Продукція > SID

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIDHP-FS2818F-100MSuntsu Electronics, IncDescription: FIXED IND 10uH SMD 33A 2.58MOHM
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 1.102" L x 0.776" W (28.00mm x 19.70mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 30 A
Inductance: 10 µH
Height - Seated (Max): 0.728" (18.50mm)
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Current - Saturation (Isat): 33A
DC Resistance (DCR): 2.58mOhm Max
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Type: Wirewound
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.23 грн
10+218.96 грн
50+212.35 грн
100+193.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDHP-FS2818F-220MSuntsu Electronics, IncDescription: FIXED IND 22uH SMD 30A 2.58MOHM
Inductance: 22 µH
Height - Seated (Max): 0.728" (18.50mm)
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Current - Saturation (Isat): 15A
DC Resistance (DCR): 2.58mOhm Max
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Type: Wirewound
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 1.102" L x 0.776" W (28.00mm x 19.70mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 30 A
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.23 грн
10+218.96 грн
50+212.35 грн
100+193.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDMP-SP0420-1R0MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 1UH 6.2A 27MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.173" L x 0.165" W (4.40mm x 4.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Molded
DC Resistance (DCR): 27mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 9A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.079" (2.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 6.2 A
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.16 грн
10+41.66 грн
50+33.18 грн
100+27.83 грн
500+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDMP-SP0420-2R2MSuntsu Electronics, IncDescription: FIXED IND 2.2UH SMD 4.0A 65MOHM
DC Resistance (DCR): 65mOhm Max
Type: Molded
Shielding: Shielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.173" L x 0.165" W (4.40mm x 4.20mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 4 A
Inductance: 2.2 µH
Height - Seated (Max): 0.079" (2.00mm)
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Current - Saturation (Isat): 5A
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.16 грн
10+42.12 грн
50+33.01 грн
100+28.56 грн
500+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDMP-SP0420-4R7MSuntsu Electronics, IncDescription: FIXED IND 4.7UH 2.8A 115 MOHM
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.173" L x 0.165" W (4.40mm x 4.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Molded
DC Resistance (DCR): 115mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 3.3A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.079" (2.00mm)
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 2.8 A
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.25 грн
10+38.34 грн
50+30.52 грн
100+25.61 грн
500+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDMP-SP0530-2R2MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 2.2UH SMD 5.9A 29MOHM
Current Rating (Amps): 5.9 A
Inductance: 2.2 µH
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.118" (3.00mm)
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Current - Saturation (Isat): 9.5A
Type: Molded
Shielding: Shielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.213" L x 0.205" W (5.40mm x 5.20mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
DC Resistance (DCR): 29mOhm Max
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
10+30.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDMP-SP0530-4R7MSuntsu Electronics, IncDescription: FIXED IND 4.7UH SMD 4.1A 60MOHM
Current Rating (Amps): 4.1 A
Inductance: 4.7 µH
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.118" (3.00mm)
DC Resistance (DCR): 60mOhm Max
Type: Molded
Shielding: Shielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.213" L x 0.205" W (5.40mm x 5.20mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Current - Saturation (Isat): 5A
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
11+28.76 грн
50+23.02 грн
100+19.59 грн
500+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDMP-SP0730-100MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 10UH SMD 4.2A 75MOHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.38 грн
10+70.04 грн
50+53.48 грн
100+47.25 грн
500+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDMP-SP0730-3R3MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 3.3UH SMD 7.8A 22MOHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
10+33.81 грн
50+26.75 грн
100+22.89 грн
500+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDMP-SP0730-4R7MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 4.7UH SMD 5.0A 40MOHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
10+33.81 грн
50+26.75 грн
100+22.89 грн
500+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDMP-SP0730-5R6MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 5.6UH SMD 5.3A 42MOHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+63.25 грн
50+49.53 грн
100+42.18 грн
500+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDMP-SP0740-100MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 10UH SMD 4.8A 65MOHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.44 грн
10+76.31 грн
50+58.99 грн
100+51.67 грн
500+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDMP-SP1040-100MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 10UH SMD 6.9A 30MOHM
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+72.84 грн
50+55.33 грн
100+49.19 грн
500+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDMP-SP1040-220MSuntsu Electronics, IncDescription: FIXED IND 20UH SMD 4.7A 66MOHM
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.453" L x 0.394" W (11.50mm x 10.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Molded
DC Resistance (DCR): 66mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 6A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.157" (4.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 4.7 A
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
10+65.21 грн
50+49.54 грн
100+44.05 грн
500+39.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDMP-SP1040-2R2MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 2.2UH SMD 13.2A 8MOHM
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.95 грн
10+67.70 грн
50+53.14 грн
100+45.09 грн
500+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDO0236
на замовлення 44050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIDO0237
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIDO0278-2
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIDO02782SILICONI
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIDO0279-2
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIDO02792SILICONI
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIDPC01QTelemecaniqueProximity Sensors - Industrial VIRTU SENSOR ULTRASONIC PROXIMITY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR104ADP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR104ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.82 грн
10+139.03 грн
100+96.59 грн
500+77.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR104ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.11 грн
10+165.05 грн
100+101.72 грн
500+82.91 грн
3000+78.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR104ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR104AEP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR104AEP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90.5 A, 6100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 120W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 120W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+158.50 грн
500+125.29 грн
1000+113.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR104AEP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.1A (Ta), 90.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR104AEP-T1-RE3VishayMOSFETs SOT669 100V 90.5A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR104AEP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR104AEP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90.5 A, 6100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 120W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+341.39 грн
10+214.59 грн
100+158.50 грн
500+125.29 грн
1000+113.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR104AEP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.1A (Ta), 90.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.77 грн
10+172.62 грн
100+121.41 грн
500+102.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR140DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 79A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR140DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR140DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 79A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR140DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.44 грн
10+144.69 грн
100+100.69 грн
500+81.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR140DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.00054 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.80 грн
500+73.16 грн
1000+70.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR140DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 25V 79A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR140DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR140DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.00054 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.48 грн
10+103.23 грн
25+99.98 грн
100+86.80 грн
500+73.16 грн
1000+70.37 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR170DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT669 100V 95A N-CH MOSFET
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+287.75 грн
10+186.69 грн
100+113.57 грн
500+94.75 грн
3000+89.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR170DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR170DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+145.50 грн
500+113.22 грн
1000+102.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR170DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR170DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR170DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR170DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+316.20 грн
10+208.09 грн
100+145.50 грн
500+113.22 грн
