грн
100+82.15 грн
500+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]