Продукція > NTM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 15 18 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTMFD5C680NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 35767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
10+43.85 грн
100+28.72 грн
500+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C680NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C680NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.54 грн
14+58.93 грн
100+44.06 грн
500+29.66 грн
1000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C680NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.18 грн
3000+16.31 грн
4500+16.05 грн
7500+14.77 грн
10500+14.27 грн
15000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C680NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.06 грн
500+29.66 грн
1000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD6H840NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 90W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2022pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+69.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD6H840NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 90W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2022pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.55 грн
10+134.65 грн
100+93.35 грн
500+74.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD6H846NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD6H846NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD6H846NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.44 грн
10+88.39 грн
100+59.89 грн
500+44.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD6H846NLT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 25395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD6H852NLT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 196-205 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFRS4707NT1G
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 351µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.93 грн
10+205.23 грн
100+145.22 грн
500+117.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS002N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 0.0023 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.93 грн
10+192.64 грн
100+156.07 грн
500+135.86 грн
1000+110.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL HE
на замовлення 7419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1GONN
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 351µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+106.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+194.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS002N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 0.0023 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+156.07 грн
500+135.86 грн
1000+110.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+196.21 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002P03P8ZT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 217 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 138.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.2A (Ta), 263A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.23 грн
10+144.84 грн
100+100.85 грн
500+81.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002P03P8ZT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS002P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 226 A, 0.0012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 226A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.97 грн
10+146.31 грн
100+137.37 грн
500+120.01 грн
1000+103.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002P03P8ZT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.2A (Ta), 263A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 217 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 138.9W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002P03P8ZT1GonsemiMOSFETs PFET SO8FL -30V 2MO
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002P03P8ZT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS002P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 226 A, 0.0012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 226A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 138.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+137.37 грн
500+120.01 грн
1000+103.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS003P03P8ZT1GonsemiMOSFETs PFET SO8FL -30V 3MO
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS005N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 105 A, 4200 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.35 грн
500+78.50 грн
1000+70.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.48 грн
10+113.05 грн
25+112.45 грн
100+91.05 грн
250+83.46 грн
500+76.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS005N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 105 A, 4200 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+201.59 грн
10+137.37 грн
100+98.35 грн
500+78.50 грн
1000+70.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+108.96 грн
500+104.33 грн
1000+98.53 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+133.48 грн
126+112.45 грн
150+91.05 грн
250+83.46 грн
500+76.82 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1GON Semiconductor
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 105A, 5.1 mohm
на замовлення 6918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005P03P8ZST1GonsemiMOSFETs PT8P PORTFOLIO EXPANSION
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005P03P8ZST1GonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7880 pF @ 15 V
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.63 грн
10+94.42 грн
100+63.95 грн
500+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005P03P8ZST1GonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7880 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005P03P8ZT1GonsemiMOSFETs PFET SO8FL -30V 5MO
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005P03P8ZT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7880 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005P03P8ZT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS005P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 164 A, 0.0027 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.93 грн
10+91.04 грн
100+61.13 грн
500+48.68 грн
1000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005P03P8ZT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7880 pF @ 15 V
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.74 грн
10+85.59 грн
100+58.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N08MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14.7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A/82A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N08MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14.7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.44 грн
45000+55.24 грн
90000+51.39 грн
135000+46.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N08MCON Semiconductor
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N08MConsemiMOSFETs 80V PTNG IN PQFN8
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N08MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14.7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+78.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A/82A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 40 V
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.09 грн
10+124.24 грн
100+85.74 грн
500+66.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N12MCT1GON Semiconductor
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N12MCT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N12MCT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS006N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 93 A, 5000 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+139.00 грн
500+113.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N12MCT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET, 120V Single N channel 93A, 6m Ohm in Power56 package
на замовлення 23848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N12MCT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+128.23 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+128.23 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS008N12MCT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 12
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 79A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.66 грн
10+137.37 грн
100+109.33 грн
500+86.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS008N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 12A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+156.76 грн
500+141.44 грн
1000+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS008N12MCT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS008N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 79 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 102W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS008N12MCT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 12
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 79A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS008N12MCT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS008N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 79 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.19 грн
10+92.66 грн
100+77.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS008N12MCT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 120V, 79A, 8mohm
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS008N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 12A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS010N10GTWGonsemiMOSFETs 100V MVSOA IN PQFN56 PACKAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS010N10GTWGonsemiDescription: 100V MVSOA IN PQFN56 PACKAGE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 164µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.31 грн
10+161.37 грн
100+112.94 грн
500+93.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS010N10GTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 83A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS010N10GTWGonsemiDescription: 100V MVSOA IN PQFN56 PACKAGE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 164µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+84.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS011N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 78 A, 0.009 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+647.02 грн
5+595.00 грн
10+542.98 грн
50+453.63 грн
100+417.34 грн
250+416.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS011N15MConsemiMOSFETs PTNG 150V 11MOHM PQFN56
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS011N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10.7A/78A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 194µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3592 pF @ 75 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+504.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS011N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS011N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 78 A, 0.009 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 147W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+542.98 грн
50+453.63 грн
100+417.34 грн
250+416.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS011N15MCONN
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS011N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10.7A/78A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 194µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3592 pF @ 75 V
на замовлення 38579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+614.51 грн
10+496.42 грн
100+494.41 грн
500+456.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS011N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 9700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.87 грн
10+99.98 грн
100+67.87 грн
500+50.12 грн
1000+44.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 282µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13380 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
275+51.49 грн
Мінімальне замовлення: 275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+49.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR INDUSTRIAL MARKET
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 54A; Idm: 423A; 79W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 423A
Power dissipation: 79W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 9700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 79W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0097ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.87 грн
500+50.12 грн
1000+44.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 282µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13380 pF @ 50 V
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.22 грн
10+88.54 грн
100+59.82 грн
500+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.51 грн
12+64.44 грн
25+62.82 грн
100+54.80 грн
250+45.97 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+182.69 грн
500+175.62 грн
1000+165.01 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS015N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 61 A, 0.0102 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 108.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 108.7W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0102ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+128.43 грн
500+115.48 грн
1000+102.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+143.27 грн
6000+138.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 9.2A/61A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 108.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V
на замовлення 11383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.52 грн
10+190.58 грн
100+134.51 грн
500+103.78 грн
1000+97.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+182.69 грн
500+175.62 грн
1000+165.01 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MCON Semiconductor
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MConsemiMOSFETs PTNG 150V 15MOHM PQFN56
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+148.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 15 18 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]