1000+102.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR170DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR170DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.39 грн
10+139.94 грн
100+97.28 грн
500+78.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR170DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.11 грн
10+157.44 грн
25+154.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR220DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR220DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 125
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR220DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 10 V
на замовлення 5973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.71 грн
10+148.99 грн
100+103.91 грн
500+84.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR220DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR220DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR220DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 480µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.19 грн
10+140.62 грн
25+130.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR220DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87.7A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR220DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87.7A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+75.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR220DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 100A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 125W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 820µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR220DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 25V 87.7A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR220DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR220DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.17 грн
10+108.92 грн
25+104.86 грн
100+92.08 грн
500+77.34 грн
1000+74.55 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR220DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87.7A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.14 грн
10+147.79 грн
100+103.00 грн
500+78.71 грн
1000+72.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR220DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR220DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.08 грн
500+77.34 грн
1000+74.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR220EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR220EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 415 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 415A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 480µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00048ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+186.14 грн
500+144.16 грн
1000+119.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR220EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 25 V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 415W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92.8A (Ta), 415A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR220EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR220EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 415 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 415A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00048ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+256.86 грн
10+245.48 грн
100+186.14 грн
500+144.16 грн
1000+119.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR220EP-T1-RE3VishayMOSFETs PPAKSO8 N-CH 25V 92.8A
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+354.40 грн
10+225.15 грн
100+143.53 грн
500+125.41 грн
3000+118.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR220EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 25 V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 415W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92.8A (Ta), 415A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.15 грн
10+186.05 грн
100+131.40 грн
500+112.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR390DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69.9A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.12 грн
10+136.09 грн
100+94.39 грн
500+75.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR390DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR390DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR390DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+301.57 грн
10+194.70 грн
100+119.84 грн
500+100.33 грн
3000+95.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR390DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69.9A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR390DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 69.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR390DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.15mΩ
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 153nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR390DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR390DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR390DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69.9A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR390DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69.9A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR390DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 69.9A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR392DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR392DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 620 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+121.93 грн
500+97.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR392DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 82A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+194.41 грн
10+173.59 грн
25+171.65 грн
50+161.52 грн
100+124.88 грн
250+118.79 грн
500+105.98 грн
1000+95.22 грн
3000+92.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR392DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 15 V
на замовлення 5763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.23 грн
10+145.60 грн
100+101.39 грн
500+82.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR392DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR392DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 620 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.67 грн
10+174.76 грн
100+121.93 грн
500+97.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR392DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+310.51 грн
10+201.91 грн
100+123.32 грн
500+105.21 грн
3000+99.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR392DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+74.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR392DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR392DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 82A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR392DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR392DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 620 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.04 грн
500+65.97 грн
1000+56.30 грн
5000+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR392DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.42 грн
10+171.41 грн
100+120.47 грн
500+92.66 грн
1000+86.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR392DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR392DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 620 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.57 грн
10+116.24 грн
100+91.04 грн
500+65.97 грн
1000+56.30 грн
5000+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR402DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR402DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR402DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+129.24 грн
500+92.84 грн
1000+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR402DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 64.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR402DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR402DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.04 грн
10+138.65 грн
100+96.30 грн
500+77.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR402DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR402DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.21 грн
10+150.38 грн
100+104.04 грн
500+78.50 грн
1000+68.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR402DP-T1-RE3VishayMOSFETs PPAKSO8 N-CH 40V 64.6A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR402DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR402DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.85 грн
10+131.48 грн
100+91.07 грн
500+71.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR402EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65.2A (Ta), 291A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.68 грн
10+137.14 грн
100+95.21 грн
500+76.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR402EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65.2A (Ta), 291A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+68.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR402EP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 8771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.05 грн
10+173.87 грн
100+105.21 грн
500+86.39 грн
3000+82.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR500EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR500EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 421 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 421A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.24 грн
10+199.15 грн
100+178.01 грн
500+162.28 грн
1000+146.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR500EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Ta), 421A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.63 грн
10+189.68 грн
100+134.16 грн
500+115.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR500EP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 94A
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+365.78 грн
10+238.77 грн
100+156.76 грн
500+140.74 грн
1000+135.16 грн
6000+123.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR500EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR500EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 421 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 421A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 390µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+178.01 грн
500+162.28 грн
1000+146.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]